Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotodiode

Eine Fotodiode ist ein spezielles Halbleiterbauelement zur Erkennung und Messung von Lichtintensität.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotodiode wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Eine Fotodiode ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das entwickelt wurde, um Lichtintensität zu erkennen und zu messen, indem es einen elektrischen Strom erzeugt, der proportional zum einfallenden Photonenfluss ist. Sie arbeitet in Sperrpolung, um optimale Empfindlichkeit und Ansprechzeit zu erreichen, und verfügt über einen PN-Übergang, der für bestimmte Wellenlängenbereiche von Ultraviolett bis Nahinfrarot optimiert ist. Diese Bauelemente sind mit Antireflexbeschichtungen und präzisen Dotierungsprofilen konstruiert, um die Quanteneffizienz zu maximieren und gleichzeitig Dunkelstrom und Rauscheigenschaften zu minimieren. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone des Halbleiters erzeugen. Bei Sperrpolung werden diese Ladungsträger durch das elektrische Feld abgeführt, wodurch ein Photostrom erzeugt wird, der proportional zur Lichtintensität ist. Die spektrale Empfindlichkeit wird durch die Bandlückenenergie des Halbleiters bestimmt, wobei Siliziumdioden typischerweise Wellenlängen von 400-1100 nm abdecken.

Komponentenspezifikationen

Definition
Eine Fotodiode ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das entwickelt wurde, um Lichtintensität zu erkennen und zu messen, indem es einen elektrischen Strom erzeugt, der proportional zum einfallenden Photonenfluss ist. Sie arbeitet in Sperrpolung, um optimale Empfindlichkeit und Ansprechzeit zu erreichen, und verfügt über einen PN-Übergang, der für bestimmte Wellenlängenbereiche von Ultraviolett bis Nahinfrarot optimiert ist. Diese Bauelemente sind mit Antireflexbeschichtungen und präzisen Dotierungsprofilen konstruiert, um die Quanteneffizienz zu maximieren und gleichzeitig Dunkelstrom und Rauscheigenschaften zu minimieren.

Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone des Halbleiters erzeugen. Bei Sperrpolung werden diese Ladungsträger durch das elektrische Feld abgeführt, wodurch ein Photostrom erzeugt wird, der proportional zur Lichtintensität ist. Die spektrale Empfindlichkeit wird durch die Bandlückenenergie des Halbleiters bestimmt, wobei Siliziumdioden typischerweise Wellenlängen von 400-1100 nm abdecken.
Funktionsprinzip
Operates on the photoelectric effect where incident photons with sufficient energy create electron-hole pairs in the semiconductor depletion region. When reverse-biased, these charge carriers are swept by the electric field, generating a photocurrent proportional to light intensity. The spectral response is determined by the semiconductor bandgap energy, with silicon diodes typically covering 400-1100 nm wavelengths.
Materialien
Silizium (Si) für den sichtbaren/NIR-BereichGermanium (Ge) für InfrarotGalliumarsenid (GaAs) für HochgeschwindigkeitsanwendungenIndiumgalliumarsenid (InGaAs) für erweitertes Infrarot. Gehäusematerialien umfassen KeramikMetall-Glas oder Kunststoffverkapselung mit optischen Fenstern.
Rise Time
1-100 ns
Active Area
0.1-100 mm²
Capacitance
1-100 pF
Dark Current
1-100 nA @ 10V reverse bias
Responsivity
0.5-0.7 A/W @ 900 nm
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Reverse Voltage
10-100 V
Betriebstemperatur
-40°C to +85°C
Normen
ISO 9022-20IEC 60747-5JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodiode.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Exposure to light intensities beyond specified maximum->Saturation and nonlinear response, potential permanent damage to PN junction->Implement optical attenuators, automatic gain control circuits, and intensity monitoring systems
Improper ESD protection during installation->Catastrophic junction breakdown, increased leakage current->ESD-safe handling procedures, integrated protection diodes, proper grounding protocols
Spectral mismatch between light source and diode response->Measurement inaccuracies, reduced signal-to-noise ratio->Precise spectral characterization, matched filter selection, calibration with reference standards

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Saturation from excessive light intensity
1
Thermal runaway at high reverse bias
2
Wavelength mismatch causing measurement errors
3
ESD damage during handling
4
Optical window contamination

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% responsivity variation across production batch, ±2nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5 for photoelectric parameters, MIL-STD-883 for environmental testing, ISO 9022 for optical performance under varying conditions

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between photovoltaic and photoconductive modes?

In photovoltaic mode (zero bias), the diode generates voltage from light. In photoconductive mode (reverse bias), it produces current with faster response and linear output but requires external power.

How does temperature affect photosensitive diode performance?

Temperature increases dark current exponentially (doubling every 10°C) and slightly shifts spectral response. Industrial applications require temperature compensation circuits or thermoelectric cooling for precision measurements.

What are the main noise sources in industrial photodiodes?

Shot noise from photon statistics, Johnson noise from shunt resistance, and 1/f noise at low frequencies. Proper shielding, filtering, and low-noise amplifiers are essential for signal integrity.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotodiode

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde gesendet.
Senden fehlgeschlagen. Bitte erneut versuchen oder schreiben Sie uns an contact@cnfx.com.

Fertigung für Fotodiode?

Herstellerprofile mit passender Bearbeitungs- oder Montagefähigkeit vergleichen.

Herstellerprofil anlegen Kontakt
Vorherige Komponente
Fotodetektor (für Optokoppler)
Nächste Komponente
Fotodiode
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTOSENSITIVE_DIODE