Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Leistungshalbleiter

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Leistungshalbleiter im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Nennspannung (VDS) bis Nennstrom (ID) eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Leistungshalbleiter wird durch die Baugruppe aus Halbleiterchip und Gatetreiber-Schaltung beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Ein Halbleiterbauelement, das für hohe Leistungsniveaus ausgelegt ist und als Schalt- oder Verstärkungselement in leistungselektronischen Schaltungen verwendet wird.

Technische Definition

Ein Leistungshalbleiter ist eine Schlüsselkomponente in der Leistungsendstufe verschiedener elektronischer Systeme. Er fungiert als steuerbarer Schalter oder Verstärker, der den Fluss elektrischer Energie verwaltet, indem er schnell ein- und ausschaltet (bei MOSFETs/IGBTs), um Spannung, Strom und Frequenz zu regulieren. Seine Hauptaufgabe besteht darin, elektrische Energie effizient von einer Quelle (wie einem Gleichspannungs-Zwischenkreis) umzuwandeln und zu steuern, um eine Last (wie einen Motor oder Wechselrichter) anzutreiben, wobei Leistungsverluste und Wärmeentwicklung minimiert werden. Diese Komponente ist in Anwendungen wie Motorantrieben, Stromversorgungen, Wechselrichtern für erneuerbare Energien und Elektrofahrzeugen unerlässlich. Das Verzeichnis listet typische Referenzbereiche für Schlüsselparameter auf, die anhand des spezifischen Modells und des Herstellerdatenblatts verifiziert werden müssen. Beispielsweise liegt die Nennspannung (VDS) typischerweise zwischen 600 und 1200 V, der Nennstrom (ID) zwischen 50 und 600 A und die Schaltfrequenz zwischen 2 und 20 kHz. Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) liegt zwischen 0,1 und 10 mΩ, und der Sperrschichttemperaturbereich beträgt -40 bis 150 °C. Die Isolationsspannung beträgt 2500 bis 4000 V AC, die Verlustleistung (Ptot) 100 bis 1000 W und der Wärmewiderstand (Rth(j-c)) 0,05 bis 0,5 K/W. Der Betriebstemperaturbereich beträgt -40 bis 85 °C, der Feuchtigkeitsbereich 5 bis 95 % relative Luftfeuchtigkeit und die Schutzart (IP) IP54 bis IP65. Die Modulabmessungen variieren von 62×108×30 bis 110×150×40 mm und das Gewicht von 100 bis 500 g. Zu den Materialien gehören Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Kupfer, Aluminium, Keramiksubstrat und Vergussmasse. Normen wie IEC 60747 und IEC 60721-3-3 werden als Referenz zur Verifizierung herangezogen. Bestätigen Sie immer modellspezifische Werte und Normen mit dem rechtlichen Hersteller oder Lieferanten.

Funktionsprinzip

Leistungshalbleiter wie MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) und IGBTs (Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode) funktionieren, indem eine an einem Gate-Anschluss angelegte Spannung den Stromfluss zwischen Source und Drain (MOSFET) oder Kollektor und Emitter (IGBT) steuert. Eine kleine Gate-Spannung erzeugt ein elektrisches Feld, das einen leitfähigen Kanal moduliert und es dem Bauelement ermöglicht, sehr schnell zwischen hochohmigen (aus) und niederohmigen (ein) Zuständen zu schalten, wodurch eine effiziente Leistungssteuerung durch Pulsweitenmodulation (PWM) oder ähnliche Techniken ermöglicht wird.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Nennspannung (VDS)600–1200 VExceeding may cause breakdownIEC 60747
Nennstrom (ID)50–600 AContinuous current at Tc=100°CIEC 60747
Schaltfrequenz2–20 kHzHigher for MOSFET, lower for IGBT
Durchlasswiderstand (RDS(on))0.1–10 Lower reduces conduction lossIEC 60747
Sperrschichttemperaturbereich-40–150 °CExceeding reduces lifetimeIEC 60747
Isolationsspannung2500–4000 V ACModule to baseplateIEC 60747
Verlustleistung (Ptot)100–1000 WAt Tc=25°CIEC 60747
Wärmewiderstand (Rth(j c))0.05–0.5 K/WLower is better for heat transferIEC 60747
Betriebstemperaturbereich-40–85 °CAmbient temperatureIEC 60721-3-3
Luftfeuchtigkeitsbereich5–95 % RHNicht kondensierendIEC 60721-3-3
Schutzart (IP)IP54–IP65For module housingIEC 60529
Modulabmessungen (L×B×H)62×108×30–110×150×40 mmTypical package sizes
Gewicht100–500 gDepends on package

