Strukturierte Komponentendaten · 2026

High-Side- und Low-Side-MOSFETs

High-Side- und Low-Side-MOSFETs sind paarweise angeordnete Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, die in synchronen Abwärtswandlern in Spannungsreglermodulen (VRMs) verwendet werden.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches High-Side- und Low-Side-MOSFETs wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

High-Side- und Low-Side-MOSFETs sind paarweise angeordnete Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, die in synchronen Abwärtswandlern in Spannungsreglermodulen (VRMs) verwendet werden. Der High-Side-MOSFET (Steuer-FET) schaltet die Eingangsspannung auf die Induktivität, während der Low-Side-MOSFET (Sync-FET) während der Ausschaltzyklen einen Pfad für den Induktorstrom bereitstellt, wodurch eine effiziente DC-DC-Spannungswandlung mit minimalem Leistungsverlust ermöglicht wird. In einem synchronen Abwärtswandler eines VRM schaltet der High-Side-MOSFET ein, um die Eingangsspannung an die Induktivität anzulegen und Energie zu speichern. Wenn er ausschaltet, leitet der Low-Side-MOSFET, sodass der Induktorstrom frei weiterfließen kann und die Ausgangsspannung aufrechterhalten wird. Sie arbeiten in komplementären PWM-Zyklen mit Totzeitsteuerung, um Durchschaltströme zu verhindern.

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Komponentenspezifikationen

Definition
High-Side- und Low-Side-MOSFETs sind paarweise angeordnete Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, die in synchronen Abwärtswandlern in Spannungsreglermodulen (VRMs) verwendet werden. Der High-Side-MOSFET (Steuer-FET) schaltet die Eingangsspannung auf die Induktivität, während der Low-Side-MOSFET (Sync-FET) während der Ausschaltzyklen einen Pfad für den Induktorstrom bereitstellt, wodurch eine effiziente DC-DC-Spannungswandlung mit minimalem Leistungsverlust ermöglicht wird.

In einem synchronen Abwärtswandler eines VRM schaltet der High-Side-MOSFET ein, um die Eingangsspannung an die Induktivität anzulegen und Energie zu speichern. Wenn er ausschaltet, leitet der Low-Side-MOSFET, sodass der Induktorstrom frei weiterfließen kann und die Ausgangsspannung aufrechterhalten wird. Sie arbeiten in komplementären PWM-Zyklen mit Totzeitsteuerung, um Durchschaltströme zu verhindern.
Funktionsprinzip
In a VRM's synchronous buck converter, the high-side MOSFET turns on to apply input voltage to the inductor, storing energy. When it turns off, the low-side MOSFET conducts, allowing inductor current to freewheel, maintaining output voltage. They operate in complementary PWM cycles, with dead-time control to prevent shoot-through currents.
Materialien
Silizium (Si) oder Breitbandmaterialien wie Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) für HochfrequenzanwendungenKupfer- oder Aluminium-BonddrähteEpoxidharz-Vergussmasse-Gehäuse.
Package
PowerPAK, SO-8, D2PAK, QFN
Rds(on)
1mΩ to 10mΩ
Current Rating
30A to 100A
Voltage Rating
20V to 100V
Gate Charge (Qg)
10nC to 100nC
Switching Frequency
100kHz to 2MHz
Normen
ISO 9001JEDEC JESD22AEC-Q101

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für High-Side- und Low-Side-MOSFETs.

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Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

Spannungsreglermodul (VRM)
Ein Leistungsregelungsbauteil, das die Eingangsspannung umwandelt und auf die präzisen Spannungspegel stabilisiert, die von GPU-Kernen und Speicher benötigt werden.
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FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive junction temperature->MOSFET thermal shutdown or permanent damage->Implement thermal monitoring, use adequate heatsinks, and ensure proper airflow in the system.
Voltage transients from inductive loads->Gate-source overvoltage leading to breakdown->Add snubber circuits, use MOSFETs with higher Vgs ratings, and incorporate TVS diodes.
Insufficient dead-time in PWM control->Shoot-through current causing high power dissipation->Optimize dead-time in the controller IC, use gate drivers with adjustable timing.

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

Kompatibel mit
VRM circuits in motherboards, GPUs, servers, and power supplies
Austauschteile
Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Texas Instruments, Vishay
0
Thermal runaway due to poor heatsinking
1
Gate oxide breakdown from voltage spikes
2
Shoot-through current if dead-time is insufficient
3
Electromigration at high temperatures

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% for voltage regulation, ±10% for current handling under specified conditions
test method
Dynamic load testing, thermal cycling per JESD22-A104, electrical characterization with curve tracers and oscilloscopes

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

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Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Aktive(r) Bauelement(e) (Transistor)
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das den Strom- oder Spannungsfluss reguliert und als Schalter oder Verstärker für elektronische Signale in spannungsgesteuerten Oszillatoren (VCOs) fungiert.

Häufige Fragen

What is the difference between high-side and low-side MOSFETs in a VRM?

The high-side MOSFET switches the input voltage to the inductor, while the low-side MOSFET provides a current path during the off-cycle, reducing conduction losses and improving efficiency.

Why are MOSFETs used in pairs in VRMs?

Paired MOSFETs enable synchronous rectification, where the low-side MOSFET replaces a diode, lowering voltage drop and power loss, especially at high currents.

What are key parameters when selecting these MOSFETs?

Critical specs include Rds(on) for conduction loss, gate charge for switching speed, voltage/current ratings, and thermal resistance for heat dissipation.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
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URN:CNFX:ME:UNIT:HIGH_SIDE_LOW_SIDE_MOSFETS