Strukturierte Komponentendaten · 2026

Laserdiodenchip

Ein Laserdiodenchip ist ein Halbleiterbauelement, das durch stimulierte Emission kohärentes, monochromatisches Licht erzeugt, wenn es elektrisch gepumpt wird.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Laserdiodenchip wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Laserdiodenchip ist ein Halbleiterbauelement, das durch stimulierte Emission kohärentes, monochromatisches Licht erzeugt, wenn es elektrisch gepumpt wird. Es besteht aus einem p-n-Übergang, der in einem direkten Bandgap-Halbleitermaterial (typischerweise auf Galliumarsenid- oder Indiumphosphid-Basis) gebildet wird, wobei gespaltene oder geätzte Facetten einen optischen Resonator bilden. Der Chip erzeugt Laseremission durch Besetzungsinversion im aktiven Bereich, wobei die Wellenlängen je nach Materialzusammensetzung und Quantentopfstrukturen von ultraviolett bis infrarot reichen. Die Injektion von elektrischem Strom erzeugt Elektron-Loch-Paare im aktiven Bereich und erreicht eine Besetzungsinversion. Durch spontane Emission erzeugte Photonen stimulieren weitere Emission im resonanten Hohlraum, der durch reflektierende Facetten gebildet wird, und erzeugen so eine kohärente Lichtverstärkung durch positive Rückkopplung. Die Ausgangswellenlänge wird durch die Bandlückenenergie der Halbleitermaterialien und Quanteneinschlusseffekte bestimmt.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Laserdiodenchip ist ein Halbleiterbauelement, das durch stimulierte Emission kohärentes, monochromatisches Licht erzeugt, wenn es elektrisch gepumpt wird. Es besteht aus einem p-n-Übergang, der in einem direkten Bandgap-Halbleitermaterial (typischerweise auf Galliumarsenid- oder Indiumphosphid-Basis) gebildet wird, wobei gespaltene oder geätzte Facetten einen optischen Resonator bilden. Der Chip erzeugt Laseremission durch Besetzungsinversion im aktiven Bereich, wobei die Wellenlängen je nach Materialzusammensetzung und Quantentopfstrukturen von ultraviolett bis infrarot reichen.

Die Injektion von elektrischem Strom erzeugt Elektron-Loch-Paare im aktiven Bereich und erreicht eine Besetzungsinversion. Durch spontane Emission erzeugte Photonen stimulieren weitere Emission im resonanten Hohlraum, der durch reflektierende Facetten gebildet wird, und erzeugen so eine kohärente Lichtverstärkung durch positive Rückkopplung. Die Ausgangswellenlänge wird durch die Bandlückenenergie der Halbleitermaterialien und Quanteneinschlusseffekte bestimmt.
Funktionsprinzip
Electrical current injection creates electron-hole pairs in the active region, achieving population inversion. Photons generated through spontaneous emission stimulate further emission in the resonant cavity formed by reflective facets, producing coherent light amplification through positive feedback. The output wavelength is determined by the bandgap energy of the semiconductor materials and quantum confinement effects.
Materialien
Galliumarsenid (GaAs)Indiumphosphid (InP)Galliumnitrid (GaN)-Substrate mit Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs)Indiumgalliumarsenidphosphid (InGaAsP) oder Indiumgalliumnitrid (InGaN)-Epitaxieschichten. Gold- oder Aluminiummetallisierung für elektrische Kontakte.
Wavelength
405-1650 nm
Output Power
1 mW - 10 W
Package Type
TO-can, butterfly, coaxial
Spectral Width
0.1-5 nm
Beam Divergence
10-40 degrees
Operating Voltage
1.5-3.0 V
Threshold Current
10-100 mA
Einsatztemperatur
-40°C to +85°C
Normen
ISO 11145ISO 11554IEC 60825JIS C 6802

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Laserdiodenchip.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive drive current->Catastrophic optical damage at facet->Implement current limiting circuits and temperature monitoring with automatic shutdown
Electrostatic discharge during handling->Immediate or latent junction damage->ESD-protected workstations, proper grounding, and antistatic packaging
Poor thermal management->Thermal runaway and accelerated degradation->Optimize heat sink design, use thermal interface materials, and monitor junction temperature

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Electrostatic discharge damage
1
Thermal runaway
2
Catastrophic optical damage
3
Wavelength drift with temperature
4
Output power degradation over time

Konformität und Prüfung

tolerance
Wavelength tolerance ±3 nm, output power tolerance ±10%, beam divergence tolerance ±2 degrees
test method
L-I-V characterization (light-current-voltage), spectral analysis, far-field pattern measurement, accelerated life testing per Telcordia GR-468

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between a laser diode chip and an LED chip?

Laser diode chips produce coherent, directional light through stimulated emission in a resonant cavity, while LED chips produce incoherent, omnidirectional light through spontaneous emission without optical feedback.

How long do laser diode chips typically last?

Operating lifetimes range from 10,000 to 100,000 hours depending on operating conditions, with gradual output power degradation rather than sudden failure in most applications.

What causes laser diode chip failure?

Primary failure mechanisms include catastrophic optical damage (COD) from facet overheating, electrostatic discharge (ESD) damage, solder joint fatigue, and gradual degradation of the active region materials.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Laserdiodenchip

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Laserdiode/Kristall
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Lastwiderstände
URN:CNFX:ME:UNIT:LASER_DIODE_CHIP