Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Leistungshalbleitermodul

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Leistungshalbleitermodul im Bereich Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen anhand von Nennspannung bis Nennstrom eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Leistungshalbleitermodul wird durch die Baugruppe aus Leistungshalbleiter-Chip (z.B. IGBT, MOSFET) und Direktverbund-Kupfer (DBC) Substrat beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Eine modulare Baugruppe mit Leistungshalbleiterbauelementen und zugehöriger Schaltung für Hochleistungsschalt- und Steuerungsanwendungen.

Leistungshalbleitermodul in einer industriellen Fertigungsumgebung
Repräsentative Produktabbildung. Aussehen und Spezifikationen mit dem Hersteller bestätigen.

Technische Definition

Ein Leistungshalbleitermodul ist eine Schlüsselkomponente in einer Leistungselektronikplatine, die mehrere Leistungshalbleiterbauelemente (wie IGBTs, MOSFETs oder Dioden), Gate-Treiber, Schutzschaltungen und Wärmemanagementelemente in einem einzigen, kompakten und zuverlässigen Gehäuse integriert. Es dient als primäre Schalt- und Leistungsumwandlungseinheit, die hohe Spannungen und Ströme verarbeitet, um den elektrischen Leistungsfluss in Anwendungen wie Motorantrieben, Wechselrichtern und Netzteilen zu steuern. Das Modul ist für Hochleistungsschalten und -steuerung ausgelegt, mit Nennspannungen von 600 V bis 6500 V und Nennströmen von 50 A bis 3600 A, je nach Modell. Die Schaltfrequenzen liegen typischerweise zwischen 1 kHz und 50 kHz, und die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung beträgt 1,5 V bis 3,5 V. Der Wärmewiderstand (Sperrschicht-Gehäuse) reicht von 0,05 K/W bis 0,5 K/W, und die Betriebssperrschichttemperatur liegt zwischen -40 °C und 175 °C. Die Isolationsspannung ist von 2500 V AC bis 12000 V AC (Prüfspannung für 1 Minute) bewertet. Kriechstrecken und Luftstrecken sind gemäß IEC 60664 spezifiziert, mit Kriechstrecken von 5 mm bis 60 mm und Luftstrecken von 3 mm bis 40 mm. Die Abmessungen variieren je nach Gehäusetyp, von 50×30×10 mm bis 200×150×50 mm, und das Gewicht reicht von 50 g bis 2000 g. Die Schutzart reicht von IP00 bis IP54 gemäß IEC 60529. Zu den Materialien gehören Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterwafer, Kupfer- oder Aluminiumsubstrate, Keramikisolationsschichten (z. B. Al2O3, AlN), Wärmeleitmaterialien, Verguss-Epoxid oder -Gel sowie Metallanschlüsse und -verbinder. Diese Module werden in industriellen Motorantrieben, Wechselrichtern für erneuerbare Energien und Netzteilen eingesetzt. Überprüfen Sie vor dem Kauf immer die modellspezifischen Werte und Normen mit dem Hersteller oder Lieferanten.

Funktionsprinzip

Das Modul arbeitet, indem es Steuersignale mit niedriger Leistung von einem Mikrocontroller oder einer Treiberschaltung empfängt. Diese Signale aktivieren die internen Leistungshalbleiterschalter (z. B. IGBTs), die schnell ein- und ausschalten, um hochleistungsfähige elektrische Ströme zu modulieren. Diese Schaltaktion wandelt elektrische Energie von einer Form in eine andere um (z. B. Gleichstrom in Wechselstrom, Spannungsumwandlung) mit hoher Effizienz und ermöglicht so eine präzise Steuerung von Motoren, Energieumwandlung und Leistungsverteilung. Die Gate-Treiber gewährleisten korrektes Schalten, während Schutzschaltungen vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur schützen. Wärmemanagementelemente leiten Wärme ab, um sichere Betriebstemperaturen aufrechtzuerhalten.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Nennspannung600–6500 VExceeding rated voltage may cause breakdown.IEC 60747
Nennstrom50–3600 AContinuous current at specified case temperature.IEC 60747
Schaltfrequenz1–50 kHzHigher frequency increases losses.
Kollektor Emitter Sättigungsspannung1.5–3.5 VLower is better for efficiency.
Wärmewiderstand (Sperrschicht Gehäuse)0.05–0.5 K/WLower improves heat dissipation.IEC 60747
Betriebssperrschichttemperatur-40–175 °CExceeding may reduce lifetime.
Isolationsspannung2500–12000 V ACTest voltage for 1 minute.IEC 60747
Kriechstrecke5–60 mmDepends on pollution degree and material group.IEC 60664
Luftstrecke3–40 mmMinimum air gap for safety.IEC 60664
Abmessungen (L×B×H)50×30×10–200×150×50 mmVaries by package type.
Gewicht50–2000 gHeavier modules may have larger baseplates.
SchutzartIP00–IP54Höhere IP-Schutzart für raue Umgebungen.IEC 60529

