Strukturierte Komponentendaten · 2026

Bandgap-Kern

Der Bandgap-Kern ist eine grundlegende elektronische Komponente in Spannungsreferenzschaltungen, die die temperaturabhängigen Eigenschaften von Halbleiterübergängen nutzt, um eine stabile Referenzspannung zu erzeugen.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Bandgap-Kern wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Der Bandgap-Kern ist eine grundlegende elektronische Komponente in Spannungsreferenzschaltungen, die die temperaturabhängigen Eigenschaften von Halbleiterübergängen nutzt, um eine stabile Referenzspannung zu erzeugen. Er kombiniert den negativen Temperaturkoeffizienten einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode mit dem positiven Temperaturkoeffizienten der thermischen Spannung (kT/q), um eine nahezu verschwindende Temperaturdrift zu erreichen. Diese Komponente ist unerlässlich für präzise Analog-Digital-Wandler, Spannungsregler und Sensor-Schnittstellen, bei denen stabile Referenzspannungen für eine genaue Signalverarbeitung und Messung entscheidend sind. Der Bandgap-Kern arbeitet nach dem Prinzip der Kompensation zweier entgegengesetzter Temperaturkoeffizienten: des negativen Temperaturkoeffizienten einer in Durchlassrichtung betriebenen p-n-Übergangsdiode (ca. -2 mV/°C) und des positiven Temperaturkoeffizienten der thermischen Spannung VT = kT/q (ca. +0,085 mV/°C). Durch geeignete Skalierung und Summierung dieser Spannungen, typischerweise über Operationsverstärkerschaltungen und Widerstandsnetzwerke, wird eine Referenzspannung (typischerweise 1,25 V) erzeugt, die über Temperaturschwankungen nahezu konstant bleibt. Fortgeschrittene Implementierungen verwenden Krümmungskorrekturtechniken und Trimmung, um Temperaturkoeffizienten unter 10 ppm/°C zu erreichen.

Komponentenspezifikationen

Definition
Der Bandgap-Kern ist eine grundlegende elektronische Komponente in Spannungsreferenzschaltungen, die die temperaturabhängigen Eigenschaften von Halbleiterübergängen nutzt, um eine stabile Referenzspannung zu erzeugen. Er kombiniert den negativen Temperaturkoeffizienten einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode mit dem positiven Temperaturkoeffizienten der thermischen Spannung (kT/q), um eine nahezu verschwindende Temperaturdrift zu erreichen. Diese Komponente ist unerlässlich für präzise Analog-Digital-Wandler, Spannungsregler und Sensor-Schnittstellen, bei denen stabile Referenzspannungen für eine genaue Signalverarbeitung und Messung entscheidend sind.

Der Bandgap-Kern arbeitet nach dem Prinzip der Kompensation zweier entgegengesetzter Temperaturkoeffizienten: des negativen Temperaturkoeffizienten einer in Durchlassrichtung betriebenen p-n-Übergangsdiode (ca. -2 mV/°C) und des positiven Temperaturkoeffizienten der thermischen Spannung VT = kT/q (ca. +0,085 mV/°C). Durch geeignete Skalierung und Summierung dieser Spannungen, typischerweise über Operationsverstärkerschaltungen und Widerstandsnetzwerke, wird eine Referenzspannung (typischerweise 1,25 V) erzeugt, die über Temperaturschwankungen nahezu konstant bleibt. Fortgeschrittene Implementierungen verwenden Krümmungskorrekturtechniken und Trimmung, um Temperaturkoeffizienten unter 10 ppm/°C zu erreichen.
Funktionsprinzip
The Bandgap Core operates on the principle of compensating two opposing temperature coefficients: the negative temperature coefficient of a forward-biased p-n junction diode (approximately -2 mV/°C) and the positive temperature coefficient of the thermal voltage VT = kT/q (approximately +0.085 mV/°C). By properly scaling and summing these voltages, typically through operational amplifier circuits and resistor networks, it produces a reference voltage (typically 1.25V) that remains nearly constant across temperature variations. Advanced implementations use curvature correction techniques and trimming to achieve temperature coefficients below 10 ppm/°C.
Materialien
Silizium-Halbleitersubstrat (typischerweise p- oder n-dotiert)Siliziumdioxid-IsolationsschichtenPolysilizium-WiderständeAluminium- oder Kupfer-MetallisierungsschichtenPassivierungsschichten (Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid) und Bondpads (Gold oder Aluminium).
Noise Voltage
10 μVrms to 100 μVrms (0.1Hz to 10Hz)
Output Voltage
1.25V ± 0.5%
Line Regulation
0.05%/V typical
Load Regulation
0.1% typical
Initial Accuracy
± 0.1% to ± 1%
Quiescent Current
50 μA to 500 μA
Long Term Stability
< 50 ppm/1000 hours
Supply Voltage Range
2.7V to 5.5V
Einsatztemperatur
< 50 ppm/°C
Einsatztemperatur
-40°C to +125°C
Normen
ISO 9001IEC 60747JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Bandgap-Kern.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Process variations in resistor matching->Output voltage accuracy degradation->Implement laser trimming or digital calibration during production
Temperature gradient across die->Increased temperature coefficient->Use symmetrical layout and thermal isolation structures
Electromigration in metal interconnects->Long-term output voltage drift->Follow design rules for current density and use redundant vias

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Temperature drift beyond specifications
1
Long-term output voltage drift
2
Noise injection from power supply
3
Electrostatic discharge damage
4
Package stress-induced parameter shift

Konformität und Prüfung

tolerance
±0.1% initial accuracy, ±50 ppm/°C temperature coefficient
test method
Four-point Kelvin measurement at multiple temperature points (-40°C, 25°C, 85°C, 125°C) with controlled thermal chamber, using precision digital multimeters with traceable calibration

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the main advantage of Bandgap Core over other voltage reference types?

Bandgap Core provides excellent temperature stability with relatively simple implementation, achieving temperature coefficients as low as 1-10 ppm/°C without requiring complex temperature compensation circuits or external components.

Can Bandgap Core operate at low supply voltages?

Modern Bandgap Core designs can operate down to 1.8V supply voltage, though traditional designs typically require 2.5V or higher. Low-voltage operation requires specialized circuit topologies and may compromise some performance parameters.

How does Bandgap Core achieve temperature independence?

It combines the negative temperature coefficient of a forward-biased diode (approximately -2 mV/°C) with the positive temperature coefficient of thermal voltage (approximately +0.085 mV/°C) through precise scaling and summation, resulting in a composite voltage with near-zero temperature dependence.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Bandgap-Kern

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Fertigung für Bandgap-Kern?

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Herstellerprofil anlegen Kontakt
Vorherige Komponente
Balancing-MOSFETs
Naechste Komponente
Bandpassfilter-Elemente
URN:CNFX:ME:UNIT:BANDGAP_CORE