Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Power-MOSFET-Array

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Power-MOSFET-Array im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Drain Source Spannung bis Dauer Drainstrom eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Power-MOSFET-Array wird durch die Baugruppe aus MOSFET-Chip und Gatetreiber-Schaltung beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Eine Sammlung mehrerer Power-MOSFETs, die in einem einzigen Gehäuse oder einer Schaltungsanordnung integriert sind.

Technische Definition

Ein Power-MOSFET-Array ist eine Komponente, die mehrere Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in einem einzigen Gehäuse oder einer Schaltungsanordnung integriert und für hohe Leistungsniveaus ausgelegt ist. In einem aktiven Lastsystem dient es als primäres Schalt- und Stromführungselement, das verschiedene Lastbedingungen simuliert, um Netzteile, Batterien und andere elektrische Systeme zu testen, indem es den Widerstand und die Verlustleistung dynamisch anpasst. Das Array enthält typischerweise 2 bis 8 Kanäle, was eine höhere Strombelastbarkeit und eine bessere Wärmeverteilung im Vergleich zu einzelnen MOSFET-Implementierungen ermöglicht. Zu den wichtigsten Parametern gehören Drain-Source-Spannung (30–100 V), kontinuierlicher Drainstrom (5–50 A bei 25°C Gehäusetemperatur), Verlustleistung (2–150 W pro Gehäuse), Einschaltwiderstand (5–100 mΩ bei VGS = 10V und Nennstrom), Gate-Schwellenspannung (1–4 V bei ID = 250 µA), Betriebstemperaturbereich (-55 bis 150°C), Eingangskapazität (500–5000 pF bei VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz) und Schaltfrequenz (100–1000 kHz typisch für Hartschaltanwendungen). Übliche Gehäusetypen sind SOIC-8, SOIC-16, DIP-8 und DIP-16. Die ESD-Bewertung (Human Body Model) reicht von 2000 bis 8000 V gemäß IEC 61340-3-1, und das typische Gehäusegewicht beträgt 0,1–2,0 g. Verwendete Materialien umfassen Silizium (Halbleiter), Kupfer (Anschlüsse/Klemmen), Epoxid-Vergussmasse (Gehäuse) und Aluminium (Wärmeverteiler). Diese Arrays werden in Anwendungen eingesetzt, die eine präzise Lastsimulation erfordern, wie z. B. Netzteiltests, Batterietests und elektronische Lastsysteme. Bei der Auswahl eines Power-MOSFET-Arrays sollten Sie modellspezifische Werte und Normen mit dem rechtlichen Hersteller oder Lieferanten verifizieren, da die angegebenen Bereiche Verzeichnisreferenzen sind und keine Garantie für die Leistung eines bestimmten Teils darstellen.

Funktionsprinzip

Das Power-MOSFET-Array funktioniert, indem eine am Gate-Anschluss angelegte Spannung den Stromfluss zwischen Drain- und Source-Anschluss steuert. In einer aktiven Lastanwendung moduliert eine Steuerschaltung die Gate-Spannungen mehrerer MOSFETs im Array, um präzise, programmierbare Lastkennlinien zu erzeugen. Die parallele Konfiguration ermöglicht eine höhere Strombelastbarkeit und eine bessere Wärmeverteilung im Vergleich zu einzelnen MOSFET-Implementierungen. Durch Anpassen der Gate-Spannungen kann das Array resistive, Konstantstrom-, Konstantleistungs- oder dynamische Lasten simulieren und so umfassende Tests von Stromquellen ermöglichen.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Drain Source Spannung30–100 VMaximum voltage between drain and source
Dauer Drainstrom5–50 AAt 25°C case temperature
Leistungsdissipation2–150 WMaximum power dissipation per package
Einschaltwiderstand5–100 At VGS = 10V, ID = rated current
Gate Schwellenspannung1–4 VAt ID = 250µA
Betriebstemperaturbereich-55–150 °CJunction temperature range
Eingangskapazität500–5000 pFAt VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz
Schaltfrequenz100–1000 kHzTypical maximum for hard-switching applications
GehäusetypSOIC-8, SOIC-16, DIP-8, DIP-16Common package options
Anzahl der Kanäle2–8Number of MOSFETs in the array
ESD Festigkeit (HBM)2000–8000 VHuman Body ModelIEC 61340-3-1
Gewicht0.1–2.0 gTypical package weight

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Silizium (Halbleiter) Kupfer (Anschlüsse) Epoxid-Formmasse (Vergussmasse) Aluminium (Wärmeverteiler)

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • MOSFET-Chip
    Halbleiter-Schaltelement zur Steuerung des Stromflusses
    Material: Silizium
  • Gatetreiber-Schaltung
    Stellt geeignete Spannungspegel und Zeitsteuerung zur Steuerung des MOSFET-Schaltens bereit
    Material: Halbleiterbauelemente auf Leiterplatte
  • Wärmeverteiler
    Leitet thermische Energie von MOSFET-Chips ab, um Überhitzung zu verhindern
    Material: Aluminium oder Kupfer
  • Anschlussbeine
    Elektrische Verbindungen für die Montage auf Leiterplatten und externe Anschlüsse
    Material: Kupferlegierung

