Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Fotodioden-Empfänger im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Wellenlängenbereich bis Empfindlichkeit eingeordnet.
Ein typisches Fotodioden-Empfänger wird durch die Baugruppe aus Halbleiterübergang und Antireflexbeschichtung beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.
Ein Halbleiterbauelement, das Infrarotlichtsignale in einem optischen Port-System in elektrischen Strom umwandelt.
Technische Details und Fertigungskontext für Fotodioden-Empfänger
| Parameter | Typischer Bereich | Hinweise & Auswahlkriterien |
|---|---|---|
| Wellenlängenbereich | 800–1700 nm | Typical for InGaAs photodiodes |
| Empfindlichkeit | 0.9–1.0 A/W | At 1550 nm |
| Dunkelstrom | 0.1–5 nA | At 5 V reverse bias |
| Bandbreite | 1–10 GHz | Depends on active area |
| Durchmesser der aktiven Fläche | 0.05–0.5 mm | Larger area reduces bandwidth |
| Betriebstemperatur | -40–85 °C | Extended range available |
| Lagertemperatur | -55–125 °C | Non-operating |
| Durchbruchspannung | 20–100 V | Minimum |
| Kapazität | 0.5–5 pF | At 5 V reverse bias |
| Gehäusetyp | TO-46 | Other options available |
| Faserkopplung | FC/PC | Connector type |
| Betriebsfeuchtigkeit | 5–95 % RH | Non-condensing |
Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.
| Betriebsdruck: | Atmosphärendruck bis 1,5 bar |
| Weitere Spezifikationen: | Wellenlänge: 800-1700 nm, Empfindlichkeit: 0,8-1,0 A/W |
| Betriebstemperatur: | -40 °C bis +85 °C |
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Prüfen Sie diese Unterlagen vor einer Bestellung.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.
Vergleichen Sie Produktumfang und Quellenangaben. Nennen Sie bei Ihrer Anfrage Spezifikationen, Menge und Liefertermin.
Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.
Für InGaAs-Fotodioden liegt der typische Wellenlängenbereich bei 800–1700 nm, wie im Verzeichnis angegeben. Dies ist jedoch ein Referenzbereich; der tatsächliche Bereich für ein bestimmtes Modell sollte mit dem Hersteller bestätigt werden.
Der Fotodioden-Empfänger arbeitet nach dem photoelektrischen Effekt. Wenn Infrarotphotonen auf den Halbleiterübergang treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Photostrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Er wird typischerweise in Sperrrichtung betrieben, um Empfindlichkeit und Geschwindigkeit zu verbessern.
Häufige Materialien sind Silizium, Germanium und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs). Jedes Material hat unterschiedliche spektrale Empfindlichkeiten und Leistungsmerkmale, daher hängt die Auswahl von den Anforderungen der Anwendung ab.
Der typische Betriebstemperaturbereich liegt bei -40 bis 85 °C, mit Lagertemperaturen von -55 bis 125 °C. Dies sind Referenzwerte; überprüfen Sie immer mit dem Hersteller für das spezifische Modell.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
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