Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Gasentladungsröhre (GDT)

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Gasentladungsröhre (GDT) im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von DC Überschlagspannung bis Impuls Überschlagspannung eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Gasentladungsröhre (GDT) wird durch die Baugruppe aus Elektroden und Gaskammer beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Ein Schutzbauteil, das durch Gasionisation hohe Spannungsspitzen von empfindlichen elektronischen Schaltungen ableitet.

Technische Definition

Eine Gasentladungsröhre (GDT) ist ein Überspannungsschutzbauteil, das in der Herstellung von elektronischen und optischen Produkten verwendet wird. Es schützt empfindliche Schaltungen vor Überspannungstransienten wie Blitzeinschlägen, induktiven Schaltvorgängen oder elektrostatischen Entladungen. Die GDT funktioniert als spannungsgesteuerter Schalter: Unter normalen Bedingungen bietet sie eine hohe Impedanz, aber wenn die Spannung an ihren Anschlüssen einen bestimmten Durchbruchschwellwert überschreitet, ionisiert das Gas im Inneren und bildet einen niederohmigen Plasmakanal, der den Stoßstrom zur Erde ableitet. Nach dem Abklingen der Transiente und wenn der Strom unter den Haltestrom fällt, deionisiert das Gas und die Röhre kehrt in ihren hochohmigen Zustand zurück, bereit für weitere Ereignisse.

Typische GDTs bestehen aus einem keramischen oder Glasgehäuse mit zwei oder mehr Metallelektroden (oft Kupfer, Nickel oder Wolfram) und einem Edelgasgemisch wie Neon, Argon oder Xenon. Wichtige Parameter sind die Gleichstrom-Überschlagspannung (75–1000 V), die Impuls-Überschlagspannung (600–2500 V), der Nennableitstoßstrom (5–20 kA für eine 8/20 µs Welle), der Isolationswiderstand (≥1000 MΩ bei 100 V DC), die Kapazität (0,5–5 pF bei 1 MHz), der Betriebstemperaturbereich (-40 bis 85 °C), der Lagertemperaturbereich (-55 bis 125 °C), der Gehäusedurchmesser (5–8 mm), die Gehäuselänge (5–10 mm) und das Gewicht (0,5–2 g). Diese Werte sind typische Bereiche; die tatsächlichen Spezifikationen müssen mit dem Hersteller für das spezifische Modell bestätigt werden.

GDTs werden häufig in Leitungsschutzschaltungen für Telekommunikation, Datenleitungen und Netzteile eingesetzt. Sie werden oft mit anderen Schutzbauelementen wie TVS-Dioden oder Varistoren kombiniert, um ein koordiniertes Schutzkonzept zu bieten. Bei der Auswahl einer GDT müssen Ingenieure die Betriebsspannung des Systems, die erwartete Stoßumgebung und die erforderliche Ansprechzeit berücksichtigen. Die Überprüfung der Parameter gemäß der relevanten Norm (z. B. IEC 61643-311) ist unerlässlich. Wartungssignale umfassen erhöhten Leckstrom oder fehlendes Zurücksetzen nach einem Stoß, was auf eine Verschlechterung hinweist. Fehlergrenzen umfassen das Überschreiten des maximalen Ableitstoßstroms oder das Arbeiten außerhalb der Temperaturgrenzen, was zu dauerhaften Schäden führen kann.

