Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fototransistor

Ein Fototransistor ist ein bipolarer oder Feldeffekttransistor mit lichtempfindlichem Basis- oder Gate-Bereich.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fototransistor wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Fototransistor ist ein bipolarer Transistor (BJT) oder Feldeffekttransistor (FET) mit einem lichtempfindlichen Basis- oder Gate-Bereich. Er funktioniert, indem er bei Lichteinfall Elektron-Loch-Paare erzeugt, die den Stromfluss des Transistors modulieren. In Optokopplern dient er als Empfängerkomponente, die Licht von einer LED oder einem Lasersender erfasst, um eine elektrische Isolierung zwischen Schaltkreisen zu gewährleisten. Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören spektrale Empfindlichkeit (typischerweise 400-1100 nm für Silizium), Responsivität, Ansprechzeit und Dunkelstrom. Der Fototransistor arbeitet nach dem photoelektrischen Effekt. Wenn Photonen auf den Basis-Kollektor-Übergang treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Basisstrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Dieser Strom wird durch die Verstärkung des Transistors (β) verstärkt, wodurch ein größerer Kollektor-Emitter-Strom entsteht. In Optokopplern überquert Licht von einem Emitter (z. B. Infrarot-LED) eine Isolationsbarriere und aktiviert den Fototransistor, wodurch Signale ohne elektrischen Kontakt übertragen werden.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Fototransistor ist ein bipolarer Transistor (BJT) oder Feldeffekttransistor (FET) mit einem lichtempfindlichen Basis- oder Gate-Bereich. Er funktioniert, indem er bei Lichteinfall Elektron-Loch-Paare erzeugt, die den Stromfluss des Transistors modulieren. In Optokopplern dient er als Empfängerkomponente, die Licht von einer LED oder einem Lasersender erfasst, um eine elektrische Isolierung zwischen Schaltkreisen zu gewährleisten. Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören spektrale Empfindlichkeit (typischerweise 400-1100 nm für Silizium), Responsivität, Ansprechzeit und Dunkelstrom.

Der Fototransistor arbeitet nach dem photoelektrischen Effekt. Wenn Photonen auf den Basis-Kollektor-Übergang treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Basisstrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Dieser Strom wird durch die Verstärkung des Transistors (β) verstärkt, wodurch ein größerer Kollektor-Emitter-Strom entsteht. In Optokopplern überquert Licht von einem Emitter (z. B. Infrarot-LED) eine Isolationsbarriere und aktiviert den Fototransistor, wodurch Signale ohne elektrischen Kontakt übertragen werden.
Funktionsprinzip
The phototransistor works on the photoelectric effect. When photons strike the base-collector junction, they generate electron-hole pairs, creating a base current proportional to light intensity. This current is amplified by the transistor's gain (β), producing a larger collector-emitter current. In optical couplers, light from an emitter (e.g., infrared LED) crosses an isolation barrier and activates the phototransistor, transmitting signals without electrical contact.
Materialien
Typischerweise aus Silizium (Si) für die Detektion von sichtbarem bis nahem Infrarotlicht oder Germanium (Ge) für längere Wellenlängen. Gehäusematerialien umfassen Epoxidharz (schwarz zur Lichtblockierung) oder Keramik für Hochtemperaturanwendungen. Leadframes bestehen oft aus Kupferlegierung mit Zinnbeschichtung.
Dark Current
10-100 nA
Responsivity
0.5-0.8 A/W at 850 nm
Response Time
2-10 μs
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Isolation Voltage
2500-5000 Vrms
Current Transfer Ratio (CTR)
20-600%
Collector Emitter Voltage (Vceo)
30-70 V
Normen
ISO 9001IEC 60747-5-5JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fototransistor.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

LED emitter degradation in the optical coupler->Reduced CTR leading to signal loss or circuit malfunction->Use high-reliability LEDs, implement burn-in testing, and design circuits with CTR margin
ESD exposure during installation->Permanent damage to the phototransistor junction, causing open or short circuits->Follow ESD protection protocols (e.g., grounded workstations, antistatic packaging)
High ambient temperature->Increased dark current and reduced sensitivity, leading to signal errors->Select components rated for operational temperature range, add heat sinks or cooling

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Degradation of CTR over time due to LED aging
1
Temperature sensitivity affecting performance
2
Potential for saturation at high light levels
3
Electrostatic discharge (ESD) damage during handling

Konformität und Prüfung

tolerance
CTR tolerance typically ±20% to ±50% depending on grade; response time within ±10% of spec
test method
Testing per IEC 60747-5-5 for optoelectronic devices, including CTR measurement (input current vs. output current), isolation voltage test (hipot), and spectral response analysis

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between a phototransistor and a photodiode?

A phototransistor provides internal gain (amplification) due to its transistor structure, offering higher sensitivity but slower response than a photodiode, which has no gain but faster speed.

How does a phototransistor ensure electrical isolation in optical couplers?

It uses light as the signal medium across a transparent isolation barrier (e.g., air or dielectric), preventing direct electrical connection and allowing high-voltage isolation between input and output circuits.

What factors affect the Current Transfer Ratio (CTR) of a phototransistor in couplers?

CTR depends on LED efficiency, phototransistor responsivity, alignment, aging (degradation over time), and temperature, typically decreasing with higher temperatures or prolonged use.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTOTRANSISTOR