Strukturierte Komponentendaten · 2026

Aktives Element

Das aktive Element ist die zentrale Sensorkomponente in einem Infrarotdetektor, die direkt mit Infrarotstrahlung interagiert.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Aktives Element wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Das aktive Element ist die zentrale Sensorkomponente in einem Infrarotdetektor, die direkt mit Infrarotstrahlung interagiert. Es funktioniert durch Absorption von Infrarotphotonen, die über photoleitende, photovoltaische oder thermoelektrische Mechanismen messbare elektrische Signale erzeugen. Diese Komponente bestimmt die wichtigsten Detektorparameter wie spektrale Empfindlichkeit, Sensitivität, Ansprechzeit und Rauscheigenschaften. Funktioniert nach Quanten- oder thermischen Detektionsprinzipien. In Quantendetektoren (Fotodioden, Fotoleiter) regen Infrarotphotonen Ladungsträger in Halbleitermaterialien an, wodurch sich die elektrische Leitfähigkeit ändert oder eine Spannung erzeugt wird. In thermischen Detektoren (Mikrobolometer, Thermosäulen) erwärmt die absorbierte Strahlung das Element, wodurch sich sein elektrischer Widerstand ändert (Bolometer) oder eine thermoelektrische Spannung erzeugt wird (Thermosäule).

Komponentenspezifikationen

Definition
Das aktive Element ist die zentrale Sensorkomponente in einem Infrarotdetektor, die direkt mit Infrarotstrahlung interagiert. Es funktioniert durch Absorption von Infrarotphotonen, die über photoleitende, photovoltaische oder thermoelektrische Mechanismen messbare elektrische Signale erzeugen. Diese Komponente bestimmt die wichtigsten Detektorparameter wie spektrale Empfindlichkeit, Sensitivität, Ansprechzeit und Rauscheigenschaften.

Funktioniert nach Quanten- oder thermischen Detektionsprinzipien. In Quantendetektoren (Fotodioden, Fotoleiter) regen Infrarotphotonen Ladungsträger in Halbleitermaterialien an, wodurch sich die elektrische Leitfähigkeit ändert oder eine Spannung erzeugt wird. In thermischen Detektoren (Mikrobolometer, Thermosäulen) erwärmt die absorbierte Strahlung das Element, wodurch sich sein elektrischer Widerstand ändert (Bolometer) oder eine thermoelektrische Spannung erzeugt wird (Thermosäule).
Funktionsprinzip
Operates based on quantum or thermal detection principles. In quantum detectors (photodiodes, photoconductors), infrared photons excite charge carriers in semiconductor materials, changing electrical conductivity or generating voltage. In thermal detectors (microbolometers, thermopiles), absorbed radiation heats the element, altering its electrical resistance (bolometer) or generating thermoelectric voltage (thermopile).
Materialien
Halbleitermaterialien: Quecksilber-Cadmium-Tellurid (MCT)Indiumantimonid (InSb)Bleiselenid (PbSe)SiliziumGermanium. Thermische Materialien: Vanadiumoxid (VOx)Amorphes Silizium (a-Si)Wismuttellurid (Bi2Te3). Substrate: SiliziumGermaniumZinkselenid.
Active Area
0.01-100 mm²
Responsivity
1-10 A/W
Response Time
1 ns-10 ms
Spectral Range
1-14 μm
Detectivity (D*)
10^8-10^11 Jones
Einsatztemperatur
77-300 K (cooled), 200-350 K (uncooled)
Noise Equivalent Power
10^-10-10^-12 W/√Hz
Normen
ISO 18526-1ISO 18434-1DIN 54190-1DIN 54190-2

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Aktives Element.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Thermal stress during rapid temperature cycling->Cracking of semiconductor material or delamination of thin films->Implement controlled cooling/heating rates, use stress-relieved packaging designs, apply protective coatings
Electrostatic discharge during handling or operation->Permanent damage to sensitive semiconductor junctions->Implement ESD protection circuits, use proper grounding procedures, apply conductive coatings
Contamination from outgassing or environmental particles->Increased dark current and reduced signal-to-noise ratio->Hermetic sealing, getter materials, cleanroom assembly, regular maintenance cleaning

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal shock during cooling cycles
1
Electrostatic discharge damage
2
Optical contamination reducing sensitivity
3
Material degradation at high temperatures
4
Delamination of thin-film structures

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% responsivity variation, ±2% spectral response shift, <10% non-uniformity across array
test method
Blackbody calibration, spectral response measurement, noise equivalent temperature difference (NETD) testing, modulation transfer function (MTF) analysis

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between cooled and uncooled active elements?

Cooled elements (MCT, InSb) operate at cryogenic temperatures (77-200K) for higher sensitivity in mid-wave and long-wave IR. Uncooled elements (VOx microbolometers) operate at room temperature with lower sensitivity but simpler cooling requirements.

How does active element material affect infrared detector performance?

Material determines spectral response range, quantum efficiency, response time, and operating temperature. MCT offers tunable spectral response, InSb provides high sensitivity in MWIR, while VOx microbolometers enable room-temperature LWIR imaging.

What are common failure modes of infrared detector active elements?

Degradation from thermal cycling, delamination of thin films, contamination-induced dark current increase, electrostatic discharge damage, and material degradation at high operating temperatures.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Aktives Element

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde empfangen.

Fertigung für Aktives Element?

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Vorherige Komponente
Aktives Bauelement (Transistor/IC)
Naechste Komponente
Aktives Verstärkungselement
URN:CNFX:ME:UNIT:ACTIVE_ELEMENT