Ein Infrarot-LED-Chip ist ein miniaturisiertes Halbleiterbauelement aus Galliumarsenid (GaAs) oder Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs), das bei Durchlassspannung elektromagnetische Strahlung im Infrarotbereich (typischerweise 850-950 nm Wellenlänge) emittiert.
Ein Infrarot-LED-Chip ist ein miniaturisiertes Halbleiterbauelement, das aus Galliumarsenid (GaAs) oder Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) hergestellt wird und dazu ausgelegt ist, bei Durchlassspannung elektromagnetische Strahlung im Infrarotspektrum (typischerweise 850-950 nm Wellenlänge) zu emittieren. Als Kernlichtquelle in Optokoppler-Baugruppen wandelt er elektrische Signale in optische Signale um, die eine Isolationsbarriere durchqueren, um einen Fotodetektor zu aktivieren, wodurch eine galvanische Trennung zwischen Schaltkreisen ermöglicht wird. Funktioniert nach dem Elektrolumineszenzprinzip: Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, rekombinieren Elektronen und Löcher im aktiven Bereich und geben Energie als Photonen im Infrarotspektrum ab. Die emittierte IR-Lichtintensität ist direkt proportional zum Durchlassstrom.
Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Infrarot-LED-Chip.
Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme
Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
The infrared LED die serves as the light source that converts electrical input signals into infrared optical signals, which then cross an isolation gap to activate a photodetector, providing electrical isolation between circuits while transmitting signals.
Infrared wavelengths (850-950 nm) are used because silicon photodetectors have peak sensitivity in this range, resulting in higher efficiency. Additionally, IR light is invisible, reduces interference from ambient light, and allows for better material compatibility with encapsulation compounds.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
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