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

Silizium (Si)- oder Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiterwafer Kupfer- oder Aluminiumsubstrate Keramische Isolationsschichten (z.B. Al2O3, AlN) Thermische Grenzflächenmaterialien (z.B. Wärmeleitpaste) Verguss-Epoxidharz oder Gel Metallklemmen und Steckverbinder

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Leistungshalbleiter-Chip (z.B. IGBT, MOSFET)
    Primäres Schaltelement zur Steuerung von Hochleistungsstromfluss.
    Material: Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC)
  • Direktverbund-Kupfer (DBC) Substrat
    Bietet elektrische Isolierung, Wärmeleitung und Schaltungsstrukturierung für Chipmontage.
    Material: Keramik (z.B. Al₂O₃) mit aufgebrachten Kupferschichten
  • Treiberstufe
    Verstärkt niederleistungssteuerungssignale zur Ansteuerung der leistungshalbleiterschalter.
    Material: Integrierter Schaltkreis (IC) auf Leiterplatte oder innerhalb eines Moduls
  • Wärmeübertragungs-Grundplatte
    Leitet Wärme von den Halbleiterchips zu einem externen Kühlkörper ab.
    Material: Kupfer oder Aluminium mit Vernickelung
  • Verkapselung
    Schützt interne Bauteile vor Feuchtigkeit, Staub und mechanischer Belastung gemäß DIN-Normen für Montage/Fertigung.
    Material: Epoxidharz oder Silikongel
  • Schutzschaltung
    Löst bei Überstrom, Überspannung oder Übertemperatur aus, bevor die Formen beschädigt werden.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Gate-Oxid-Durchschlag bei 15 MV/cm elektrischem Feld Kurzschluss zwischen Gate- und Source-Anschlüssen Siliziumnitrid-Passivierungsschicht mit 20 MV/cm dielektrischer Festigkeit
Thermische Zyklusermüdung bei ΔT=100°C Temperaturschwankung Lötstellenrissbildung, die zu erhöhtem thermischen Widerstand führt Direkte Kupferbondierung mit 0,01 mm²/K/W thermischem Widerstand

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
125-175°C Sperrschichttemperatur, 600-6500V Sperrspannung, 10-1000A Dauerstrom
Belastungs- und Ausfallgrenzen
200°C Sperrschichttemperatur (Siliziumgrenze), 7000V Durchbruchspannung (dielektrische Festigkeit), 1200A thermischer Durchgehschwellenwert
Thermisches Durchgehen bei 200°C aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Silizium, Lawinendurchbruch bei 7000V, der die dielektrische Festigkeit der Siliziumdioxid-Isolierung überschreitet, Elektromigration bei 1200A, die zu Leiterverdünnung führt
Fertigungskontext
Leistungshalbleitermodul wird innerhalb von Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Anwendungen / Eingebaute Systeme

