Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Photodetektor-Array

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Photodetektor-Array im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Elementanzahl bis Pixelabstand eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Photodetektor-Array wird durch die Baugruppe aus Fotodioden-Elemente und Verdrahtungsmatrix beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Ein Array von Photodetektoren, das optische Signale in elektrische Signale zur Positions- oder Bewegungserkennung umwandelt.

Photodetektor-Array in einer industriellen Fertigungsumgebung
Repräsentative Produktabbildung. Aussehen und Spezifikationen mit dem Hersteller bestätigen.

Technische Definition

Ein Photodetektor-Array ist eine kritische Komponente in einem Encodersystem, bestehend aus mehreren lichtempfindlichen Elementen, die in einem Muster angeordnet sind. Es erkennt Lichtmuster von einer Encoderscheibe oder einem Maßstab und wandelt sie in elektrische Signale um, die verarbeitet werden, um präzise Position, Geschwindigkeit oder Bewegungsrichtung zu bestimmen. Das Array besteht typischerweise aus Silizium-, Galliumarsenid- (GaAs) oder Indiumgalliumarsenid-Photodioden (InGaAs), wobei jedes Element einen Strom proportional zur einfallenden Lichtintensität erzeugt. Die räumliche Anordnung der Elemente ermöglicht die Erkennung phasenverschobener Signale (z. B. Quadratursignale) für genaue Positionsinterpolation und Richtungserkennung. Zu den wichtigsten Parametern gehören die Anzahl der Elemente (16–256 Pixel), Pixelabstand (25–100 µm), Spektralbereich (400–1100 nm), Peak-Empfindlichkeitswellenlänge (850–950 nm), Responsivität (0,4–0,6 A/W), Dunkelstrom (0,1–10 nA), Anstiegszeit (10–100 ns), Betriebstemperatur (-40–85 °C), Versorgungsspannung (5–24 V DC), Ausgangstyp (analog oder digital), Gehäusetyp (DIP oder SMD) und Abmessungen (10–30 mm). Diese Werte sind typische Bereiche und müssen für das spezifische Modell und die Anwendung verifiziert werden. Die Leistung des Arrays beeinflusst direkt die Encoderauflösung und -genauigkeit. Bei der Auswahl müssen die Wellenlänge der Lichtquelle, die erforderliche Auflösung, die Signalverarbeitungsschnittstelle und die Umgebungsbedingungen berücksichtigt werden. Die Verifizierung mit dem Hersteller ist unerlässlich, um Kompatibilität und Einhaltung geltender Normen zu bestätigen. Wartungssignale umfassen reduzierte Signalamplitude oder erhöhtes Rauschen, was auf Verschmutzung oder Degradation hinweist. Fehlergrenzen umfassen Exposition gegenüber übermäßiger Lichtintensität, elektrostatischer Entladung oder Betrieb außerhalb der angegebenen Temperaturgrenzen.

Funktionsprinzip

Das Photodetektor-Array empfängt moduliertes Licht (typischerweise von einer LED oder einem Laser), das durch ein Encodermuster hindurchtritt oder von ihm reflektiert wird. Jedes Photodetektorelement erzeugt einen elektrischen Strom proportional zur einfallenden Lichtintensität. Die räumliche Anordnung des Arrays ermöglicht die Erkennung phasenverschobener Signale (z. B. Quadratursignale) für genaue Positionsinterpolation und Richtungserkennung. Die Ausgangssignale werden typischerweise von einer Schnittstellenschaltung verstärkt und verarbeitet, um Positions- oder Bewegungsdaten zu erzeugen.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Elementanzahl16–256 PixelDetermines spatial resolution for position sensing.
Pixelabstand25–100 µmSmaller pitch improves resolution but reduces sensitivity.
Spektralbereich400–1100 nmCovers visible to near-infrared.
Wellenlänge maximaler Empfindlichkeit850–950 nmTypical for silicon photodiodes.
Empfindlichkeit0.4–0.6 A/WAt peak wavelength.
Dunkelstrom0.1–10 nALower is better for low-light detection.
Anstiegszeit10–100 nsAffects maximum modulation frequency.
Betriebstemperatur-40–85 °CExtended range may require cooling.
Versorgungsspannung5–24 V DCTypical for integrated amplifiers.
AusgangstypAnalog/DigitalDigital output simplifies interface.
GehäusetypDIP/SMDSMD for compact designs.
Abmessungen10–30 mmLength of array package.

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Silizium Galliumarsenid (GaAs) Indiumgalliumarsenid (InGaAs)

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Fotodioden-Elemente
    Wandeln einfallende Photonen durch den photoelektrischen Effekt in elektrischen Strom um
    Material: Halbleitermaterialien (Si, GaAs, InGaAs)
  • Verdrahtungsmatrix
    Leitet elektrische Signale von einzelnen Fotodetektoren zu Ausgangsklemmen
    Material: Aluminium- oder Kupfermetallisierung
  • Schutzfenster
    Schützt empfindliche Photodetektor-Elemente vor Umwelteinflüssen bei gleichzeitiger Lichtdurchlässigkeit
    Material: Glas oder optisch hochwertiges Polymer

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Elektrostatische Entladung (ESD) über 1000V HBM Photodioden-Sperrschicht-Kurzschluss, Dunkelstromanstieg auf >10 μA Integrierte ESD-Schutzdioden mit 500V Klemmspannung, antistatische Handhabungsverfahren.
Thermische Zyklen zwischen -40 °C und +125 °C bei 10 Zyklen/Stunde Lötstellenermüdungsversagen, Verbindungswiderstandserhöhung >100 mΩ Gold-Zinn-Eutektikum-Lot mit 96,5Sn-3,0Ag-0,5Cu-Zusammensetzung, thermische Spannungsentlastungsstrukturen.

