Strukturierte Komponentendaten · 2026

Phototransistor-Chip

Der Phototransistor-Chip ist der Halbleiterkern eines Phototransistors, typischerweise aus Silizium oder anderen Halbleitermaterialien gefertigt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Phototransistor-Chip wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Phototransistor-Chip ist der Halbleiterkern eines Phototransistors, typischerweise aus Silizium oder anderen Halbleitermaterialien gefertigt. Er fungiert als lichtempfindlicher Transistor, bei dem einfallende Photonen im Basisbereich Elektron-Loch-Paare erzeugen und den Fotostrom durch die Transistorwirkung verstärken. Dieses Bauelement ist das kritische Element in Fotokopplern/Optokopplern, da es eine elektrische Isolierung zwischen Schaltkreisen ermöglicht, während Signale über Licht übertragen werden. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt in Kombination mit der Verstärkung durch den Bipolartransistor. Wenn Licht auf den Basis-Kollektor-Übergang trifft, erzeugen Photonen Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Basisstrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Dieser Strom wird durch die Stromverstärkung (β) des Transistors verstärkt, was einen größeren Kollektorstrom am Ausgang erzeugt. In Fotokoppler-Baugruppen sendet eine LED Licht auf den Phototransistor-Chip, wodurch ein isolierter Signalpfad entsteht.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Phototransistor-Chip ist der Halbleiterkern eines Phototransistors, typischerweise aus Silizium oder anderen Halbleitermaterialien gefertigt. Er fungiert als lichtempfindlicher Transistor, bei dem einfallende Photonen im Basisbereich Elektron-Loch-Paare erzeugen und den Fotostrom durch die Transistorwirkung verstärken. Dieses Bauelement ist das kritische Element in Fotokopplern/Optokopplern, da es eine elektrische Isolierung zwischen Schaltkreisen ermöglicht, während Signale über Licht übertragen werden.

Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt in Kombination mit der Verstärkung durch den Bipolartransistor. Wenn Licht auf den Basis-Kollektor-Übergang trifft, erzeugen Photonen Elektron-Loch-Paare, wodurch ein Basisstrom entsteht, der proportional zur Lichtintensität ist. Dieser Strom wird durch die Stromverstärkung (β) des Transistors verstärkt, was einen größeren Kollektorstrom am Ausgang erzeugt. In Fotokoppler-Baugruppen sendet eine LED Licht auf den Phototransistor-Chip, wodurch ein isolierter Signalpfad entsteht.
Funktionsprinzip
Operates on the photoelectric effect combined with bipolar transistor amplification. When light strikes the base-collector junction, photons generate electron-hole pairs, creating a base current proportional to light intensity. This current is amplified by the transistor's current gain (β), producing a larger collector current output. In photocoupler assemblies, an LED emits light onto the phototransistor die, creating an isolated signal path.
Materialien
Silizium (Si) Halbleitersubstrat mit dotierten Bereichen (N-Typ und P-Typ)Siliziumdioxid (SiO₂) PassivierungsschichtenAluminium- oder Goldmetallisierung für Kontakte und manchmal Epoxidharz-Verkapselung in der Endmontage.
Package Type
Surface-mount (SMD) or through-hole
Rise/Fall Time
2-15μs
Isolation Voltage
1500-5000Vrms
Collector Current (Ic)
10-100mA
Wavelength Sensitivity
400-1100 nm (peak around 850-950 nm)
Current Transfer Ratio (CTR)
20-600%
Collector Emitter Voltage (Vceo)
30-80V
Normen
ISO 9001IEC 60747-5-2JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Phototransistor-Chip.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Electrostatic discharge (ESD) during assembly->Permanent damage to semiconductor junctions->Implement ESD-protected workstations, proper grounding, and handling procedures
Moisture ingress in packaging->Corrosion of metallization, reduced reliability->Use hermetic sealing or moisture-resistant encapsulants, follow IPC moisture sensitivity levels
Excessive forward current in driving LED->Premature aging, reduced CTR over time->Implement current limiting circuits, derate operating parameters

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
ESD sensitivity during handling
1
Contamination affecting light sensitivity
2
Thermal runaway at high currents
3
Degradation from prolonged UV exposure

Konformität und Prüfung

tolerance
±10% on CTR, ±5nm on spectral response
test method
IEC 60747-5-2 for optoelectronic devices, including light-current characteristics, isolation voltage testing, and environmental stress testing

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between a phototransistor die and a photodiode?

A phototransistor die provides internal current amplification (gain) through transistor action, making it more sensitive than a photodiode which has no amplification. Phototransistors have slower response times but higher output current for given light levels.

How does temperature affect phototransistor die performance?

Temperature increases dark current (leakage) and can reduce current transfer ratio (CTR). Proper thermal design and derating are essential for stable operation in industrial environments.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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Vorherige Komponente
Photodioden-Array
Naechste Komponente
Physical Medium Attachment (PMA)
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTOTRANSISTOR_DIE