Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotodioden-Chip

Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotodioden-Chip wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt. Diese Chips werden typischerweise aus Silizium, Germanium oder III-V-Verbindungshalbleitern wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für bestimmte Wellenlängenbereiche hergestellt. Sie weisen eine PIN- (p-i-n) oder Lawinenstruktur auf, um die Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Rauscheigenschaften für präzise Lichtmessungen in industriellen Sensoren zu optimieren. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt: Wenn Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial in der Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Eine angelegte Sperrspannung trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Dieser Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um ein messbares elektrisches Ausgangssignal zu liefern, das den Lichtverhältnissen entspricht.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt. Diese Chips werden typischerweise aus Silizium, Germanium oder III-V-Verbindungshalbleitern wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für bestimmte Wellenlängenbereiche hergestellt. Sie weisen eine PIN- (p-i-n) oder Lawinenstruktur auf, um die Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Rauscheigenschaften für präzise Lichtmessungen in industriellen Sensoren zu optimieren.

Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt: Wenn Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial in der Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Eine angelegte Sperrspannung trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Dieser Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um ein messbares elektrisches Ausgangssignal zu liefern, das den Lichtverhältnissen entspricht.
Funktionsprinzip
Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt: Wenn Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial in der Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Eine angelegte Sperrspannung trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Dieser Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um eine messbare elektrische Ausgabe entsprechend den Lichtpegeln zu liefern.
Materialien
Primär: Silizium (Si) für sichtbares bis nahes Infrarot (400-1100 nm). Alternativen: Germanium (Ge) für Infrarot bis 1800 nmIndiumgalliumarsenid (InGaAs) für 800-2600 nm. Gehäuse: Keramik- oder Metallgehäuse mit Glas-/Quarzfenster. Kontakte: Gold- oder Aluminium-Drahtbonding.
Anstiegszeit
1-100ns
Aktive Fläche
0.1-100mm²
Dunkelstrom
1-100nA
Empfindlichkeit
0.4-0.6A/W
Wellenlängenbereich
400-1100nm
Betriebsspannung
5-100V
Temperaturbereich
-40°C to +85°C
Normen
ISO 10110-8IEC 60747-5JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodioden-Chip.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Elektrostatische Entladung während der Installation->Permanente Schädigung des Halbleiterübergangs, was zu hohem Dunkelstrom oder vollständigem Ausfall führt->ESD-sichere Handhabungsverfahren, geerdete Arbeitsplätze und geeignete Verpackung verwenden
Übermäßige Sperrspannung->Durchbruch des PN-Übergangs, was zu thermischem Durchgehen und katastrophalem Ausfall führt->Spannungsbegrenzungsschaltungen implementieren und die maximalen Nennwerte des Herstellers einhalten
Feuchtigkeitseintritt in das Gehäuse->Korrosion der Kontakte und Verschlechterung der optischen Eigenschaften im Laufe der Zeit->Hermetische Abdichtung und Schutzbeschichtung für raue Umgebungen verwenden

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

Montage- und Anwendungskompatibilität
Dieser Photodioden-Chip ist geeignet für optische Empfänger, Spektralphotometer, Laserleistungsmesser, Glasfaser-Kommunikationssysteme und industrielle Automatisierungssensoren. Vor der Bestellung prüfen Sie bitte, ob Wellenlängenbereich, Reaktionsgeschwindigkeit, aktive Fläche und Gehäuse Ihren Anforderungen entsprechen.
Typische Lieferanten und Äquivalente
Engineering-Risiken
  • Elektrostatische Entladungsschäden bei der Handhabung
  • Thermische Degradation bei hohen Betriebstemperaturen
  • Kontamination des optischen Fensters beeinträchtigt die Empfindlichkeit
  • Sättigung durch übermäßige Lichtintensität

Konformität und Prüfung

Toleranz
±5% Empfindlichkeitsabweichung über Produktionschargen, ±2% spektrale Antwortkonsistenz
Prüfverfahren
IEC 60747-5 für photoelektrische Eigenschaften, MIL-STD-883 für Umwelttests, ISO 10110 für optische Spezifikationen

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

GLSUN (Guilin GLSUN Science and Tech Group Co.,Ltd)
· Guangxi · CN
Xiamen SAN-U Optronics Co., Ltd.
Xiamen · Fujian · CN

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

Was ist der Unterschied zwischen einem Photodioden-Chip und einem Fototransistor?

Ein Photodioden-Chip erzeugt direkt Strom aus Licht mit schnellerer Reaktion, aber geringerer Verstärkung, während ein Fototransistor interne Verstärkung bietet, aber langsamer und rauschiger ist.

Wie wähle ich den richtigen Photodioden-Chip für meine Anwendung aus?

Berücksichtigen Sie Wellenlängenempfindlichkeit, Reaktionsgeschwindigkeit, Größe der aktiven Fläche, Dunkelstrom und Gehäuse basierend auf Ihrer Lichtquelle, Signalfrequenz und Umgebungsbedingungen.

Können Photodioden-Chips ultraviolettes oder ferninfrarotes Licht erkennen?

Standard-Silizium-Chips erkennen sichtbares bis nahes Infrarot; für UV sind spezielle Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) erforderlich, für fernes IR Quecksilber-Cadmium-Tellurid (MCT).

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotodioden-Chip

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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