Strukturierte Komponentendaten · 2026

Photodioden-Array

Ein Photodioden-Array (PDA) ist ein integrierter Schaltkreis mit mehreren Photodioden in einer bestimmten geometrischen Anordnung, typischerweise linearen oder zweidimensionalen Arrays.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Photodioden-Array wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Photodioden-Array (PDA) ist ein integrierter Schaltkreis, der mehrere Photodioden in einer bestimmten geometrischen Konfiguration enthält, typischerweise lineare oder zweidimensionale Arrays. Jede Photodiode fungiert als einzelnes lichtempfindliches Element, das einen Photostrom proportional zur einfallenden Lichtintensität erzeugt. In Bildsensoren dienen PDAs als primäre Lichtdetektionsschicht, die optische Informationen in elektrische Signale umwandeln, die verarbeitet werden können, um digitale Bilder zu erzeugen. Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören spektraler Empfindlichkeitsbereich, Quantenausbeute, Dunkelstrom, Ansprechzeit und Pixelabstand. Photodioden arbeiten nach dem Prinzip des photoelektrischen Effekts in Halbleiter-p-n-Übergängen. Wenn Photonen mit ausreichender Energie die Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Das eingebaute elektrische Feld trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom proportional zur Lichtintensität. In Array-Konfigurationen fungiert jede Photodiode als unabhängiges Pixel, wobei Ausleseschaltungen die Photoströme sequenziell oder parallel messen, um die räumliche Lichtverteilung zu rekonstruieren.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Photodioden-Array (PDA) ist ein integrierter Schaltkreis, der mehrere Photodioden in einer bestimmten geometrischen Konfiguration enthält, typischerweise lineare oder zweidimensionale Arrays. Jede Photodiode fungiert als einzelnes lichtempfindliches Element, das einen Photostrom proportional zur einfallenden Lichtintensität erzeugt. In Bildsensoren dienen PDAs als primäre Lichtdetektionsschicht, die optische Informationen in elektrische Signale umwandeln, die verarbeitet werden können, um digitale Bilder zu erzeugen. Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören spektraler Empfindlichkeitsbereich, Quantenausbeute, Dunkelstrom, Ansprechzeit und Pixelabstand.

Photodioden arbeiten nach dem Prinzip des photoelektrischen Effekts in Halbleiter-p-n-Übergängen. Wenn Photonen mit ausreichender Energie die Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Das eingebaute elektrische Feld trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom proportional zur Lichtintensität. In Array-Konfigurationen fungiert jede Photodiode als unabhängiges Pixel, wobei Ausleseschaltungen die Photoströme sequenziell oder parallel messen, um die räumliche Lichtverteilung zu rekonstruieren.
Funktionsprinzip
Photodiodes operate on the principle of the photoelectric effect in semiconductor p-n junctions. When photons with sufficient energy strike the depletion region, they generate electron-hole pairs. The built-in electric field separates these charge carriers, creating a photocurrent proportional to light intensity. In array configurations, each photodiode acts as an independent pixel, with readout circuits sequentially or simultaneously measuring photocurrents to reconstruct spatial light distribution.
Materialien
Silizium (Si) für den sichtbaren bis nahen Infrarotbereich (400-1100 nm)Germanium (Ge) für InfrarotanwendungenIndiumgalliumarsenid (InGaAs) für den erweiterten InfrarotbereichSiliziumkarbid (SiC) für UV-Anwendungen. Substrate umfassen typischerweise Siliziumwafer mit epitaktischen Schichtendie für spezifische spektrale Empfindlichkeiten optimiert sind.
Pixel Pitch
10-100 μm
Dark Current
<1 nA/cm² at 25°C
Dynamic Range
60-100 dB
Response Time
1-100 ns
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Operating Voltage
5-15 V
Quantum Efficiency
>80% at peak wavelength
Array Configuration
Linear: 128-4096 elements, Area: 256x256 to 4096x4096
Normen
ISO 12232ISO 15739DIN 58141DIN EN 62471

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Photodioden-Array.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

High operating temperature->Increased dark current and thermal noise->Implement thermal management (heat sinks, Peltier coolers), operate within specified temperature ranges
Electrostatic discharge (ESD)->Permanent damage to semiconductor junctions->Use ESD protection circuits, proper handling procedures, antistatic packaging
Optical overexposure->Saturation and potential damage to photodiodes->Implement automatic gain control, optical filters, exposure time limitations

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal noise at high temperatures
1
Saturation from excessive light exposure
2
Crosstalk between adjacent pixels
3
Degradation from UV radiation
4
Moisture sensitivity in packaging

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% spectral response uniformity across array, ±2% linearity deviation
test method
ISO 12232 for sensitivity measurement, spectral response testing with monochromator, uniformity testing with calibrated light source

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between photodiode arrays and CCD/CMOS sensors?

Photodiode arrays are the light-sensitive elements in both CCD and CMOS sensors. CCDs use charge-coupled devices for readout, while CMOS sensors integrate amplification and readout circuits at each pixel. PDAs provide the photodetection function in both architectures.

How does pixel pitch affect image quality?

Smaller pixel pitch increases spatial resolution but reduces light collection area per pixel, potentially decreasing signal-to-noise ratio. Optimal pitch balances resolution requirements with sensitivity needs for specific applications.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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Phototransistor-Chip
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE_ARRAY