Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Präzisions-LED-Chip-Träger

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Präzisions-LED-Chip-Träger im Bereich Herstellung von Beleuchtungsgeräten anhand von Wärmeleitfähigkeit bis Wärmeausdehnungskoeffizient eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Präzisions-LED-Chip-Träger wird durch die Baugruppe aus Keramiksubstrat und Leiterbahn beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Mechanisches Substrat zur Montage und thermischen Führung einzelner LED-Halbleiterchips

Technische Definition

Ein präzisionsgefertigtes Bauteil, das entwickelt wurde, um einzelne LED-Halbleiterchips sicher innerhalb einer Beleuchtungsbaugruppe zu montieren. Es stellt die kritische elektrische Verbindung zwischen dem Chip und der Schaltung her und führt gleichzeitig Wärme effizient ab, um optimale Betriebstemperaturen zu gewährleisten. Der Träger ermöglicht eine präzise optische Ausrichtung und schützt den empfindlichen Halbleiter vor mechanischer Belastung. Er dient als grundlegendes Bauelement in der LED-Gehäusemontage für verschiedene Beleuchtungsanwendungen.

Funktionsprinzip

Der Träger stützt den LED-Chip physisch, wobei leitfähige Bahnen die elektrischen Pfade für die Leistungszufuhr bereitstellen. Sein Material und sein Design ermöglichen den Wärmetransport vom Chip zu einem größeren Kühlkörper oder zur umgebenden Struktur, um eine thermische Degradation des Halbleiters zu verhindern.

Technische Parameter

Wärmeleitfähigkeit
Fähigkeit eines Materials, Wärme zu leitenW/(m·K)
Wärmeausdehnungskoeffizient
Dimensionsänderung mit Temperatur, abgestimmt auf LED-Chipppm/K
Maximale Betriebstemperatur
Dauerhaft sichere Betriebstemperaturgrenze°C
Oberflächenebenheit
Abweichung von der idealen planaren Oberfläche für Die-Bondingµm
Durchgangswiderstand
Elektrischer Widerstand von leitenden Pfaden
Die Scherfestigkeit
Haftfestigkeit zwischen Träger und aufgebrachtem DieMPa

Hauptmaterialien

Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik Kupfer-Molybdän-Kupfer (CMC)-Verbundwerkstoff

Komponenten / BOM

Keramiksubstrat
Bietet elektrische Isolierung und Wärmeleitung
Material: Aluminiumnitrid-Keramik
Leiterbahn
Bildet elektrische Verbindungsstrecke für LED-Anode/Kathode
Material: Kupfer oder Gold
Die-Bonding-Auflage
Präzisionsoberfläche für Halbleiter-Chip-Bonding
Material: Vergoldet oder Lötzinn
Wärmeübergangsschicht
Verbessert den Wärmeübergang zum externen Kühlkörper
Material: Wärmeleitpaste oder Phasenwechselmaterial

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Thermische Zyklen (ΔT > 125°C) während des Leistungszyklus Lötverbindungsermüdungsrissbildung (Coffin-Manson-Exponent n=1,9) Kupfer-Wolfram-Verbundsubstrat (CTE 5,8 ppm/°C) mit SAC305-Lot (Kriechwiderstand 12,3 MPa bei 125°C)
Elektrostatische Entladung (ESD) > 1000V HBM GaN-Epitaxieschichtendurchbruch (kritisches Feld 3,3 MV/cm) Zenerdioden-Array (Durchbruchspannung 5,6 V) in die Trägermetallisierung integriert

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
25-150°C Sperrschichttemperatur, 0-3,5 MPa Druckspannung
Belastungs- und Ausfallgrenzen
175°C Sperrschichttemperatur (Silizium-Gold-Eutektikum-Bildung), 4,2 MPa Druckspannung (Keramiksubstratbruch)
Fehlanpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen Siliziumchip (2,6 ppm/°C) und Aluminiumoxid-Substrat (6,5 ppm/°C), was bei 175°C zu einer Scherspannung von über 48 MPa führt
Fertigungskontext
Präzisions-LED-Chip-Träger wird innerhalb von Herstellung von Beleuchtungsgeräten nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

LED Die Carrier LED Submount Semiconductor Carrier Plate

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Industrielles Ökosystem und Lieferkette