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Gate-Oxid-Durchbruch bei Vgs > ±20V aufgrund von Fowler-Nordheim-Tunneln Permanenter Kurzschluss zwischen Gate- und Source-Anschlüssen Zener-Dioden-Klemmung am Gate-Anschluss mit 18V Durchbruchspannung
Elektromigration in Aluminium-Bonddrähten bei Stromdichte > 1×10^5 A/cm² Leerlaufausfall mit 0,5Ω Widerstandserhöhung über 1000 thermische Zyklen Kupfer-Clip-Bonding mit Stromdichtegrenze von 5×10^4 A/cm²

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
25-175°C Sperrschichttemperatur, 0-100V Drain-Source-Spannung, 0-50A kontinuierlicher Drain-Strom
Belastungs- und Ausfallgrenzen
200°C Sperrschichttemperatur (intrinsische Siliziumtemperatur), 120V Drain-Source-Durchbruchspannung, 60A Momentanstrom
Thermisches Durchgehen aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten von Rds(on), der die Wärmeableitungskapazität übersteigt, Lawinendurchbruch bei Vds > V(BR)DSS, der parasitären Bipolartransistor-Latch-up verursacht
Fertigungskontext
Power-MOSFET-Array wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

MOSFET Bank Power Transistor Array

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Industrielles Ökosystem und Lieferkette

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
current:Bis zu 200A (kontinuierlicher Drain-Strom)
voltage:Bis zu 1000V (Drain-Source-Durchbruchspannung)
Betriebstemperatur:-55°C bis +175°C (Sperrschichttemperatur)
power dissipation:Bis zu 300W (abhängig von Gehäuse und Kühlung)
switching frequency:Bis zu 1MHz (abhängig von Bauteileigenschaften)
Montage- und Anwendungskompatibilität
DC-DC-WandlerMotorsteuerkreiseSchaltnetzteile
Nicht geeignet: Hochstrahlungsumgebungen (Kern-/Weltraumanwendungen ohne strahlengehärtete Varianten)
Auslegungsdaten
  • Maximaler Laststrom (A)
  • Betriebsspannung (V)
  • Erforderliche Schaltfrequenz (Hz)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Thermisches Durchgehen
Ursache: Übermäßige Sperrschichttemperatur aufgrund unzureichender Kühlung, hoher Schaltfrequenz oder schlechtem Wärmeleitmaterial, die zu katastrophalem Ausfall führt.
Gate-Oxid-Durchbruch
Ursache: Spannungsspitzen, die die maximale Gate-Source-Spannungsfestigkeit überschreiten, elektrostatische Entladung (ESD) oder langfristige Exposition gegenüber hoher Luftfeuchtigkeit, die zu Isolationsversagen führt.
Wartungsindikatoren
  • Hörbares hohes Pfeifen oder Summen vom Array, das auf Oszillation oder instabiles Schalten hinweist.
  • Sichtbare Verfärbung, Wölbung oder Verkohlung an MOSFET-Gehäusen oder PCB-Leiterbahnen, die auf Überhitzung hindeuten.
Technische Hinweise
  • Implementieren Sie aktives thermisches Management mit Temperaturüberwachung und Derating-Kurven, um die Sperrschichttemperaturen unter 80 % des Nennmaximums zu halten.
  • Verwenden Sie Gate-Schutzschaltungen (Snubber, TVS-Dioden) und befolgen Sie strikte ESD-Protokolle während der Handhabung/Installation, um Spannungstransienten zu verhindern.

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
IEC 60747-8 Diskrete Halbleiterbauelemente - MOSFETsRoHS-Richtlinie 2011/65/EU Beschränkung gefährlicher Stoffe
Fertigungsgenauigkeit
  • Gate-Schwellenspannung: +/-0,5V
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): +/-10%
Qualitätsprüfung
  • Thermischer Wechseltest (-55°C bis +150°C, 1000 Zyklen)
  • Elektrostatische Entladungs (ESD)-Empfindlichkeitstest (HBM Klasse 1B)

Hersteller von Power-MOSFET-Array

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Wie viele Kanäle hat ein Power-MOSFET-Array typischerweise?

Laut Verzeichnisreferenz reicht die Kanalzahl typischerweise von 2 bis 8. Die genaue Anzahl hängt jedoch vom Modell ab; bitte mit dem Hersteller verifizieren.

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung pro Gehäuse?

Das Verzeichnis listet die Verlustleistung von 2 bis 150 Watt pro Gehäuse auf. Dieser Wert ist eine Referenzspanne; die tatsächliche Verlustleistung hängt vom spezifischen Bauteil und den Betriebsbedingungen ab.

Welche Gehäusetypen sind üblich?

Übliche Gehäuseoptionen sind SOIC-8, SOIC-16, DIP-8 und DIP-16. Der tatsächliche Gehäusetyp variiert je nach Modell; bitte mit dem Lieferanten bestätigen.

Wie hoch ist die ESD-Bewertung für diese Arrays?

Die ESD-Bewertung (Human Body Model) ist gemäß IEC 61340-3-1 mit 2000 bis 8000 Volt angegeben. Dies ist eine Referenzspanne; die spezifische Bewertung für ein bestimmtes Teil sollte mit dem Hersteller verifiziert werden.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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