Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotowiderstand

Ein Fotowiderstand, auch als lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender Lichtintensität abnimmt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotowiderstand wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Fotowiderstand, auch als Fotowiderstand oder lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender einfallender Lichtintensität abnimmt. Er arbeitet nach dem Prinzip der Photoleitfähigkeit, bei der Photonen mit ausreichender Energie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anregen, wodurch die Anzahl der Ladungsträger erhöht und der Widerstand verringert wird. In industriellen Fotozellensensoren dient er als primäres Erfassungselement zur Erkennung von Anwesenheit, Position oder Lichtpegeln in automatisierten Systemen. Das Arbeitsprinzip basiert auf der Photoleitfähigkeit. Wenn Photonen auf das Halbleitermaterial (typischerweise Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid) treffen, liefern sie genügend Energie, um Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen, wodurch Elektron-Loch-Paare entstehen. Dies erhöht die Anzahl der freien Ladungsträger, was den elektrischen Widerstand des Materials proportional zur Lichtintensität senkt. Im Dunkeln ist der Widerstand hoch (typischerweise Megaohm), während er bei Beleuchtung deutlich abfällt (auf Kiloohm oder weniger). Diese Widerstandsänderung wird von einer Schaltung gemessen, um ein Ausgangssignal zu erzeugen.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Fotowiderstand, auch als Fotowiderstand oder lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender einfallender Lichtintensität abnimmt. Er arbeitet nach dem Prinzip der Photoleitfähigkeit, bei der Photonen mit ausreichender Energie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anregen, wodurch die Anzahl der Ladungsträger erhöht und der Widerstand verringert wird. In industriellen Fotozellensensoren dient er als primäres Erfassungselement zur Erkennung von Anwesenheit, Position oder Lichtpegeln in automatisierten Systemen.

Das Arbeitsprinzip basiert auf der Photoleitfähigkeit. Wenn Photonen auf das Halbleitermaterial (typischerweise Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid) treffen, liefern sie genügend Energie, um Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen, wodurch Elektron-Loch-Paare entstehen. Dies erhöht die Anzahl der freien Ladungsträger, was den elektrischen Widerstand des Materials proportional zur Lichtintensität senkt. Im Dunkeln ist der Widerstand hoch (typischerweise Megaohm), während er bei Beleuchtung deutlich abfällt (auf Kiloohm oder weniger). Diese Widerstandsänderung wird von einer Schaltung gemessen, um ein Ausgangssignal zu erzeugen.
Funktionsprinzip
The working principle is based on photoconductivity. When photons strike the semiconductor material (typically cadmium sulfide or cadmium selenide), they provide enough energy to excite electrons from the valence band to the conduction band, creating electron-hole pairs. This increases the number of free charge carriers, which lowers the electrical resistance of the material proportionally to the light intensity. In darkness, the resistance is high (typically megaohms), while under illumination, it drops significantly (to kiloohms or less). This resistance change is measured by a circuit to produce an output signal.
Materialien
Cadmiumsulfid (CdS) oder Cadmiumselenid (CdSe) Halbleiterauf einem Keramiksubstrat abgeschiedenmit Metallelektroden (oft Silber oder Gold) in Kammformum die Oberfläche zu maximieren. Zum Schutz vor Umwelteinflüssen in Epoxidharz oder Glas eingekapselt.
Power Rating
100-200 mW
Response Time
10-100 ms
Voltage Rating
100-300 V DC
Dark Resistance
1-10 MΩ
Light Resistance
100-1000 Ω
Spectral Response
400-700 nm (visible light)
Einsatztemperatur
-30°C to +70°C
Normen
ISO 9001IEC 60747-5-2

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotowiderstand.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Prolonged exposure to high-intensity light->Permanent reduction in sensitivity or increased dark resistance->Use within specified light intensity ranges; incorporate optical filters or duty cycling in circuits
Moisture ingress or contamination->Unstable resistance readings or short circuits->Proper encapsulation; use in controlled environments; regular maintenance checks

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Sensitivity degradation over time
1
Slow response time compared to photodiodes
2
Non-linear resistance-light relationship
3
Cadmium content requiring RoHS compliance handling

Konformität und Prüfung

tolerance
±20% resistance variation under standard test conditions (e.g., 10 lux, 25°C)
test method
IEC 60747-5-2 for photoelectric devices; resistance measured with a multimeter under controlled light exposure using calibrated light sources

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the typical lifespan of a photoresistive element in industrial use?

Typically 50,000 to 100,000 hours under normal operating conditions, but it can degrade faster with high light intensity or temperature extremes due to material fatigue.

How does temperature affect a photoresistive element's performance?

Temperature increases can reduce dark resistance and alter response characteristics; most industrial-grade elements include compensation circuits or are specified for stable operation within -30°C to +70°C.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotowiderstand

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Vorherige Komponente
Fototransistor/Fotodiode
Naechste Komponente
Frame-Synchronisationslogik
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTORESISTIVE_ELEMENT