Funktionsprinzip

Die GDT enthält ein Edelgas (typischerweise Neon, Argon oder Xenon) zwischen zwei oder mehr Elektroden. Unter normalen Betriebsbedingungen ist das Gas nicht leitend. Wenn die Spannung an den Elektroden die Durchbruchspannung der Röhre überschreitet, ionisiert das Gas und erzeugt ein Plasma, das Strom leitet und den Stoß zur Erde ableitet. Sobald der Stoß vorüber ist und der Strom unter den Haltestrom fällt, deionisiert das Gas und kehrt in seinen hochohmigen Zustand zurück.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
DC Überschlagspannung75–1000 VVoltage at which the tube ionizes and conducts.IEC 61643-311
Impuls Überschlagspannung600–2500 VResponse to fast-rising surges.IEC 61643-311
Nennableitstoßstrom5–20 kASurge current capability for 8/20 µs waveform.IEC 61643-311
Isolationswiderstand≥1000 Measured at 100 V DC.IEC 61643-311
Kapazität0.5–5 pFAt 1 MHz; low capacitance minimizes signal distortion.
Betriebstemperaturbereich-40–85 °CBeyond this range, performance may degrade.
Lagertemperaturbereich-55–125 °CNon-operating storage conditions.
Gehäusedurchmesser5–8 mmCommon package sizes for PCB mounting.
Gehäuselänge5–10 mmAffects creepage distance and mounting footprint.
Gewicht0.5–2 gTypical weight for through-hole components.

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Keramik- oder Glashülle Metallelektroden (Kupfer, Nickel oder Wolfram) Inertgasgemisch (Neon/Argon/Xenon)

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Elektroden
    Bereitstellung elektrischer Anschlusspunkte und Initiierung der Gasionisation
    Material: Kupfer- oder Nickellegierung
  • Gaskammer
    Enthält Inertgasgemisch bei kontrolliertem Druck zur Ionisierung
    Material: Keramik oder Glas
  • Klemmen
    Externe Anschlusspunkte für Schaltungsintegration
    Material: verzinntes Kupfer
  • Inertgas
    Die Neon/Argon/Xenon-Füllung, die bei der Durchbruchspannung ionisiert – das Arbeitsmedium der Röhre.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Kontinuierliche Überspannung bei 110 % der Nenn-Gleichspannungs-Durchschlagspannung für >100 ms Thermische Ionisation erzeugt leitenden Plasmakanal, der nicht verlöscht und dauerhaften Kurzschluss verursacht Serien-Strombegrenzungswiderstand 10-100 Ω, parallel Metalloxid-Varistor mit Klemmspannung 20 % über GDT-Nennwert, thermische Sicherung mit 85 °C Nennwert nahe GDT-Körper montiert
Hoher di/dt-Überspannungsstoß über 100 A/μs von nahem Blitzeinschlag-Kopplung Elektrodenmaterialverdampfung erzeugt metallische Brücke, die Durchschlagspannung dauerhaft um 40-60 % senkt Mehrstufiger Schutz mit 1 mH Serieninduktivität vor GDT, keramische gasgefüllte Funkenstrecke vorgeschaltet mit 50 % höherer Nennspannung, abgeschirmtes Gehäuse mit 360° RF-Dichtung zur Reduzierung elektromagnetischer Kopplung

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
75-1500 V Gleichspannungs-Durchschlagspannung, 5-20 kA Überspannungsstrom, 1-10 ns Ansprechzeit
Belastungs- und Ausfallgrenzen
Durchschlagspannungstoleranz ±15 % vom Nennwert, Elektrodenerosion über 0,5 mm Tiefe, Gasdruckabfall unter 50 mbar von anfänglichem 300-1000 mbar Fülldruck
Elektrodensputtern durch wiederholte Lichtbogenentladungen verursacht Materialablagerung an Keramikwänden, Gasadsorption in Elektrodenmaterialien reduziert Innendruck unter Paschen-Gesetz-Minimum, thermisches Durchgehen durch Joulesche Erwärmung über 200 °C schmilzt Glas-Metall-Dichtungen
Fertigungskontext
Gasentladungsröhre (GDT) wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

gas discharge tube

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Betriebsdruck:Atmosphärisch bis 1,5 bar
Durchflussrate:Nicht zutreffend
Betriebstemperatur:-40 °C bis +85 °C
Montage- und Anwendungskompatibilität
TelekommunikationsleitungenStromversorgungsschaltungenDatenübertragungsleitungen
Nicht geeignet: Hochfeuchte oder kondensierende Umgebungen
Auslegungsdaten
  • Maximale Dauerbetriebsspannung (MCOV)
  • Überspannungsstrombelastbarkeit (kA)
  • Gleichspannungs-Durchschlagspannung

