Strukturierte Komponentendaten · 2026

MEMS-Beschleunigungssensor-Chip

Ein MEMS-Beschleunigungssensor-Chip ist ein mikrotechnisch gefertigtes Siliziumbauteil, das lineare Beschleunigung entlang einer oder mehrerer Achsen mittels kapazitiver, piezoresistiver oder thermischer Messprinzipien erfasst und misst.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches MEMS-Beschleunigungssensor-Chip wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein MEMS-Beschleunigungssensor-Chip ist ein mikrotechnisch gefertigtes Siliziumbauteil, das lineare Beschleunigung entlang einer oder mehrerer Achsen mittels kapazitiver, piezoresistiver oder thermischer Messprinzipien erfasst und misst. Er besteht aus mikroskopischen mechanischen Strukturen (Prüfmassen, Federn und Elektroden), die mit elektronischen Schaltungen auf einem einzigen Siliziumsubstrat integriert sind, und ermöglicht so präzise Bewegungserfassung in kompakten Bauformen für Trägheitsnavigation, Vibrationsüberwachung und Bewegungssteuerungsanwendungen. Funktioniert nach dem zweiten Newtonschen Gesetz. Bei Beschleunigung wird eine aufgehängte Prüfmasse im Chip relativ zu festen Elektroden ausgelenkt, wodurch sich die Kapazität ändert. Diese Kapazitätsänderung wird von integrierten ASIC-Schaltungen in Spannungssignale umgewandelt und liefert digitale oder analoge Ausgänge proportional zur Beschleunigungsgröße und -richtung.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein MEMS-Beschleunigungssensor-Chip ist ein mikrotechnisch gefertigtes Siliziumbauteil, das lineare Beschleunigung entlang einer oder mehrerer Achsen mittels kapazitiver, piezoresistiver oder thermischer Messprinzipien erfasst und misst. Er besteht aus mikroskopischen mechanischen Strukturen (Prüfmassen, Federn und Elektroden), die mit elektronischen Schaltungen auf einem einzigen Siliziumsubstrat integriert sind, und ermöglicht so präzise Bewegungserfassung in kompakten Bauformen für Trägheitsnavigation, Vibrationsüberwachung und Bewegungssteuerungsanwendungen.

Funktioniert nach dem zweiten Newtonschen Gesetz. Bei Beschleunigung wird eine aufgehängte Prüfmasse im Chip relativ zu festen Elektroden ausgelenkt, wodurch sich die Kapazität ändert. Diese Kapazitätsänderung wird von integrierten ASIC-Schaltungen in Spannungssignale umgewandelt und liefert digitale oder analoge Ausgänge proportional zur Beschleunigungsgröße und -richtung.
Funktionsprinzip
Operates based on Newton's second law of motion. When subjected to acceleration, a suspended proof mass within the die deflects relative to fixed electrodes, changing capacitance. This capacitance variation is converted to voltage signals by integrated ASIC circuitry, providing digital or analog output proportional to acceleration magnitude and direction.
Materialien
Einkristallines Siliziumsubstrat (typischerweise 100-500 μm dick)Siliziumdioxid-IsolationsschichtenAluminium- oder Kupfermetallisierung für VerbindungenSiliziumnitrid-PassivierungsschichtGold- oder Lotbumps für die Gehäuseverbindung.
Bandwidth
0.5-5000 Hz
Resolution
0.1-10 mg
Sensitivity
0.5-800 mV/g (analog), 0.25-8192 LSB/g (digital)
Package Size
3x3 mm to 5x5 mm
Noise Density
25-400 μg/√Hz
Supply Voltage
1.8V to 5.5V
Output Interface
I2C, SPI, Analog
Measurement Range
±2g to ±200g
Axis Configuration
1, 2, or 3-axis
Einsatztemperatur
-40°C to +125°C
Normen
ISO 16063-21IEC 60747-14-1JEDEC JESD22-A114

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für MEMS-Beschleunigungssensor-Chip.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive mechanical shock during handling or operation->Fracture of suspension springs or proof mass anchors->Implement shock stops in mechanical design, use protective packaging during transport, limit operational g-range
Electrostatic discharge from improper handling->Gate oxide breakdown in CMOS circuitry, latch-up events->ESD-protected workstations, conductive packaging, on-chip ESD protection diodes
Moisture ingress due to hermeticity failure->Stiction, corrosion of metal traces, parameter drift->Hermetic wafer-level packaging, moisture getters, conformal coating

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Mechanical shock exceeding proof mass displacement limits
1
Electrostatic discharge damaging sensitive circuitry
2
Contamination during handling affecting moving parts
3
Thermal stress causing package delamination
4
Solder joint fatigue under vibration

Konformität und Prüfung

tolerance
±0.5% full-scale for sensitivity, ±50 mg for zero-g offset, ±0.01%/°C for temperature coefficient
test method
Three-axis precision rate table calibration, temperature cycling (-40°C to +125°C), vibration testing per MIL-STD-810G, shock testing up to 5000g, long-term stability monitoring

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between MEMS accelerometer die and packaged accelerometer?

The die is the bare silicon chip containing the sensing structures and electronics, while packaged accelerometer includes the die mounted in a protective housing with electrical connections, environmental sealing, and sometimes additional signal conditioning.

How does temperature affect MEMS accelerometer performance?

Temperature variations cause thermal expansion of materials and changes in electronic properties, leading to bias drift and sensitivity variation. High-quality dies incorporate temperature compensation circuits and use materials with matched thermal coefficients.

What are common failure modes of MEMS accelerometer dies?

Stiction (permanent adhesion of moving parts), fatigue fracture of suspension springs, contamination particles causing mechanical interference, electrostatic discharge damage to circuitry, and hermeticity failure leading to moisture ingress.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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Fertigung für MEMS-Beschleunigungssensor-Chip?

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Vorherige Komponente
MAC-Kern
Naechste Komponente
MEMS-Gyroskop-Chip
URN:CNFX:ME:UNIT:MEMS_ACCELEROMETER_DIE