Strukturierte Komponentendaten · 2026

Fotodioden-Chip

Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Fotodioden-Chip wird in Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt. Diese Chips werden typischerweise aus Silizium, Germanium oder III-V-Verbindungshalbleitern wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für bestimmte Wellenlängenbereiche hergestellt. Sie weisen eine PIN- (p-i-n) oder Lawinenstruktur auf, um die Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Rauscheigenschaften für präzise Lichtmessungen in industriellen Sensoren zu optimieren. Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt: Wenn Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial in der Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Eine angelegte Sperrspannung trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Dieser Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um ein messbares elektrisches Ausgangssignal zu liefern, das den Lichtverhältnissen entspricht.

Komponentenspezifikationen

Definition
Ein Fotodioden-Chip ist ein spezielles Halbleiterbauelement, das Licht erkennt und es durch den photoelektrischen Effekt in ein elektrisches Signal umwandelt. Diese Chips werden typischerweise aus Silizium, Germanium oder III-V-Verbindungshalbleitern wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs) für bestimmte Wellenlängenbereiche hergestellt. Sie weisen eine PIN- (p-i-n) oder Lawinenstruktur auf, um die Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Rauscheigenschaften für präzise Lichtmessungen in industriellen Sensoren zu optimieren.

Funktioniert nach dem photoelektrischen Effekt: Wenn Photonen mit ausreichender Energie auf das Halbleitermaterial in der Verarmungszone treffen, erzeugen sie Elektron-Loch-Paare. Eine angelegte Sperrspannung trennt diese Ladungsträger und erzeugt einen Photostrom, der proportional zur einfallenden Lichtintensität ist. Dieser Strom wird dann verstärkt und verarbeitet, um ein messbares elektrisches Ausgangssignal zu liefern, das den Lichtverhältnissen entspricht.
Funktionsprinzip
Operates on the photoelectric effect: when photons with sufficient energy strike the semiconductor material in the depletion region, they generate electron-hole pairs. An applied reverse bias voltage separates these charge carriers, creating a photocurrent proportional to the incident light intensity. This current is then amplified and processed to provide measurable electrical output corresponding to light levels.
Materialien
Primär: Silizium (Si) für sichtbares bis nahes Infrarot (400-1100 nm). Alternativen: Germanium (Ge) für Infrarot bis 1800 nmIndiumgalliumarsenid (InGaAs) für 800-2600 nm. Gehäuse: Keramik- oder Metallgehäuse mit Glas-/Quarzfenster. Kontakte: Gold- oder Aluminium-Drahtbonding.
Rise Time
1-100 ns
Active Area
0.1-100 mm²
Dark Current
1-100 nA at rated bias
Responsivity
0.4-0.6 A/W at peak wavelength
Wavelength Range
400-1100 nm (Si typical)
Operating Voltage
5-100 V reverse bias
Einsatztemperatur
-40°C to +85°C
Normen
ISO 10110-8IEC 60747-5JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Fotodioden-Chip.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Electrostatic discharge during installation->Permanent damage to semiconductor junction, causing high dark current or complete failure->Use ESD-safe handling procedures, grounded workstations, and proper packaging
Excessive reverse bias voltage->Breakdown of PN junction, leading to thermal runaway and catastrophic failure->Implement voltage clamping circuits and follow manufacturer's maximum ratings
Moisture ingress in packaging->Corrosion of contacts and degradation of optical properties over time->Use hermetic sealing and conformal coating for harsh environments

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Electrostatic discharge damage during handling
1
Thermal degradation at high operating temperatures
2
Optical window contamination affecting sensitivity
3
Saturation from excessive light intensity

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% responsivity variation across production batches, ±2% spectral response consistency
test method
IEC 60747-5 for photoelectric characteristics, MIL-STD-883 for environmental testing, ISO 10110 for optical specifications

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between a photodiode chip and a phototransistor?

A photodiode chip generates current directly from light with faster response but lower gain, while a phototransistor provides internal amplification but slower speed and higher noise.

How do I select the right photodiode chip for my application?

Consider wavelength sensitivity, response speed, active area size, dark current, and packaging based on your light source, signal frequency, and environmental conditions.

Can photodiode chips detect ultraviolet or far-infrared light?

Standard silicon chips detect visible to near-infrared; specialized materials like silicon carbide (SiC) for UV or mercury cadmium telluride (MCT) for far-IR are required for those ranges.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Fotodioden-Chip

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

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Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde empfangen.

Fertigung für Fotodioden-Chip?

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Vorherige Komponente
Fotodiode (Empfänger)
Naechste Komponente
Fotodiodenelement
URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE_CHIP