Fertigungsprofil Knoten
Hochreines Galliumarsenid-Wafer-Substrat
Dokumentierte Fertigungskapazität
Halbleiter-GaAs-Wafer für die Herstellung von HF-Kommunikationsbauelementen.
URN
URN:CNFX:NODE:XIAMEN-POWERWAY:HIGH_PURITY_GALLIUM_ARSENIDE_WAFER_SUBSTRATE