Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotodiode

Eine Fotodiode ist ein spezialisiertes Halbleiterbauelement, das einfallendes Licht durch den photoelektrischen Effekt in einen elektrischen Strom umwandelt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotodiode wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Eine Fotodiode ist ein spezialisiertes Halbleiterbauelement, das dazu dient, einfallendes Licht zu erkennen und durch den photoelektrischen Effekt in einen elektrischen Strom umzuwandeln. In industriellen Anwendungen dient sie als grundlegendes lichtempfindliches Element in Bildsensor-Arrays, das Photonen erfasst und proportionale elektrische Signale zur Verarbeitung erzeugt. Diese Bauelemente sind für eine präzise spektrale Empfindlichkeit, hohe Empfindlichkeit und schnelle Ansprechzeiten ausgelegt, um eine genaue Bilderfassung unter verschiedenen Lichtbedingungen zu gewährleisten. Funktioniert nach dem Prinzip des photoelektrischen Effekts, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial (typischerweise Silizium, Germanium oder InGaAs) treffen und Elektron-Loch-Paare erzeugen. In Sperrrichtung gepolt werden diese Ladungsträger über die Verarmungszone getrieben und erzeugen einen Photostrom, der proportional zur Lichtintensität ist. Der erzeugte Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um digitale Bilddaten zu bilden.

Komponentenspezifikationen

Definition
Eine Fotodiode ist ein spezialisiertes Halbleiterbauelement, das dazu dient, einfallendes Licht zu erkennen und durch den photoelektrischen Effekt in einen elektrischen Strom umzuwandeln. In industriellen Anwendungen dient sie als grundlegendes lichtempfindliches Element in Bildsensor-Arrays, das Photonen erfasst und proportionale elektrische Signale zur Verarbeitung erzeugt. Diese Bauelemente sind für eine präzise spektrale Empfindlichkeit, hohe Empfindlichkeit und schnelle Ansprechzeiten ausgelegt, um eine genaue Bilderfassung unter verschiedenen Lichtbedingungen zu gewährleisten.

Funktioniert nach dem Prinzip des photoelektrischen Effekts, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial (typischerweise Silizium, Germanium oder InGaAs) treffen und Elektron-Loch-Paare erzeugen. In Sperrrichtung gepolt werden diese Ladungsträger über die Verarmungszone getrieben und erzeugen einen Photostrom, der proportional zur Lichtintensität ist. Der erzeugte Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um digitale Bilddaten zu bilden.
Funktionsprinzip
Operates on the principle of the photoelectric effect where incident photons with sufficient energy strike the semiconductor material (typically silicon, germanium, or InGaAs), creating electron-hole pairs. When reverse-biased, these charge carriers are swept across the depletion region, generating a photocurrent proportional to the light intensity. The generated current is then amplified and processed to form digital image data.
Materialien
Halbleitermaterialien: Silizium (Si) für den sichtbaren bis nahen Infrarotbereich (400-1100 nm)Germanium (Ge) für Infrarot (800-1700 nm)Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für erweitertes Infrarot (900-2600 nm). Gehäusematerialien: Keramik- oder Metallgehäuse mit Glas- oder Quarzfenster für den optischen Zugang.
Active Area
0.1-100 mm²
Dark Current
1-100 nA
Responsivity
0.5-0.7 A/W
Response Time
1-100 ns
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Operating Voltage
5-100 V reverse bias
Einsatztemperatur
-40°C to +85°C
Normen
ISO 9022-11IEC 60747-5JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodiode.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Optical window contamination->Reduced light transmission and inaccurate readings->Regular cleaning schedule, protective coatings, sealed housing design
Electrostatic discharge during handling->Permanent semiconductor damage and complete failure->ESD-protected workstations, proper grounding procedures, built-in protection diodes
Thermal expansion mismatch->Mechanical stress leading to cracked die or bond wire failure->CTE-matched materials, stress-relief designs, temperature cycling testing

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Optical surface contamination
1
Electrostatic discharge damage
2
Thermal drift affecting accuracy
3
Saturation from excessive light intensity
4
Spectral mismatch with application

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% responsivity variation across production batch, ±2nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5-2 for optoelectronic devices, calibrated light source measurement, dark current testing at specified temperatures

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between a photodiode and a phototransistor?

Photodiodes generate current proportional to light intensity with faster response times but lower sensitivity, while phototransistors provide current amplification but slower response. Photodiodes are preferred for high-speed imaging applications.

How does temperature affect photodiode performance?

Temperature increases dark current (approximately doubling every 10°C rise) and can shift spectral response. Industrial photodiodes often include temperature compensation circuits or cooling for stable operation.

What maintenance do industrial photodiodes require?

Regular cleaning of optical surfaces, periodic calibration against known light sources, and monitoring of dark current drift. Most industrial photodiodes are sealed units requiring no internal maintenance.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotodiode

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Vorherige Komponente
Fotodiode
Naechste Komponente
Fotodiode (Empfänger)
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE