Eine Fotodiode ist ein spezialisiertes Halbleiterbauelement, das einfallende Lichtphotonen durch den photoelektrischen Effekt in proportionalen elektrischen Strom umwandelt.
Eine Fotodiode ist ein spezialisiertes Halbleiterbauelement, das dazu dient, einfallende Lichtphotonen zu erkennen und durch den photoelektrischen Effekt in einen proportionalen elektrischen Strom umzuwandeln. In Transceiver-Modulen fungiert sie als optischer Empfänger, der modulierte Lichtsignale aus Glasfasern erfasst und in elektrische Signale umwandelt, die von Kommunikationssystemen weiterverarbeitet werden. Diese Bauelemente arbeiten in Sperrrichtung, um schnelle Ansprechzeiten und hohe Empfindlichkeit über bestimmte Wellenlängenbereiche zu erreichen. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt, bei dem einfallende Lichtphotonen mit ausreichender Energie Elektron-Loch-Paare in der Verarmungszone des Halbleiters erzeugen. Unter Sperrspannung werden diese Ladungsträger über den pn-Übergang getrieben und erzeugen einen Photostrom, der proportional zur Lichtintensität ist. Die PIN-Struktur (p-i-n) wird üblicherweise für optimale Leistung in Kommunikationsanwendungen verwendet.
Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodiode (Empfänger).
Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme
Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
PIN photodiodes have a simple intrinsic region structure with linear response, while APD (Avalanche Photodiode) photodiodes use internal gain through avalanche multiplication for higher sensitivity but require precise voltage control.
Material selection depends on target wavelength: Silicon for visible/short infrared (400-1100 nm), Germanium for near-infrared (800-1700 nm), and InGaAs for telecommunications bands (1310/1550 nm).
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.
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