Ein Halbleiterbauelement, das den Stromfluss in einer Richtung ermöglicht und bei hohen Spannungen den Rückstrom blockiert, speziell für Spannungsvervielfacherschaltungen entwickelt.
Ein Halbleiterbauelement, das so konstruiert ist, dass es den Stromfluss in einer Richtung ermöglicht und bei hohen Spannungen den Rückstrom blockiert, speziell entwickelt für Spannungsvervielfacherschaltungen, die Gleichspannungen erzeugen, die höher sind als die Eingangswechselspannung, durch kaskadierte Gleichrichtungsstufen. Funktioniert auf der Halbleiterphysik von PN-Übergängen, wobei die Durchlassspannung die Rekombination von Elektronen und Löchern für den Stromfluss ermöglicht, während die Sperrspannung eine Verarmungszone erzeugt, die den Stromfluss blockiert. In Spannungsvervielfacherschaltungen arbeiten mehrere Dioden mit Kondensatoren in Leiterkonfigurationen (Cockcroft-Walton-, Villard-Schaltungen) zusammen, um Spannungsspitzen aus der Wechselspannungseingabe schrittweise zu addieren, wodurch eine Spannungsvervielfachung durch Ladungspumpen und -speichermechanismen erreicht wird.
Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Hochspannungsdiode.
Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme
Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
High-voltage diodes have thicker depletion regions and specialized construction to withstand reverse voltages from 10kV to over 100kV, compared to standard diodes typically rated below 1kV. They feature graded junctions, field plates, and passivation layers to prevent voltage breakdown.
They enable generation of high DC voltages from lower AC inputs without bulky transformers, essential for X-ray equipment, electrostatic precipitators, laser power supplies, and particle accelerators where compact high-voltage sources are required.
Increased temperature reduces breakdown voltage (negative temperature coefficient) and increases leakage current. Silicon carbide diodes maintain better high-temperature performance than silicon diodes due to wider bandgap.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.
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Herstellerprofile mit passender Bearbeitungs- oder Montagefähigkeit vergleichen.