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
0,1-1000 μW/cm² optische Leistungsdichte, -40 °C bis +85 °C Umgebungstemperatur.
Belastungs- und Ausfallgrenzen
Sättigung bei 1500 μW/cm² optischem Eingang, der nichtlineares Ansprechverhalten verursacht, permanente Beschädigung bei 2000 μW/cm² aufgrund von Photodioden-Sperrschicht-Durchbruch.
Photodioden-Sperrschicht-Durchbruch unter übermäßigem Photonenfluss, der die Absorptionskapazität der Halbleiter-Bandlückenenergie überschreitet (1,12 eV für Silizium).
Fertigungskontext
Photodetektor-Array wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Betriebsdruck:Atmosphärisch bis 1,5 bar
Weitere Spezifikationen:Wellenlängenbereich: 400-1100 nm, Ansprechzeit: <10 ns
Betriebstemperatur:-40 °C bis +85 °C
Montage- und Anwendungskompatibilität
Saubere LuftumgebungenOptische GlasgrenzflächenNicht-korrosive Gasatmosphären
Nicht geeignet: Umgebungen mit hoher Partikel- oder abrasiver Schlammbelastung
Auslegungsdaten
  • Erforderliche räumliche Auflösung (Pixelabstand)
  • Signalwellenlängenbereich
  • Minimale detektierbare Lichtintensität (NEP)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Pixeldegradation
Ursache: Thermische Belastung durch Dauerbetrieb oder Umgebungstemperaturschwankungen, die Materialermüdung und reduzierte Empfindlichkeit verursachen.
Signaldrift
Ursache: Kontaminationsansammlung auf optischen Oberflächen oder Alterung elektronischer Komponenten, die zu Kalibrierungsverlust führt.
Wartungsindikatoren
  • Inkonsistente Ausgangswerte oder Signalrauschen unter stabilen Lichtbedingungen.
  • Sichtbare partikuläre Kontamination oder Kondensation auf den optischen Fenstern.
Technische Hinweise
  • Implementieren Sie ein kontrolliertes Wärmemanagement mit geeigneter Wärmesenke und vermeiden Sie schnelle Temperaturwechselzyklen.
  • Etablieren Sie regelmäßige optische Reinigungsprotokolle mit zugelassenen Materialien und halten Sie eine staubfreie Betriebsumgebung aufrecht.

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
ISO 9022-11:2015 (Optische Komponenten - Umweltprüfverfahren)DIN EN 60747-5-2:2003 (Diskrete Halbleiterbauelemente - Optoelektronische Bauelemente)
Fertigungsgenauigkeit
  • Pixelabstand-Gleichförmigkeit: +/-0,5 % über das Array
  • Spektrale Ansprechverhalten-Abweichung: +/-3 nm von der spezifizierten Wellenlänge
Qualitätsprüfung
  • Dunkelstrom-Gleichförmigkeitstest (Messung des Leckstroms über alle Pixel)
  • Quanteneffizienz-Verifizierung (Spektrale Ansprechverhalten-Messung bei spezifizierten Wellenlängen)

Hersteller von Photodetektor-Array

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Was ist der typische Spektralbereich eines Photodetektor-Arrays?

Der Spektralbereich liegt typischerweise bei 400–1100 nm und deckt sichtbares bis nahes Infrarot ab. Die Peak-Empfindlichkeit liegt bei Silizium-Photodioden üblicherweise bei 850–950 nm. Bestätigen Sie den genauen Bereich für Ihr Modell.

Wie beeinflusst der Pixelabstand die Encoderauflösung?

Ein kleinerer Pixelabstand verbessert die räumliche Auflösung, kann aber die Empfindlichkeit verringern. Der typische Abstand beträgt 25–100 µm. Wählen Sie einen Abstand, der Auflösung und Signalstärke für Ihre Anwendung ausbalanciert.

Welche Ausgangstypen sind verfügbar?

Der Ausgang kann analog oder digital sein. Analoge Ausgänge liefern Rohsignale für die externe Verarbeitung, während digitale Ausgänge die Schnittstelle zu digitalen Systemen vereinfachen. Bestätigen Sie Ausgangstyp und Signalpegel mit dem Hersteller.

Was sind häufige Fehlermodi?

Häufige Probleme sind reduzierte Signalamplitude durch Verschmutzung, erhöhter Dunkelstrom durch Temperaturbelastung und Schäden durch elektrostatische Entladung oder übermäßiges Licht. Der Betrieb innerhalb der angegebenen Temperatur- und Spannungsgrenzen ist entscheidend.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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