Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Leistungshalbleiter im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Nennspannung (VDS) bis Nennstrom (ID) eingeordnet.
Ein typisches Leistungshalbleiter wird durch die Baugruppe aus Halbleiterchip und Gatetreiber-Schaltung beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.
Ein Halbleiterbauelement, das für hohe Leistungsniveaus ausgelegt ist und als Schalt- oder Verstärkungselement in leistungselektronischen Schaltungen verwendet wird.
Leistungshalbleiter wie MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) und IGBTs (Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode) funktionieren, indem eine an einem Gate-Anschluss angelegte Spannung den Stromfluss zwischen Source und Drain (MOSFET) oder Kollektor und Emitter (IGBT) steuert. Eine kleine Gate-Spannung erzeugt ein elektrisches Feld, das einen leitfähigen Kanal moduliert und es dem Bauelement ermöglicht, sehr schnell zwischen hochohmigen (aus) und niederohmigen (ein) Zuständen zu schalten, wodurch eine effiziente Leistungssteuerung durch Pulsweitenmodulation (PWM) oder ähnliche Techniken ermöglicht wird.
| Parameter | Typischer Bereich | Hinweise & Auswahlkriterien |
|---|---|---|
| Nennspannung (VDS) | 600–1200 V | Exceeding may cause breakdownIEC 60747 |
| Nennstrom (ID) | 50–600 A | Continuous current at Tc=100°CIEC 60747 |
| Schaltfrequenz | 2–20 kHz | Higher for MOSFET, lower for IGBT |
| Durchlasswiderstand (RDS(on)) | 0.1–10 mΩ | Lower reduces conduction lossIEC 60747 |
| Sperrschichttemperaturbereich | -40–150 °C | Exceeding reduces lifetimeIEC 60747 |
| Isolationsspannung | 2500–4000 V AC | Module to baseplateIEC 60747 |
| Verlustleistung (Ptot) | 100–1000 W | At Tc=25°CIEC 60747 |
| Wärmewiderstand (Rth(j c)) | 0.05–0.5 K/W | Lower is better for heat transferIEC 60747 |
| Betriebstemperaturbereich | -40–85 °C | Ambient temperatureIEC 60721-3-3 |
| Luftfeuchtigkeitsbereich | 5–95 % RH | Nicht kondensierendIEC 60721-3-3 |
| Schutzart (IP) | IP54–IP65 | For module housingIEC 60529 |
| Modulabmessungen (L×B×H) | 62×108×30–110×150×40 mm | Typical package sizes |
| Gewicht | 100–500 g | Depends on package |
Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme
Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.
Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.
| power: | Schaltvermögen bis zu mehreren Megawatt |
| current: | Bis zu 3600 A (Kollektorstrom), typischer Bereich 10 A-1200 A |
| voltage: | Bis zu 6500 V (Sperrspannung), typisch 600 V-1700 V für industrielle Anwendungen |
| Betriebstemperatur: | -40 °C bis +150 °C (Sperrschichttemperatur), -55 °C bis +125 °C (Lagertemperatur) |
| switching frequency: | Bis zu 100 kHz für IGBTs, bis zu 1 MHz+ für MOSFETs |
7 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
Laut Verzeichnisreferenz liegt die Nennspannung (VDS) typischerweise zwischen 600 und 1200 V und der Nennstrom (ID) zwischen 50 und 600 A bei Tc=100°C. Diese Werte sind indikativ und müssen mit dem Datenblatt des spezifischen Modells bestätigt werden.
Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) beeinflusst die Leitungsverluste. Niedrigere Werte reduzieren Leistungsverluste und Wärmeentwicklung. Der Referenzbereich liegt zwischen 0,1 und 10 mΩ, aber die tatsächlichen Werte hängen vom Gerätetyp und der Nennleistung ab.
Das Verzeichnis referenziert IEC 60747 für elektrische Parameter und IEC 60721-3-3 für Umgebungsbedingungen. Diese Normen dienen als Verifizierungsreferenz; die Konformität muss mit dem Hersteller bestätigt werden.
Zu den üblichen Materialien gehören Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) für den Halbleiterchip sowie Kupfer und Aluminium für Verbindungen, Keramiksubstrate für Isolierung und Vergussmasse für Schutz.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.
Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.
Herstellerprofile mit passender Produkt- und Prozesskompetenz vergleichen.