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Silizium (Si) Siliziumkarbid (SiC) Galliumnitrid (GaN) Kupfer Aluminium Keramiksubstrat Vergussharz

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Halbleiterchip
    Der Kern-Silizium- oder Verbindungshalbleiterchip, an dem die Schaltvorgänge stattfinden.
    Material: Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC)
  • Gatetreiber-Schaltung
    Liefert die präzise Spannung und Stromstärke zur Steuerung des Gate-Anschlusses für das Schalten.
    Material: Kupfer, Halbleitermaterialien
  • Wärmeverteiler/Grundplatte
    Leitet die während des Betriebs entstehende Wärme ab, um Temperaturgrenzwerte einzuhalten.
    Material: Kupfer oder Aluminium
  • Verkapselung
    Schützt interne Bauteile vor Umwelteinflüssen wie Feuchtigkeit und Staub.
    Material: Epoxidharz oder Silikongel
  • Leistungsanschlüsse
    Führen Sie den Laststrom hinein und hinaus; das Gate entscheidet nur, wann sie leiten.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Gate-Oxid-Durchschlag bei Vgs>±20 V Permanenter Kurzschluss zwischen Gate-Source-Anschlüssen Zener-Dioden-Begrenzung am Gate-Treiberausgang mit maximal 15 V Nennspannung
Thermische Zyklen ΔTj>80 °C für >10⁴ Zyklen Drahtbond-Ablösung aufgrund von Wärmeausdehnungskoeffizienten-Mismatch (Al: 23×10⁻⁶/K vs Si: 2,6×10⁻⁶/K) Kupfer-Clip-Bonding mit Ag-Sintern (CTE: 17×10⁻⁶/K) und Sperrschichttemperaturüberwachung mit NTC-Thermistor

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
600-1700 V, 10-600 A, -40 °C bis 150 °C Sperrschichttemperatur
Belastungs- und Ausfallgrenzen
175 °C Sperrschichttemperatur (Tj_max), 1200 V/μs dv/dt-Rate, 2,5× Nennstrom für 10 μs
Thermisches Durchgehen bei Tj>175 °C aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten des Durchlasswiderstands, Lawinendurchbruch bei Vds>1,2×Vdss, Latch-up durch parasitäre Thyristoraktivierung bei di/dt>100 A/μs
Fertigungskontext
Leistungshalbleiter wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Industrielles Ökosystem und Lieferkette

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
power:Schaltvermögen bis zu mehreren Megawatt
current:Bis zu 3600 A (Kollektorstrom), typischer Bereich 10 A-1200 A
voltage:Bis zu 6500 V (Sperrspannung), typisch 600 V-1700 V für industrielle Anwendungen
Betriebstemperatur:-40 °C bis +150 °C (Sperrschichttemperatur), -55 °C bis +125 °C (Lagertemperatur)
switching frequency:Bis zu 100 kHz für IGBTs, bis zu 1 MHz+ für MOSFETs
Montage- und Anwendungskompatibilität
Industrielle Motorantriebe (AC/DC)Netzteile (SMPS/USV)Wechselrichter für erneuerbare Energien (Solar/Wind)
Nicht geeignet: Hochstrahlungsumgebungen (Kerntechnik, Raumfahrtanwendungen ohne Abschirmung)
Auslegungsdaten
  • Maximale Betriebsspannung (V_CE/V_DS)
  • Dauer-/Spitzenstromanforderungen (I_C/I_D)
  • Schaltfrequenz und thermische Management-Randbedingungen

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Thermisches Durchgehen aufgrund von Lötstellenermüdung
Ursache: Zyklische thermische Ausdehnung/Kontraktion durch Lastwechsel verursacht Risse in Lötstellen, erhöht den thermischen Widerstand und die Sperrschichttemperatur bis zum katastrophalen Ausfall.
Gate-Oxid-Durchschlag
Ursache: Überspannungstransienten oder elektrostatische Entladungen, die die Gate-Source-Spannungsfestigkeit überschreiten, führen zu Isolationsversagen und permanentem Kurzschluss.
Wartungsindikatoren
  • Hörbares hochfrequentes Pfeifen oder Brummen während des Betriebs, das auf Schaltinstabilität oder bevorstehenden Ausfall hinweist.
  • Sichtbare Verfärbungen, Ausbeulungen oder thermische Spannungsmarkierungen am Modulgehäuse oder der Kühlkörper-Schnittstelle.
Technische Hinweise
  • Implementieren Sie aktives thermisches Management mit Temperaturüberwachung und Belastbarkeitskurven, um die Sperrschichttemperatur während des Betriebs unter 80 % des Maximalwerts zu halten.
  • Verwenden Sie Snubber-Schaltungen und ein geeignetes Gate-Treiber-Design mit kontrolliertem dv/dt und di/dt, um Spannungsspitzen und Schaltbelastungen zu minimieren.

