Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Fotodioden-Empfänger

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Fotodioden-Empfänger im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Wellenlängenbereich bis Empfindlichkeit eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Fotodioden-Empfänger wird durch die Baugruppe aus Halbleiterübergang und Antireflexbeschichtung beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Ein Halbleiterbauelement, das Infrarotlichtsignale in einem optischen Port-System in elektrischen Strom umwandelt.

Technische Definition

Der Fotodioden-Empfänger ist eine kritische Komponente eines optischen Ports (IR)-Systems, das speziell dafür entwickelt wurde, eingehende Infrarotlichtsignale zu erkennen und in proportionalen elektrischen Strom umzuwandeln. Er dient als primäres Sensorelement, das Datenübertragung, Fernbedienungsfunktionen oder Näherungserkennung in IR-basierten Kommunikationssystemen ermöglicht. Das Gerät arbeitet nach dem Prinzip des photoelektrischen Effekts: Wenn Infrarotphotonen auf den Halbleiterübergang treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Photostrom entsteht, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Um die Empfindlichkeit und Reaktionsgeschwindigkeit zu erhöhen, wird die Fotodiode typischerweise in Sperrrichtung betrieben, und der erzeugte Strom wird anschließend von nachgeschalteten Schaltungen verstärkt und verarbeitet. Der Empfänger ist mit verschiedenen Halbleitermaterialien erhältlich, darunter Silizium, Germanium und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs), die jeweils unterschiedliche spektrale Empfindlichkeiten und Leistungsmerkmale bieten. Für InGaAs-Fotodioden liegen typische Wellenlängenbereiche bei 800–1700 nm, mit einer Empfindlichkeit von 0,9–1,0 A/W bei 1550 nm. Der Dunkelstrom beträgt typischerweise 0,1–5 nA bei 5 V Sperrspannung, und die Bandbreite liegt zwischen 1–10 GHz, abhängig von der aktiven Fläche, die typischerweise einen Durchmesser von 0,05–0,5 mm hat. Das Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -40 bis 85 °C, mit Lagertemperaturen von -55 bis 125 °C. Die Durchbruchspannung in Sperrrichtung beträgt typischerweise 20–100 V, und die Kapazität liegt bei 0,5–5 pF bei 5 V Sperrspannung. Zu den Gehäuseoptionen gehört TO-46, und die Faserkopplung ist mit FC/PC-Steckern verfügbar. Die Betriebsfeuchtigkeit liegt zwischen 5–95 % relative Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend). Diese Werte sind typische Referenzbereiche und müssen für das spezifische Modell und die Anwendung mit dem rechtlichen Hersteller oder Lieferanten verifiziert werden. Der Fotodioden-Empfänger ist für eine zuverlässige IR-Kommunikation unerlässlich, und die richtige Auswahl erfordert die Berücksichtigung von Wellenlänge, Empfindlichkeit, Bandbreite und Umgebungsbedingungen.

Funktionsprinzip

Wenn Infrarotphotonen auf den Halbleiterübergang der Fotodiode treffen, erzeugen sie durch den photoelektrischen Effekt Elektron-Loch-Paare. Dadurch entsteht ein Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Das Gerät arbeitet in Sperrrichtung, um die Empfindlichkeit und Reaktionsgeschwindigkeit zu erhöhen, wobei der erzeugte Strom von nachgeschalteten Schaltungen verstärkt und verarbeitet wird.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Wellenlängenbereich800–1700 nmTypical for InGaAs photodiodes
Empfindlichkeit0.9–1.0 A/WAt 1550 nm
Dunkelstrom0.1–5 nAAt 5 V reverse bias
Bandbreite1–10 GHzDepends on active area
Durchmesser der aktiven Fläche0.05–0.5 mmLarger area reduces bandwidth
Betriebstemperatur-40–85 °CExtended range available
Lagertemperatur-55–125 °CNon-operating
Durchbruchspannung20–100 VMinimum
Kapazität0.5–5 pFAt 5 V reverse bias
GehäusetypTO-46Other options available
FaserkopplungFC/PCConnector type
Betriebsfeuchtigkeit5–95 % RHNon-condensing

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Silizium Germanium Indium-Gallium-Arsenid

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Halbleiterübergang
    Lichtabsorption und Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren
    Material: Silizium/Germanium/InGaAs
  • Antireflexbeschichtung
    Minimiert Lichtreflexion zur Maximierung der Photonenabsorption
    Material: Siliziumnitrid/Siliciumdioxid
  • Gehäusefenster
    Schützt den empfindlichen Bereich bei gleichzeitiger IR-Durchlässigkeit
    Material: Glas/Epoxidharz
  • Bleirahmen
    Bietet elektrische Verbindungen und mechanische Unterstützung
    Material: Kupferlegierung

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Optische Leistungsdichte über 10 mW/mm² bei 1550 nm Wellenlänge Thermisches Durchgehen führt zur dauerhaften Verschlechterung der Empfindlichkeit von 0,8 A/W auf unter 0,3 A/W Thermoelektrischer Kühler mit PID-Regelung hält die Sperrschichttemperatur bei 25±0,5 °C
ESD-Impuls über 8 kV HBM (Human Body Model) Durchbruch des Gateoxids im integrierten Transimpedanzverstärker hebt das Rauschniveau von 1 pA/√Hz auf 10 nA/√Hz On-Chip-ESD-Schutzdioden mit 5 ns Klemmreaktionszeit und 0,7 V Durchlassspannung

