Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotodiodenelemente

Fotodiodenelemente sind halbleiterbasierte optoelektronische Bauelemente, die bei Lichteinwirkung durch den photoelektrischen Effekt einen elektrischen Strom erzeugen.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotodiodenelemente wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Fotodiodenelemente sind halbleiterbasierte optoelektronische Bauelemente, die bei Lichteinwirkung durch den photoelektrischen Effekt einen elektrischen Strom erzeugen. Diese Elemente dienen als einzelne Erfassungseinheiten in Fotodetektor-Arrays und wandeln einfallende Photonen in messbare elektrische Signale um, die durch spezifische spektrale Empfindlichkeits-, Responsivitäts- und Ansprechzeitparameter gekennzeichnet sind. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone des Halbleiters erzeugen und so einen Fotostrom erzeugen, der proportional zur Lichtintensität ist. Eine Sperrspannung erhöht die Empfindlichkeit und Ansprechgeschwindigkeit, indem sie die Verarmungszone verbreitert und die Sperrschichtkapazität verringert.

Komponentenspezifikationen

Definition
Fotodiodenelemente sind halbleiterbasierte optoelektronische Bauelemente, die bei Lichteinwirkung durch den photoelektrischen Effekt einen elektrischen Strom erzeugen. Diese Elemente dienen als einzelne Erfassungseinheiten in Fotodetektor-Arrays und wandeln einfallende Photonen in messbare elektrische Signale um, die durch spezifische spektrale Empfindlichkeits-, Responsivitäts- und Ansprechzeitparameter gekennzeichnet sind.

Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt, bei dem einfallende Photonen mit ausreichender Energie Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone des Halbleiters erzeugen und so einen Fotostrom erzeugen, der proportional zur Lichtintensität ist. Eine Sperrspannung erhöht die Empfindlichkeit und Ansprechgeschwindigkeit, indem sie die Verarmungszone verbreitert und die Sperrschichtkapazität verringert.
Funktionsprinzip
Operates on the photoelectric effect where incident photons with sufficient energy create electron-hole pairs in the semiconductor depletion region, generating photocurrent proportional to light intensity. Reverse bias voltage enhances sensitivity and response speed by widening the depletion region and reducing junction capacitance.
Materialien
Silizium (Si) für den sichtbaren bis nahen Infrarotbereich (400-1100 nm)Germanium (Ge) für Infrarot (800-1800 nm)Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für erweitertes Infrarot (900-2600 nm)Siliziumkarbid (SiC) für UV-Anwendungen
Active Area
0.1-100 mm²
Capacitance
1-100 pF
Dark Current
0.1-100 nA
Responsivity
0.3-1.2 A/W
Response Time
1 ns - 100 μs
Spectral Range
190-2600 nm (depending on material)
Breakdown Voltage
20-200 V
Normen
ISO 10110-8IEC 60747-5DIN 58141-2

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodiodenelemente.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Electrostatic discharge during handling->Permanent damage to semiconductor junction->ESD-protected workstations, proper grounding, antistatic packaging
Excessive reverse bias voltage->Breakdown and permanent damage->Voltage limiting circuits, proper power supply design
Contamination on active surface->Reduced sensitivity and measurement errors->Clean room assembly, protective coatings, regular maintenance

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Electrostatic discharge damage
1
Optical overexposure causing saturation or damage
2
Thermal runaway in high-power applications
3
Moisture ingress affecting performance

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% responsivity variation, ±2 nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5 for electrical characteristics, ISO 10110-8 for optical parameters, dark current measurement at specified bias voltage

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between PIN and avalanche photodiodes?

PIN photodiodes have an intrinsic region between p and n layers for better quantum efficiency, while avalanche photodiodes (APDs) use internal gain through impact ionization for higher sensitivity but require precise voltage control.

How does temperature affect photodiode performance?

Temperature increases dark current (approximately doubling every 10°C) and can shift spectral response. Thermal management is critical for precision applications.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotodiodenelemente

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Naechste Komponente
Fotoempfindliche Elemente
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE_ELEMENTS