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Dielektrischer Durchschlag
Ursache: Überspannungsereignisse, die die Nennspannung der GDT überschreiten, führen zur Bildung eines dauerhaften leitenden Pfads und zum Verlust der Schutzfähigkeit.
Elektrodenabbau
Ursache: Wiederholte Überspannungsentladungen verursachen Elektrodenerosion, Materialmigration und erhöhten Leckstrom über die Zeit.
Wartungsindikatoren
  • Sichtbare Verfärbung, Rissbildung oder Ausbeulung der keramischen oder gläsernen Hülle
  • Hörbare Lichtbogen- oder Zischgeräusche während des Normalbetriebs, die auf kontinuierliche Entladung hinweisen
Technische Hinweise
  • GDTs mit korrekten Nennspannungen installieren (typischerweise 20-30 % über der Betriebsspannung) und korrekte Koordination mit anderen Schutzvorrichtungen sicherstellen
  • Regelmäßige Isolationswiderstandsmessungen und Sichtprüfungen durchführen, um frühzeitigen Abbau vor katastrophalem Ausfall zu erkennen

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
IEC 61643-11: Überspannungsschutzgeräte für Niederspannungsstromversorgungssysteme - Anforderungen und PrüfverfahrenUL 1449: Norm für ÜberspannungsschutzgeräteEN 61643-11: Überspannungsschutzgeräte für Niederspannungsanlagen - Überspannungsschutzgeräte für Niederspannungsstromversorgungssysteme - Anforderungen und Prüfverfahren
Fertigungsgenauigkeit
  • Elektrodenabstand: +/-0,05 mm
  • Glas-Metall-Dichtung Dichtheit: <1x10^-8 atm·cc/s Heliumleckrate
Qualitätsprüfung
  • Gleichspannungs-Durchschlagspannungsprüfung
  • Impulsstrom-Belastbarkeitsprüfung (8/20 μs-Wellenform)

Hersteller von Gasentladungsröhre (GDT)

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Was ist der typische Gleichstrom-Überschlagspannungsbereich einer GDT?

Die Gleichstrom-Überschlagspannung einer GDT liegt typischerweise zwischen 75 V und 1000 V, abhängig vom Modell. Dies ist die Spannung, bei der die Röhre zu leiten beginnt. Bestätigen Sie den genauen Wert für die spezifische Teilenummer mit dem Hersteller.

Wie reagiert eine GDT auf schnell ansteigende Stoßspannungen?

Die Impuls-Überschlagspannung, die die Reaktion auf schnell ansteigende Stoßspannungen angibt, liegt typischerweise zwischen 600 V und 2500 V. Dieser Parameter ist wichtig für Anwendungen, bei denen Blitze oder Schalttransienten zu erwarten sind. Bestätigen Sie den Wert für Ihre Anwendung mit dem Lieferanten.

Was ist die Nennableitstoßstromfähigkeit einer GDT?

Der Nennableitstoßstrom für eine 8/20 µs Welle beträgt typischerweise 5 kA bis 20 kA. Dies gibt den Stoßstrom an, den die GDT ohne Beschädigung ableiten kann. Stellen Sie sicher, dass die Nennwerte der GDT den erwarteten Stoßpegeln in Ihrem System entsprechen.

Was sind typische Kapazitäts- und Isolationswiderstandswerte?

Die Kapazität beträgt typischerweise 0,5 pF bis 5 pF bei 1 MHz, was Signalverzerrungen minimiert. Der Isolationswiderstand beträgt mindestens 1000 MΩ bei 100 V DC. Diese Werte sind wichtig für Hochfrequenzanwendungen und Leckstromüberlegungen. Bestätigen Sie mit dem Hersteller für das spezifische Modell.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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Eine Listung ist keine Empfehlung. Prüfen Sie jeden Lieferanten und jeden Wert vor der Bestellung selbst.

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