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
850-1550 nm Wellenlänge, 0,1-10 mA Fotostrom, -40 °C bis +85 °C Temperatur
Belastungs- und Ausfallgrenzen
Sättigung des Fotostroms bei 15 mA, Dunkelstrom über 100 nA bei 25 °C, Sperrspannung über 30 V
Lawinendurchbruch im PN-Übergang bei hoher Sperrspannung, thermische Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren oberhalb der Bandlückenenergie (1,12 eV bei Silizium), Rückgang der Quantenausbeute durch Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeiten über 10^4 cm/s
Fertigungskontext
Fotodioden-Empfänger wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

IR Photodetector Infrared Receiver Diode

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Betriebsdruck:Atmosphärendruck bis 1,5 bar
Weitere Spezifikationen:Wellenlänge: 800-1700 nm, Empfindlichkeit: 0,8-1,0 A/W
Betriebstemperatur:-40 °C bis +85 °C
Montage- und Anwendungskompatibilität
Lichtwellenleiter (SMF/MMF)Optische Steckverbinder (LC/SC/FC)Für Infrarot durchlässige Fenster
Nicht geeignet: Umgebungen mit sehr hoher Intensität sichtbaren Lichts
Auslegungsdaten
  • Optische Wellenlänge (nm)
  • Erforderliche Bandbreite (MHz)
  • Minimal detektierbare Leistung (dBm)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Anstieg des Dunkelstroms der Fotodiode
Ursache: Thermische Schädigung des Halbleiterübergangs durch anhaltend hohe Temperaturen oder Temperaturwechsel führt zu erhöhtem Leckstrom und vermindertem Signal-Rausch-Verhältnis
Verunreinigung des optischen Fensters
Ursache: Ablagerungen von Staub, Feuchtigkeit oder chemischen Niederschlägen auf der optischen Grenzfläche führen zu Signaldämpfung, Streuung oder vollständiger Unterbrechung des Strahlengangs
Wartungsindikatoren
  • Allmählicher oder plötzlicher Rückgang der Ausgangssignalamplitude bei gleichbleibender Eingangslichtstärke
  • Sichtbare Kondensation, Beschlag oder Partikelablagerungen auf der Oberfläche des optischen Fensters
Technische Hinweise
  • Aktive Temperaturstabilisierung mit Peltier-Elementen oder Kühlkörpern einsetzen, um die Sperrschichttemperatur der Fotodiode innerhalb von ±5 °C des optimalen Betriebsbereichs zu halten
  • Spülung mit trockenem Stickstoff oder hermetische Kapselung mit Trockenmittel vorsehen, um Feuchteeintrag zu verhindern und den Strahlengang auch in rauer Umgebung sauber zu halten

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
IEC 60747-5-3: Halbleiterbauelemente – Optoelektronische Bauelemente – FotodiodenCE-Kennzeichnung: Konformität mit der EU-EMV-Richtlinie 2014/30/EU und der Niederspannungsrichtlinie 2014/35/EU
Fertigungsgenauigkeit
  • Empfindlichkeit: +/-5 % bei der angegebenen Wellenlänge
  • Dunkelstrom: <1 nA bei Nennsperrspannung
Qualitätsprüfung
  • Prüfung des Spektralverhaltens: Nachweis von Wellenlängenempfindlichkeit und Empfindlichkeit
  • Umweltbelastungsprüfung: Temperaturwechsel und Feuchtebeanspruchung nach MIL-STD-883

Hersteller von Fotodioden-Empfänger

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Was ist der typische Wellenlängenbereich für InGaAs-Fotodioden?

Für InGaAs-Fotodioden liegt der typische Wellenlängenbereich bei 800–1700 nm, wie im Verzeichnis angegeben. Dies ist jedoch ein Referenzbereich; der tatsächliche Bereich für ein bestimmtes Modell sollte mit dem Hersteller bestätigt werden.

Wie funktioniert der Fotodioden-Empfänger?

Der Fotodioden-Empfänger arbeitet nach dem photoelektrischen Effekt. Wenn Infrarotphotonen auf den Halbleiterübergang treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Photostrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Er wird typischerweise in Sperrrichtung betrieben, um Empfindlichkeit und Geschwindigkeit zu verbessern.

Welche Materialien werden in Fotodioden-Empfängern verwendet?

Häufige Materialien sind Silizium, Germanium und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs). Jedes Material hat unterschiedliche spektrale Empfindlichkeiten und Leistungsmerkmale, daher hängt die Auswahl von den Anforderungen der Anwendung ab.

Was sind die typischen Betriebstemperaturgrenzen?

Der typische Betriebstemperaturbereich liegt bei -40 bis 85 °C, mit Lagertemperaturen von -55 bis 125 °C. Dies sind Referenzwerte; überprüfen Sie immer mit dem Hersteller für das spezifische Modell.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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