Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotowiderstand

Ein Fotowiderstand, auch als lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender Lichtintensität abnimmt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotowiderstand wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Fotowiderstand, auch als Fotowiderstand oder lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender einfallender Lichtintensität abnimmt. Er arbeitet nach dem Prinzip der Photoleitfähigkeit, bei der Photonen mit ausreichender Energie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anregen, wodurch die Anzahl der Ladungsträger erhöht und der Widerstand verringert wird. In industriellen Fotozellensensoren dient er als primäres Erfassungselement zur Erkennung von Anwesenheit, Position oder Lichtpegeln in automatisierten Systemen. Das Arbeitsprinzip basiert auf der Photoleitfähigkeit. Wenn Photonen auf das Halbleitermaterial (typischerweise Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid) treffen, liefern sie genügend Energie, um Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen, wodurch Elektron-Loch-Paare entstehen. Dies erhöht die Anzahl der freien Ladungsträger, was den elektrischen Widerstand des Materials proportional zur Lichtintensität senkt. Im Dunkeln ist der Widerstand hoch (typischerweise Megaohm), während er bei Beleuchtung deutlich abfällt (auf Kiloohm oder weniger). Diese Widerstandsänderung wird von einer Schaltung gemessen, um ein Ausgangssignal zu erzeugen.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Fotowiderstand, auch als Fotowiderstand oder lichtabhängiger Widerstand (LDR) bekannt, ist ein passives Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand mit zunehmender einfallender Lichtintensität abnimmt. Er arbeitet nach dem Prinzip der Photoleitfähigkeit, bei der Photonen mit ausreichender Energie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anregen, wodurch die Anzahl der Ladungsträger erhöht und der Widerstand verringert wird. In industriellen Fotozellensensoren dient er als primäres Erfassungselement zur Erkennung von Anwesenheit, Position oder Lichtpegeln in automatisierten Systemen.

Das Arbeitsprinzip basiert auf der Photoleitfähigkeit. Wenn Photonen auf das Halbleitermaterial (typischerweise Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid) treffen, liefern sie genügend Energie, um Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband anzuregen, wodurch Elektron-Loch-Paare entstehen. Dies erhöht die Anzahl der freien Ladungsträger, was den elektrischen Widerstand des Materials proportional zur Lichtintensität senkt. Im Dunkeln ist der Widerstand hoch (typischerweise Megaohm), während er bei Beleuchtung deutlich abfällt (auf Kiloohm oder weniger). Diese Widerstandsänderung wird von einer Schaltung gemessen, um ein Ausgangssignal zu erzeugen.
Funktionsprinzip
Basiert auf dem photoelektrischen Effekt. Wenn Photonen auf das Halbleitermaterial (typischerweise Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid) treffen, liefern sie genug Energie, um Elektronen vom Valenzband ins Leitungsband anzuregen und Elektron-Loch-Paare zu erzeugen. Dies erhöht die Anzahl freier Ladungsträger und senkt den elektrischen Widerstand des Materials proportional zur Lichtintensität. Im Dunkeln ist der Widerstand hoch (typisch Megaohm), unter Beleuchtung sinkt er deutlich (auf Kiloohm oder weniger). Eine Schaltung misst diese Widerstandsänderung und erzeugt ein Ausgangssignal.
Materialien
Cadmiumsulfid (CdS) oder Cadmiumselenid (CdSe) Halbleiterauf einem Keramiksubstrat abgeschiedenmit Metallelektroden (oft Silber oder Gold) in Kammformum die Oberfläche zu maximieren. Zum Schutz vor Umwelteinflüssen in Epoxidharz oder Glas eingekapselt.
Nennleistung
100-200mW
Ansprechzeit
10-100ms
Nennspannung
100-300V DC
Dunkelwiderstand
1-10MΩ
Hellwiderstand
100-1000Ω
Spektralbereich
400-700nm
Betriebstemperatur
-30 bis +70°C
Normen
ISO 9001IEC 60747-5-2

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotowiderstand.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Längere Einwirkung von Licht hoher Intensität->Permanente Empfindlichkeitsminderung oder erhöhter Dunkelwiderstand->Verwendung innerhalb der spezifizierten Lichtintensitätsbereiche; Einbau von optischen Filtern oder Tastverhältnis-Steuerung in Schaltungen
Feuchtigkeitseintritt oder Kontamination->Instabile Widerstandswerte oder Kurzschlüsse->Geeignete Verkapselung; Verwendung in kontrollierten Umgebungen; regelmäßige Wartungsprüfungen

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

Montage- und Anwendungskompatibilität
Dieses Fotowiderstandselement ist kompatibel mit gängigen Fotozellen-Sensoren, Belichtungsmessern und automatischen Beleuchtungssteuerungen. Vor der Bestellung prüfen Sie bitte Widerstandsbereich, Ansprechzeit und Gehäuseabmessungen auf Ihre Anwendung.
Engineering-Risiken
  • Empfindlichkeitsabnahme im Laufe der Zeit
  • Langsame Ansprechzeit im Vergleich zu Fotodioden
  • Nichtlineare Widerstands-Licht-Beziehung
  • Cadmiumgehalt erfordert RoHS-konforme Handhabung

Konformität und Prüfung

Toleranz
±20% Widerstandsabweichung unter Standardtestbedingungen (z.B. 10 Lux, 25°C)
Prüfverfahren
IEC 60747-5-2 für fotoelektrische Bauelemente; Widerstandsmessung mit Multimeter unter kontrollierter Lichteinwirkung mit kalibrierten Lichtquellen

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

Wie hoch ist die typische Lebensdauer eines Fotowiderstands im industriellen Einsatz?

Typischerweise 50.000 bis 100.000 Stunden unter normalen Betriebsbedingungen, aber bei hoher Lichtintensität oder extremen Temperaturen kann die Degradation aufgrund von Materialermüdung schneller erfolgen.

Wie beeinflusst die Temperatur die Leistung eines Fotowiderstands?

Temperaturerhöhungen können den Dunkelwiderstand verringern und die Ansprechcharakteristik verändern; die meisten industriellen Bauelemente enthalten Kompensationsschaltungen oder sind für stabilen Betrieb im Bereich -30°C bis +70°C spezifiziert.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotowiderstand

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Vorherige Komponente
Fototransistor/Fotodiode
Nächste Komponente
Frame-Synchronisationslogik
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTORESISTIVE_ELEMENT
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