Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Fotodetektor im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Spektralbereich bis Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit eingeordnet.
Ein typisches Fotodetektor wird durch die Baugruppe aus Fotoelement und Elektroden beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.
Ein Gerät, das Lichtsignale in elektrische Signale zur Erkennung und Messung umwandelt.
Fotodetektoren arbeiten auf der Grundlage des photoelektrischen Effekts, bei dem einfallende Photonen auf ein lichtempfindliches Material (typischerweise halbleiterbasiert) treffen und Elektron-Loch-Paare erzeugen, die einen messbaren elektrischen Strom oder eine Spannung proportional zur Lichtintensität erzeugen. Die erzeugten Ladungsträger werden von Elektroden gesammelt und erzeugen einen Photostrom, der verstärkt und verarbeitet werden kann. Die Größe des Photostroms hängt von der Lichtintensität und der Quanteneffizienz des Materials ab. Die Ansprechzeit wird durch die Trägerlaufzeit und die Kapazität des Bauelements beeinflusst. Fotodetektoren sind für bestimmte Spektralbereiche ausgelegt, wobei die Materialien passend zur interessierenden Wellenlänge gewählt werden. Das Ausgangssignal kann für direkte Lichtmessungen oder als Teil eines größeren optischen Sensorsystems verwendet werden.
| Parameter | Typischer Bereich | Hinweise & Auswahlkriterien |
|---|---|---|
| Spektralbereich | 400–1100 nm | Silicon-based; covers visible to near-infrared |
| Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit | 900–950 nm | Typical for Si photodiodes |
| Empfindlichkeit | 0.4–0.6 A/W | At peak wavelength |
| Dunkelstrom | 0.1–10 nA | At 10 V reverse bias, 25°C |
| Anstiegszeit | 10–100 ns | At 50 Ω load, 5 V bias |
| Durchmesser der aktiven Fläche | 0.3–10 mm | Larger area increases capacitance |
| Kapazität | 10–100 pF | At 0 V bias; affects speed |
| Betriebstemperatur | -40–85 °C | Extended range available |
| Lagertemperatur | -55–125 °C | Non-operating |
| Durchbruchspannung in Sperrrichtung | 30–200 V | Minimum |
| Rauschäquivalente Leistung | 1e-14–1e-12 W/√Hz | At peak wavelength, 25°C |
| Gehäusetyp | TO-5, TO-8, SMD | Hermetic options available |
| Gewicht | 1–10 g | Depends on package |
Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme
Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.
Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.
| Betriebsdruck: | Atmosphärisch bis 2 bar |
| Durchflussrate: | Nicht spezifiziert |
| Betriebstemperatur: | -40°C bis +85°C |
3 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
Bei siliziumbasierten Fotodetektoren liegt der Spektralbereich typischerweise bei 400–1100 nm und deckt sichtbares bis nahes Infrarot ab. Die Spitzenempfindlichkeit liegt normalerweise bei etwa 900–950 nm. Dies sind Referenzwerte; der genaue Bereich hängt vom spezifischen Modell ab und sollte mit dem Hersteller bestätigt werden.
Der Dunkelstrom ist der kleine Strom, der auch ohne Licht aufgrund thermisch erzeugter Ladungsträger fließt. Er setzt eine Untergrenze für detektierbare Lichtmengen und trägt zum Rauschen bei. Bei den Fotodetektoren in diesem Verzeichnis liegt der Dunkelstrom typischerweise bei 0,1–10 nA bei 10 V Sperrspannung und 25 °C. Ein niedrigerer Dunkelstrom ist im Allgemeinen besser für Anwendungen mit schwachem Licht.
Die Ansprechgeschwindigkeit wird durch die Anstiegszeit charakterisiert, die bei diesen Geräten typischerweise 10–100 ns bei 50 Ω Last und 5 V Vorspannung beträgt. Sie wird durch die Trägerlaufzeit, die Kapazität des Bauelements und die Lastimpedanz beeinflusst. Eine größere aktive Fläche erhöht die Kapazität, was die Reaktion verlangsamen kann. Eine höhere Sperrspannung kann die Kapazität verringern und die Geschwindigkeit verbessern.
Übliche Gehäusetypen sind TO-5, TO-8 und SMD (Surface-Mount Device). Für raue Umgebungen sind hermetische Optionen verfügbar. Das Gehäuse beeinflusst Montage, optischen Zugang und thermische Leistung. Das Gewicht liegt je nach Gehäuse zwischen 1–10 g. Wählen Sie ein Gehäuse, das zu Ihrem Montageprozess und Ihren Umgebungsanforderungen passt.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
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