Strukturierte Komponentendaten · 2026

NAND-Flash-Speicherarray

Ein NAND-Flash-Speicherarray ist ein Halbleiterspeicherbaustein, der Daten in einer gitterartigen Struktur von Speicherzellen speichert, die in Serie (NAND-Logikgatter) angeordnet sind. Er behält Daten ohne Stromversorgung (nichtflüchtig) und wird häufig in Solid-State-Laufwerken (SSDs), USB-Sticks, Speicherkarten und eingebetteten Systemen für schnellen, zuverlässigen Speicher mit hoher Dichte und Ausdauer verwendet.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches NAND-Flash-Speicherarray wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein NAND-Flash-Speicherarray ist ein Halbleiterspeicherbaustein, der Daten in einer gitterartigen Struktur von Speicherzellen speichert, die in Serie (NAND-Logikgatter) angeordnet sind. Er behält Daten ohne Stromversorgung (nichtflüchtig) und wird häufig in Solid-State-Laufwerken (SSDs), USB-Sticks, Speicherkarten und eingebetteten Systemen für schnellen, zuverlässigen Speicher mit hoher Dichte und Ausdauer verwendet. Funktioniert durch Speichern elektrischer Ladung in Floating-Gate-Transistoren (Speicherzellen), die in einer NAND-Architektur angeordnet sind, wobei Zellen in Serie geschaltet sind, um Platz zu sparen. Daten werden geschrieben, indem Spannung angelegt wird, um Elektronen im Floating Gate einzuschließen (Programmierung), und gelöscht, indem sie entfernt werden. Beim Lesen wird der Ladungspegel erfasst, um binäre Zustände (0 oder 1) zu bestimmen, was schnellen Zugriff und hohe Speicherkapazität durch Multi-Level-Cell- (MLC) oder Triple-Level-Cell- (TLC) Technologien ermöglicht.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein NAND-Flash-Speicherarray ist ein Halbleiterspeicherbaustein, der Daten in einer gitterartigen Struktur von Speicherzellen speichert, die in Serie (NAND-Logikgatter) angeordnet sind. Er behält Daten ohne Stromversorgung (nichtflüchtig) und wird häufig in Solid-State-Laufwerken (SSDs), USB-Sticks, Speicherkarten und eingebetteten Systemen für schnellen, zuverlässigen Speicher mit hoher Dichte und Ausdauer verwendet.

Funktioniert durch Speichern elektrischer Ladung in Floating-Gate-Transistoren (Speicherzellen), die in einer NAND-Architektur angeordnet sind, wobei Zellen in Serie geschaltet sind, um Platz zu sparen. Daten werden geschrieben, indem Spannung angelegt wird, um Elektronen im Floating Gate einzuschließen (Programmierung), und gelöscht, indem sie entfernt werden. Beim Lesen wird der Ladungspegel erfasst, um binäre Zustände (0 oder 1) zu bestimmen, was schnellen Zugriff und hohe Speicherkapazität durch Multi-Level-Cell- (MLC) oder Triple-Level-Cell- (TLC) Technologien ermöglicht.
Funktionsprinzip
Works by storing electrical charge in floating-gate transistors (memory cells) arranged in a NAND architecture, where cells are connected in series to reduce space. Data is written by applying voltage to trap electrons in the floating gate (programming) and erased by removing them. Reading involves detecting the charge level to determine binary states (0 or 1), enabling fast access and high storage capacity through multi-level cell (MLC) or triple-level cell (TLC) technologies.
Materialien
Siliziumwafer-SubstratPolysilizium-Floating-GatesOxidschichten (SiO2)Metallverbindungen (Kupfer oder Aluminium) und Schutzgehäuse (Epoxid oder Keramik).
Speed
Read: up to 3500 MB/s, Write: up to 3000 MB/s
Volumen
64 GB to 2 TB
Endurance
Up to 3000 P/E cycles
Interface
SATA, PCIe, NVMe
Form Factor
2.5-inch, M.2, BGA
Normen
ISO/IEC 7816JEDEC JESD218DIN EN 62680

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für NAND-Flash-Speicherarray.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Over-programming or voltage spikes->Cell degradation leading to bit errors->Implement error-correcting codes (ECC) and voltage regulation circuits.
High operating temperatures->Reduced data retention and physical damage->Use thermal management systems and adhere to temperature specifications.

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Data corruption from charge leakage
1
Wear-out from excessive write cycles
2
Thermal damage during operation
3
Compatibility issues with host systems

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% for voltage levels, ±10% for timing parameters
test method
JEDEC standards for endurance, data retention, and electrical characteristics

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between NAND and NOR flash memory?

NAND flash uses series-connected cells for higher density and faster write/erase speeds, ideal for storage; NOR flash uses parallel cells for faster random access, suited for code execution.

How does a NAND flash array improve storage performance?

It enables high-speed data transfer through parallel access to multiple memory cells, supports advanced error correction, and uses wear-leveling algorithms to extend lifespan.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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