Strukturierte Komponentendaten · 2026

LED/Infrarot-Emitter

Der LED/Infrarot-Emitter ist eine kritische optoelektronische Komponente in Optokopplern, die elektrische Signale in optische Signale (sichtbares Licht oder Infrarot) umwandelt, um eine galvanische Trennung zwischen Schaltkreisen zu ermöglichen.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches LED/Infrarot-Emitter wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Der LED/Infrarot-Emitter ist eine kritische optoelektronische Komponente in Optokopplern, die elektrische Signale in optische Signale (sichtbares Licht oder Infrarot) umwandelt, um eine galvanische Trennung zwischen Schaltkreisen zu ermöglichen. Er besteht aus einem Halbleiterchip (typischerweise Galliumarsenid, Galliumaluminiumarsenid oder ähnlichen Materialien), der in einem reflektierenden Hohlraum mit Vergussmasse montiert ist. Bei Durchlassspannung rekombinieren Elektronen und Löcher im Halbleiter und emittieren Photonen bei spezifischen Wellenlängen (z. B. 850-950 nm für Infrarot). Diese Komponente gewährleistet Störfestigkeit, Hochspannungsisolierung und zuverlässige Signalübertragung in industriellen Umgebungen, mit Anwendungen von Motorsteuerungen bis zu Kommunikationsschnittstellen. Der LED/Infrarot-Emitter arbeitet nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, rekombinieren Elektronen aus der n-Region mit Löchern aus der p-Region und geben Energie in Form von Photonen ab. Die Wellenlänge hängt von der Bandlücke des Halbleiters ab (z. B. verwenden Infrarot-Emitter Materialien wie GaAs). In Optokopplern koppelt diese optische Ausgabe an einen Fotodetektor (z. B. Fototransistor) und überträgt Signale ohne elektrische Verbindung, wodurch eine Isolierung bis zu mehreren Kilovolt erreicht wird.

Komponentenspezifikationen

Definition
Der LED/Infrarot-Emitter ist eine kritische optoelektronische Komponente in Optokopplern, die elektrische Signale in optische Signale (sichtbares Licht oder Infrarot) umwandelt, um eine galvanische Trennung zwischen Schaltkreisen zu ermöglichen. Er besteht aus einem Halbleiterchip (typischerweise Galliumarsenid, Galliumaluminiumarsenid oder ähnlichen Materialien), der in einem reflektierenden Hohlraum mit Vergussmasse montiert ist. Bei Durchlassspannung rekombinieren Elektronen und Löcher im Halbleiter und emittieren Photonen bei spezifischen Wellenlängen (z. B. 850-950 nm für Infrarot). Diese Komponente gewährleistet Störfestigkeit, Hochspannungsisolierung und zuverlässige Signalübertragung in industriellen Umgebungen, mit Anwendungen von Motorsteuerungen bis zu Kommunikationsschnittstellen.

Der LED/Infrarot-Emitter arbeitet nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, rekombinieren Elektronen aus der n-Region mit Löchern aus der p-Region und geben Energie in Form von Photonen ab. Die Wellenlänge hängt von der Bandlücke des Halbleiters ab (z. B. verwenden Infrarot-Emitter Materialien wie GaAs). In Optokopplern koppelt diese optische Ausgabe an einen Fotodetektor (z. B. Fototransistor) und überträgt Signale ohne elektrische Verbindung, wodurch eine Isolierung bis zu mehreren Kilovolt erreicht wird.
Funktionsprinzip
The LED/Infrared Emitter operates on electroluminescence. When a forward voltage is applied across the p-n junction, electrons from the n-region recombine with holes from the p-region, releasing energy as photons. The wavelength depends on the semiconductor bandgap (e.g., infrared emitters use materials like GaAs). In opto-isolators, this optical output couples to a photodetector (e.g., phototransistor), transmitting signals without electrical connection, providing isolation up to several kilovolts.
Materialien
Halbleiter: Galliumarsenid (GaAs)Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs) oder ähnliche III-V-Verbindungen für InfrarotGalliumphosphid (GaP) oder Galliumnitrid (GaN) für sichtbare LEDs. Substrat: Silizium oder Saphir. Vergussmasse: Epoxidharz oder Silikon mit Leuchtstoffbeschichtungen (für sichtbare LEDs). Anschlussdrähte: Kupferlegierung mit Zinn- oder Goldbeschichtung. Reflektor: Aluminium oder silberbeschichtete Keramik.
Wavelength
850-950 nm (Infrared), 400-700 nm (Visible)
Package Type
Through-hole (e.g., 3 mm, 5 mm) or SMD (e.g., 0805, 1206)
Viewing Angle
15-60 degrees
Rise/Fall Time
10-100 ns
Forward Current
10-100 mA
Forward Voltage
1.2-2.2 V
Isolation Voltage
Up to 5 kV
Optical Power Output
1-10 mW
Betriebstemperatur
-40°C to +85°C
Normen
ISO 9001ISO 14001IEC 60747-5-2JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für LED/Infrarot-Emitter.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive forward current or voltage->Catastrophic burnout or reduced optical power->Implement current-limiting resistors, use surge protection circuits, and adhere to datasheet specifications for maximum ratings.
High ambient temperature or poor heat dissipation->Accelerated aging and wavelength drift->Design with adequate thermal management (e.g., heatsinks, ventilation), operate within temperature limits, and select materials with high thermal stability.
Mechanical stress or vibration in industrial environments->Cracked encapsulation or broken leads->Use robust packaging (e.g., conformal coatings), secure mounting, and comply with vibration standards (e.g., IEC 60068-2-6).

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal degradation from overcurrent
1
Wavelength shift due to aging
2
Delamination of encapsulation under humidity
3
Reduced optical output from contamination
4
Electrical overstress from voltage spikes

Konformität und Prüfung

tolerance
Forward voltage: ±0.2 V, Wavelength: ±10 nm, Optical power: ±20%
test method
Electrical testing per IEC 60747-5-2 (forward voltage, current), optical testing (spectroradiometry for wavelength, photometry for power), isolation testing (hipot testing at 5 kV AC for 1 minute), environmental testing (temperature cycling, humidity per IEC 60068-2-78).

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between LED and Infrared Emitters in opto-isolators?

LED emitters produce visible light and are used where visual indication is needed, while infrared emitters (typically 850-950 nm) are common in opto-isolators for higher efficiency, better coupling with silicon photodetectors, and immunity to ambient light interference.

How does an LED/Infrared Emitter ensure electrical isolation?

It converts electrical signals to light, which travels across a dielectric gap (e.g., air or transparent material) to a photodetector, preventing direct electrical contact and providing high-voltage isolation (up to 5 kV) to protect sensitive circuits.

What factors affect the lifespan of an LED/Infrared Emitter?

Key factors include operating current (higher currents reduce lifespan), temperature (excessive heat degrades materials), drive circuit design (e.g., current limiting), and environmental conditions (humidity, contaminants). Typical lifespans range from 50,000 to 100,000 hours.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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URN:CNFX:ME:UNIT:LED_INFRARED_EMITTER