Strukturierte Komponentendaten · 2026

LED-Chips/-Dies

LED-Chips, auch LED-Dies genannt, sind die Kern-Halbleiterkomponenten in LED-Gehäusen, die durch Elektrolumineszenz Licht erzeugen.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches LED-Chips/-Dies wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

LED-Chips, auch als LED-Dies bekannt, sind die Kern-Halbleiterkomponenten in LED-Gehäusen, die durch Elektrolumineszenz Licht erzeugen. Diese Chips bestehen aus mehreren Halbleiterschichten (typischerweise auf Galliumnitrid-Basis), die auf einem Substrat abgeschieden werden. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, rekombinieren Elektronen und Löcher und geben Energie in Form von Photonen ab. Die Wellenlänge (Farbe) des emittierten Lichts hängt von der Bandlückenenergie des Halbleitermaterials ab. LED-Chips zeichnen sich durch ihre geringe Größe (typischerweise 0,1-1,0 mm²), hohe Lichtausbeute und gerichtete Lichtabstrahlung aus. LED-Chips arbeiten nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz in Halbleitermaterialien. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, werden Elektronen aus dem n-Bereich und Löcher aus dem p-Bereich in die aktive Zone injiziert. Diese Ladungsträger rekombinieren strahlend und geben Energie als Photonen ab. Die Bandlücke des Halbleitermaterials bestimmt die Photonenenergie und damit die Wellenlänge des emittierten Lichts. Die Chipstruktur umfasst mehrere epitaktische Schichten (n-Typ, aktive Zone, p-Typ), die auf einem Substrat aufgewachsen sind, mit Metallkontakten für die elektrische Verbindung.

Komponentenspezifikationen

Definition
LED-Chips, auch als LED-Dies bekannt, sind die Kern-Halbleiterkomponenten in LED-Gehäusen, die durch Elektrolumineszenz Licht erzeugen. Diese Chips bestehen aus mehreren Halbleiterschichten (typischerweise auf Galliumnitrid-Basis), die auf einem Substrat abgeschieden werden. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, rekombinieren Elektronen und Löcher und geben Energie in Form von Photonen ab. Die Wellenlänge (Farbe) des emittierten Lichts hängt von der Bandlückenenergie des Halbleitermaterials ab. LED-Chips zeichnen sich durch ihre geringe Größe (typischerweise 0,1-1,0 mm²), hohe Lichtausbeute und gerichtete Lichtabstrahlung aus.

LED-Chips arbeiten nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz in Halbleitermaterialien. Wenn eine Durchlassspannung an den p-n-Übergang angelegt wird, werden Elektronen aus dem n-Bereich und Löcher aus dem p-Bereich in die aktive Zone injiziert. Diese Ladungsträger rekombinieren strahlend und geben Energie als Photonen ab. Die Bandlücke des Halbleitermaterials bestimmt die Photonenenergie und damit die Wellenlänge des emittierten Lichts. Die Chipstruktur umfasst mehrere epitaktische Schichten (n-Typ, aktive Zone, p-Typ), die auf einem Substrat aufgewachsen sind, mit Metallkontakten für die elektrische Verbindung.
Funktionsprinzip
LED chips operate on the principle of electroluminescence in semiconductor materials. When forward bias voltage is applied to the p-n junction, electrons from the n-type region and holes from the p-type region are injected into the active region. These charge carriers recombine radiatively, releasing energy as photons. The semiconductor material's bandgap determines the photon energy and thus the emitted light wavelength. The chip structure includes multiple epitaxial layers (n-type, active region, p-type) grown on a substrate, with metal contacts for electrical connection.
Materialien
Hauptmaterialien: Galliumnitrid (GaN) für blaue/weiße LEDsAluminium-Gallium-Indium-Phosphid (AlGaInP) für rote/orange/gelbe LEDsGalliumarsenid (GaAs)-Substrate. Dotierstoffe: Silizium (n-Typ)Magnesium (p-Typ). Substrate: Saphir (Al₂O₃)Siliziumcarbid (SiC)Silizium (Si). Elektroden: Gold-Aluminium- oder Kupfermetallisierung.
Chip Size
0.1×0.1 mm to 1.0×1.0 mm
Luminous Flux
50-200 lumens per chip (at 350 mA)
Viewing Angle
120-140 degrees
Forward Current
20-350 mA
Forward Voltage
2.8-3.6V (typical for white LEDs)
Thermal Resistance
5-15 K/W
Dominant Wavelength
450-630 nm (depending on color)
Betriebstemperatur
-40°C to +125°C
Normen
ISO 23550IEC 62031JEDEC JESD51ANSI C78.377

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für LED-Chips/-Dies.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive forward current->Thermal runaway and catastrophic failure->Implement current limiting circuits and proper thermal management
Electrostatic discharge during handling->Immediate or latent damage to semiconductor junctions->Use ESD-protected workstations and proper handling procedures
Poor wire bonding->Intermittent electrical connection or complete open circuit->Implement automated optical inspection and pull testing of bonds

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Electrostatic discharge damage
1
Thermal degradation from poor heat dissipation
2
Current crowding leading to localized overheating
3
Delamination of metal contacts
4
Moisture ingress causing corrosion

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% for forward voltage, ±3nm for dominant wavelength, ±10% for luminous flux
test method
Integrating sphere measurement for luminous flux, spectrometer for chromaticity, temperature-controlled probe station for electrical characteristics

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between LED chips and LED packages?

LED chips are the bare semiconductor components that generate light, while LED packages include the chip mounted on a substrate with phosphor coating, encapsulation, and electrical connections for practical use.

How long do LED chips typically last?

Properly manufactured LED chips can operate for 50,000-100,000 hours before lumen output degrades to 70% of initial value, depending on operating conditions and thermal management.

What determines the color of light emitted by an LED chip?

The semiconductor material's bandgap energy determines the photon wavelength. Different materials (GaN for blue/white, AlGaInP for red/orange) produce different colors. White light is typically created by combining blue LED chips with phosphor coatings.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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URN:CNFX:ME:UNIT:LED_CHIPS_DIES