Dieses Teil oder Produkt erscheint in den folgenden Systemen und Maschinen.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Betriebsdruck:Atmosphärisch bis 1,5 bar (typische Gehäuseklassifizierung)
Durchflussrate:Nicht zutreffend für dieses Bauteil
Betriebstemperatur:-40°C bis +150°C (Sperrschichttemperatur)
Montage- und Anwendungskompatibilität
Industrielle MotorantriebeWechselrichter für erneuerbare EnergienUnterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Nicht geeignet: Hochvibrationsumgebungen ohne geeignete mechanische Befestigung
Auslegungsdaten
  • Maximale Betriebsspannung (V)
  • Dauerstrombelastbarkeit (A)
  • Erforderliche Schaltfrequenz (Hz)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Thermische Ermüdung und Bonddraht-Ablösung
Ursache: Zyklische thermische Ausdehnungsunterschiede zwischen Siliziumchips, Lötverbindungen und Substratmaterialien während des Leistungszyklus, die zu mechanischer Spannung und schließlich zum Versagen von Bonddrähten oder Lötstellen führen.
Gate-Oxid-Degradation und Isolationsdurchschlag
Ursache: Elektrische Überlastung (EOS) durch Spannungsspitzen, elektrostatische Entladung (ESD) oder längerer Betrieb nahe der maximalen Nennwerte, die eine allmähliche Ausdünnung und schließlich den Durchschlag der Gate-Oxidschicht in IGBTs oder MOSFETs verursacht.
Wartungsindikatoren
  • Hörbares hochfrequentes Pfeifen oder Lichtbogen-Geräusche während des Betriebs, die auf mögliche Teilentladungen oder Isolationsversagen hinweisen.
  • Sichtbare Verfärbungen, Wölbungen oder thermische Spannungsmarkierungen am Modulgehäuse oder der Kühlkörper-Schnittstelle, die auf Überhitzung oder internes thermisches Durchgehen hindeuten.
Technische Hinweise
  • Implementieren Sie aktives thermisches Management mit kalibrierten thermischen Grenzflächenmaterialien (TIMs) und halten Sie die Kühlkörper sauber, um sicherzustellen, dass die Sperrschichttemperaturen während Spitzenlasten innerhalb von 80 % der Nenngrenzen bleiben.
  • Verwenden Sie Snubber-Schaltungen oder dv/dt-Filter, um Spannungstransienten zu unterdrücken, und setzen Sie strenge ESD-Protokolle während der Handhabung und Installation durch, um Gate-Oxid-Schäden zu verhindern.

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
IEC 60747-9 Halbleiterbauelemente - Diskretbauelemente - Teil 9: Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)UL 508C Leistungswandlungsgeräte
Fertigungsgenauigkeit
  • Klemmenebenheit: 0,05 mm maximale Abweichung
  • Grundplattenebenheit: 0,025 mm über 100 mm Länge
Qualitätsprüfung
  • Thermischer Zyklustest (-40°C bis +125°C, 1000 Zyklen)
  • Hochspannungs-Isolationsprüfung (Wechselspannung 4kV für 1 Minute)

Hersteller von Leistungshalbleitermodul

1 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.

Greegoo Electric
· CN
Fertigt außerdem: Current Transformer (CT)、Semiconductor Device、Power Semiconductor und 9 weitere
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “W74 package of high power semiconductor modules”
Quellseite ansehen ↗ greegoo.com · geprüft am 2026-08-26

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

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Häufige Fragen

Was sind die typischen Spannungs- und Stromwerte für Leistungshalbleitermodule?

Laut Verzeichnis reicht die Nennspannung von 600 V bis 6500 V und der Nennstrom von 50 A bis 3600 A, je nach Modell. Bestätigen Sie die spezifischen Werte immer mit dem Hersteller.

Welche Normen gelten für Leistungshalbleitermodule?

Relevante Normen sind IEC 60747 für Halbleiterbauelemente, IEC 60664 für Isolationskoordination und IEC 60529 für Schutzarten. Diese sind Referenznormen; überprüfen Sie die Konformität mit dem Lieferanten.

Welche Materialien werden in Leistungshalbleitermodulen verwendet?

Häufige Materialien sind Silizium- oder Siliziumkarbid-Wafer, Kupfer- oder Aluminiumsubstrate, Keramikisolationsschichten (z. B. Al2O3, AlN), Wärmeleitmaterialien, Verguss-Epoxid oder -Gel sowie Metallanschlüsse.

Wie wähle ich ein Leistungshalbleitermodul für meine Anwendung aus?

Berücksichtigen Sie Spannung, Strom, Schaltfrequenz, Wärmewiderstand und Umweltschutz. Verifizieren Sie alle Parameter mit dem Hersteller für Ihre spezifische Anwendung.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern, elektronischen und optischen Erzeugnissen

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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