Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Leistungshalbleiter-Bauelemente (IGBTs/SCRs) im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Kollektor Emitter Spannung bis Kollektorstrom eingeordnet.
Ein typisches Leistungshalbleiter-Bauelemente (IGBTs/SCRs) wird durch die Baugruppe aus Halbleiterchip und Toranschluss beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.
Leistungshalbleiter-Bauelemente (IGBTs/SCRs) für das Schalten und Steuern hoher Spannungen und Ströme in industriellen Anwendungen.
IGBTs kombinieren die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs mit dem niedrigen Durchlassspannungsabfall von Bipolartransistoren und ermöglichen so eine spannungsgesteuerte Schaltung hoher Ströme. Sie werden durch Anlegen einer Spannung über der Gate-Schwellenspannung (3–6 V) eingeschaltet und können Ströme bis zu 3600 A mit Sperrspannungen bis zu 6500 V schalten. SCRs sind Thyristoren, die bei Auslösung durch ein Gate-Signal in einer Richtung leiten und leitend bleiben, bis der Strom unter einen Haltestrom fällt. Beide Bauelementtypen werden in Leistungsumrichtern eingesetzt, wo eine effiziente Steuerung hoher Leistung erforderlich ist. Die Schaltfrequenz für IGBTs liegt typischerweise zwischen 1 kHz und 100 kHz, während SCRs aufgrund ihres Verriegelungsverhaltens normalerweise bei niedrigeren Frequenzen verwendet werden. Das Wärmemanagement ist entscheidend, da der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse zwischen 0,05 und 1,5 K/W liegt und die Verlustleistung bis zu 2000 W betragen kann. Eine geeignete Gate-Ansteuerung und Schutzschaltungen sind erforderlich, um einen zuverlässigen Betrieb innerhalb des spezifizierten Betriebstemperaturbereichs von -40°C bis 150°C zu gewährleisten.
| Parameter | Typischer Bereich | Hinweise & Auswahlkriterien |
|---|---|---|
| Kollektor Emitter Spannung | 600–6500 V | Maximum blocking voltage ratingIEC 60747-9 |
| Kollektorstrom | 10–3600 A | Continuous DC current ratingIEC 60747-9 |
| Schaltfrequenz | 1–100 kHz | Typical range for IGBTs |
| Sättigungsspannung | 1.5–3.2 V | At rated current and 25°CIEC 60747-9 |
| Gate Schwellenspannung | 3–6 V | Minimum gate voltage for turn-onIEC 60747-9 |
| Betriebstemperaturbereich | -40–150 °C | Junction temperature rangeIEC 60747-9 |
| Wärmewiderstand (Sperrschicht Gehäuse) | 0.05–1.5 K/W | Lower is better for heat dissipationIEC 60747-9 |
| Isolationsspannung | 2500–6000 V RMS | Between terminals and base plateIEC 60747-9 |
| Gesamtverlustleistung | 100–2000 W | Maximum allowable at 25°C case temperatureIEC 60747-9 |
| Kurzschlussfestigkeit | 10–20 µs | Typical for IGBTsIEC 60747-9 |
| Gehäusetyp | TO-247–IHM-B | Common packages for high powerIEC 60747-9 |
| Gewicht | 5–500 g | Depends on package and current rating |
Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme
Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.
Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.
| Betriebsdruck: | Atmosphärisch bis 1 atm (hermetische Gehäuse), vakuumkompatibel in abgedichteten Einheiten |
| Durchflussrate: | Nicht zutreffend für Halbleiterbauelemente |
| Betriebstemperatur: | -40°C bis +150°C (Sperrschichttemperatur), -55°C bis +125°C (Lagertemperatur) |
4 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
Laut Verzeichnis haben diese Bauelemente eine maximale Sperrspannung (Kollektor-Emitter-Spannung) von 600–6500 V und einen Dauerstrom (Kollektorstrom) von 10–3600 A. Dies sind Referenzbereiche; die tatsächlichen Werte hängen vom spezifischen Modell ab und müssen mit dem Hersteller bestätigt werden.
Der Sperrschichttemperaturbereich liegt zwischen -40°C und 150°C, wie in den Parametern angegeben. Dies gibt die zulässige Temperatur der Halbleitersperrschicht während des Betriebs an. Überprüfen Sie immer die thermischen Grenzen für Ihre spezifische Anwendung.
Die Parameter beziehen sich auf IEC 60747-9, die Halbleiterbauelemente für Leistungsanwendungen abdeckt. Diese Norm ist eine Beschaffungsreferenz; sie garantiert nicht, dass ein bestimmtes Produkt zertifiziert oder konform ist. Fragen Sie beim Hersteller nach Konformitätsdetails.
Die in den Unterlagen aufgeführten Materialien umfassen Silizium, Kupfer, Aluminium, Keramiksubstrate und Epoxid-Vergussmassen. Diese Materialien sind typisch für Leistungshalbleiter-Gehäuse und Wärmemanagement. Spezifische Materialqualitäten können je nach Hersteller und Modell variieren.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.
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