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Traglast:Atmosphärisch bis 1,5 MPa (für hermetische Dichtungsanwendungen)
Einsatztemperatur:-40°C bis +150°C (Betrieb), bis zu +300°C (Spitze während des Lötens)
flatness tolerance:≤10 µm über die Montagefläche
Montage- und Anwendungskompatibilität
Hochhelligkeits-LED-Chips (GaN, InGaN)Wärmeleitende Klebstoffe (Epoxid, Silikon)Gold/Zinn-Lötlegierungen für die Chipmontage
Nicht geeignet: Hochvibrationsumgebungen ohne zusätzliche mechanische Dämpfung
Auslegungsdaten
  • LED-Chip-Abmessungen (X,Y) und Verlustleistung (W)
  • Erforderliches Ziel für den thermischen Widerstand (K/W)
  • Elektrisches Anschlussschema (Pad-Layout und Rastermaß)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Thermische Degradation der LED-Chip-Verbindung
Cause: Übermäßige Betriebstemperatur aufgrund unzureichender Wärmeableitung oder Überlastung des Stroms, was zu Lötverbindungsermüdung oder Delamination führt.
Vergilbung oder Rissbildung des optischen Linsen-/Trägermaterials
Cause: UV-Exposition und thermische Zyklen verursachen Polymerdegradation, reduzieren die Lichtausbeute und beeinträchtigen die strukturelle Integrität.
Wartungsindikatoren
  • Signifikanter, plötzlicher Abfall der Lichtausbeute oder Farbverschiebung (z.B. von Weiß zu bläulichem oder gelblichem Farbton), was auf eine Degradation des Chips oder des Leuchtstoffs hinweist.
  • Hörbares Brummen oder hochfrequentes Pfeifen aus der Treiberschaltung oder sichtbares Flackern bei stabiler Leistung, was auf ein bevorstehendes Treiber- oder Verbindungsversagen hindeutet.
Technische Hinweise
  • Tipp 1: Implementieren Sie ein striktes thermisches Management durch Sicherstellung eines korrekten Kühlkörperkontakts, Aufrechterhaltung sauberer Luftströmungspfade und Verwendung von Wärmeleitmaterialien mit angemessener Leitfähigkeit und Langlebigkeit.
  • Tipp 2: Halten Sie sich an die herstellerspezifischen Strom- und Spannungsgrenzwerte, vermeiden Sie Überlastung und verwenden Sie Überspannungsschutzvorrichtungen, um vor elektrischen Transienten zu schützen, die die Alterung von Chip und Treiber beschleunigen.

Compliance & Manufacturing Standards

Reference Standards
DIN EN ISO 9001:2015 - QualitätsmanagementsystemeDIN EN IEC 60747-5-3 - Halbleiterbauelemente - Diskretbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - LeuchtdiodenDIN 58141-1 - Optische Systeme - Teil 1: Begriffe und Definitionen
Manufacturing Precision
  • Bohrungsdurchmesser: +/-0,01 mm
  • Oberflächenplanheit: 0,05 mm über 10 mm Spanne
Quality Inspection
  • Koordinatenmessgerät (KMG) für dimensionale Verifikation
  • Thermischer Zyklustest (-40°C bis +125°C, 1000 Zyklen)

Hersteller, die dieses Produkt fertigen

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Häufige Fragen

Welche Vorteile bietet Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik in LED-Chip-Trägern?

Aluminiumnitrid-Keramik bietet eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (typischerweise 150-200 W/m·K), einen gut angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu LED-Halbleitermaterialien und eine überlegene elektrische Isolierung, was sie ideal für Hochleistungs-LED-Anwendungen macht, die eine effiziente Wärmeableitung erfordern.

Wie profitiert das thermische Management von LEDs durch den Kupfer-Molybdän-Kupfer (CMC)-Verbundwerkstoff?

Der CMC-Verbundwerkstoff bietet eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit bei gleichzeitig eng angepasstem thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu LED-Halbleitermaterialien, was thermische Spannungen verhindert und eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Beleuchtungsanwendungen mit hohen Betriebstemperaturen gewährleistet.

Welche Spezifikationen sollte ich bei der Auswahl eines LED-Chip-Trägers für meine Beleuchtungsanwendung berücksichtigen?

Wichtige Spezifikationen umfassen die Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) für die Wärmeableitung, den thermischen Ausdehnungskoeffizienten (ppm/K) für die Materialkompatibilität, die Chipscherfestigkeit (MPa) für die mechanische Zuverlässigkeit, die maximale Betriebstemperatur (°C), die Oberflächenplanheit (µm) für eine korrekte Chipmontage und den Bahnwiderstand (mΩ) für die elektrische Leistung.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.05 · Herstellung von Beleuchtungsgeräten

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Präzisions-LED-Chip-Träger

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

Ihre Geschäftsdaten werden nur zur Bearbeitung dieser Anfrage verwendet.

Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde gesendet.
Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde empfangen.

Fertigung für Präzisions-LED-Chip-Träger?

Herstellerprofile mit passender Produkt- und Prozesskompetenz vergleichen.

Herstellerprofil anlegen Kontakt
Vorheriges Produkt
Präzisions-Kühlkörperbaugruppe
Nächstes Produkt
Präzisions-LED-Linsen-Spritzgießmaschine