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
DIN EN IEC 60747-9 - Halbleiterbauelemente - Einzelbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)UL 508C - Leistungsumwandlungsgeräte
Fertigungsgenauigkeit
  • Anschlussflachheit: ≤0,05 mm über die Montagefläche
  • Variation der thermischen Grenzschichtdicke: ±0,02 mm
Qualitätsprüfung
  • Thermischer Zyklustest (DIN EN 60068-2-14) zur Zuverlässigkeitsbewertung
  • Hochspannungs-Isolationsprüfung (Hipot) nach DIN EN 61140

Hersteller von Leistungshalbleiter

7 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.

FerroTec Shanghai Semiconductor Wafer Co., Ltd.
· CN
Fertigt außerdem: Thermoelectric Module、Water Pump、Temperature Controller und 1 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “For Power Semiconductors”
Quellseite ansehen ↗ ferrotec.com · geprüft am 2026-08-29
GNS Components Limited
· CN
Fertigt außerdem: Programmable Logic Controller、Crystal Oscillator、Solid State Relay und 9 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Power semiconductor”
Quellseite ansehen ↗ ictransistors.com · geprüft am 2026-08-28
Greegoo Electric
· CN
Fertigt außerdem: Current Transformer (CT)、Semiconductor Device、Solid State Relay und 9 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Capsule Power Semiconductors”
Quellseite ansehen ↗ greegoo.com · geprüft am 2026-08-26
HIITIO
· CN
Fertigt außerdem: Surge Protection Device、Laser Welding Machine、Battery System und 9 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Power Semiconductor”
Quellseite ansehen ↗ hiitio.com · geprüft am 2026-08-28
HIITIO (Hecheng Electric)
· CN
Fertigt außerdem: Surge Protection Device、Laser Welding Machine、Battery System und 9 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Power Semiconductor”
Quellseite ansehen ↗ hecheng-electric.com · geprüft am 2026-09-16
Xpeedic Technology, Inc.
· CN
Fertigt außerdem: Semiconductor Device
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Power Semiconductor Device”
Quellseite ansehen ↗ xpeedic.com · geprüft am 2026-09-16
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD.
· CN
Fertigt außerdem: AC-DC Converter、Solid State Relay、Bridge Rectifier und 1 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “Power Semiconductors Clamp box”
Quellseite ansehen ↗ thyristor.com.cn · geprüft am 2026-08-29

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Was sind die typischen Spannungs- und Stromwerte für Leistungshalbleiter?

Laut Verzeichnisreferenz liegt die Nennspannung (VDS) typischerweise zwischen 600 und 1200 V und der Nennstrom (ID) zwischen 50 und 600 A bei Tc=100°C. Diese Werte sind indikativ und müssen mit dem Datenblatt des spezifischen Modells bestätigt werden.

Welche Bedeutung hat der Einschaltwiderstand (RDS(on))?

Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) beeinflusst die Leitungsverluste. Niedrigere Werte reduzieren Leistungsverluste und Wärmeentwicklung. Der Referenzbereich liegt zwischen 0,1 und 10 mΩ, aber die tatsächlichen Werte hängen vom Gerätetyp und der Nennleistung ab.

Welche Normen werden für Leistungshalbleiter referenziert?

Das Verzeichnis referenziert IEC 60747 für elektrische Parameter und IEC 60721-3-3 für Umgebungsbedingungen. Diese Normen dienen als Verifizierungsreferenz; die Konformität muss mit dem Hersteller bestätigt werden.

Welche Materialien werden üblicherweise in Leistungshalbleitern verwendet?

Zu den üblichen Materialien gehören Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) für den Halbleiterchip sowie Kupfer und Aluminium für Verbindungen, Keramiksubstrate für Isolierung und Vergussmasse für Schutz.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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