Strukturierte Komponentendaten · 2026

High-Voltage Diode

High-voltage diode for voltage multiplier circuits in industrial applications

Technische Definition und Einsatzkontext

Ein typisches High-Voltage Diode wird in Elektrogeräteherstellung nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

A semiconductor device designed to allow current flow in one direction while blocking reverse current at high voltage levels, specifically engineered for voltage multiplier circuits that generate DC voltages higher than the input AC voltage through cascaded rectification stages.

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Komponentenspezifikationen

Definition

Funktionsprinzip

Operates on PN junction semiconductor physics, where forward bias allows electron-hole recombination for current conduction, while reverse bias creates a depletion region that blocks current flow. In voltage multiplier circuits, multiple diodes work with capacitors in ladder configurations (Cockcroft-Walton, Villard circuits) to progressively add voltage peaks from AC input, achieving voltage multiplication through charge pumping and storage mechanisms.

Materialien

Silicon (Si) or silicon carbide (SiC) semiconductor wafer with doped regionsaluminum or gold wire bondingceramic or epoxy encapsulationnickel-plated copper leadsglass passivation layer

Capacitance

1-10 pF

Forward Current

100 mA - 5 A

Breakdown Voltage

15-120 kV

Forward Voltage Drop

0.7-1.2 V

Einsatztemperatur

-55°C to +175°C

Reverse Recovery Time

50 ns - 1 μs

Peak Inverse Voltage (PIV)

10-100 kV

Normen

IEC 60747MIL-PRF-19500JEDEC JESD22

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für High-Voltage Diode.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

Spannungsvervielfacherschaltung

Eine elektronische Schaltung, die durch Kondensator-Dioden-Netzwerke eine höhere Gleichspannungs-Ausgangsspannung als ihre Wechselspannungs-Eingangsspannung erzeugt.

Produktdetails ansehen ->

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Voltage transients exceeding PIV rating->Catastrophic junction breakdown->Implement snubber circuits, use diodes with 20% voltage margin, install surge protection devices

Insufficient heat sinking->Thermal runaway and permanent damage->Calculate thermal resistance, use proper heatsinks, monitor junction temperature with sensors

Contamination on diode surface->Surface tracking and insulation failure->Apply conformal coating, maintain clean environment, use hermetically sealed packages

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

Kompatibel mit

Voltage multiplier circuits High-voltage power supplies Electrostatic precipitators X-ray generators Laser power supplies

Austauschteile

Vishay VS- series IXYS DSA series Microsemi HV series Infineon IDH series

Dielectric breakdown under overvoltage

Thermal runaway from excessive current

Partial discharge in contaminated environments

Mechanical stress cracking from thermal cycling

Konformität und Prüfung

tolerance

±5% on breakdown voltage, ±10% on forward voltage

test method

IEC 60747-1 for semiconductor devices, reverse bias leakage current measured at 80% of rated voltage, high-potential testing per IEC 61010

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

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Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation

4/5

Fertigungsfähigkeit

4/5

Prüfbarkeit

5/5

Lieferantentransparenz

3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Haeufige Fragen

What is the main difference between standard diodes and high-voltage diodes?

High-voltage diodes have thicker depletion regions and specialized construction to withstand reverse voltages from 10kV to over 100kV, compared to standard diodes typically rated below 1kV. They feature graded junctions, field plates, and passivation layers to prevent voltage breakdown.

Why are voltage multiplier circuits important in industrial applications?

They enable generation of high DC voltages from lower AC inputs without bulky transformers, essential for X-ray equipment, electrostatic precipitators, laser power supplies, and particle accelerators where compact high-voltage sources are required.

How does temperature affect high-voltage diode performance?

Increased temperature reduces breakdown voltage (negative temperature coefficient) and increases leakage current. Silicon carbide diodes maintain better high-temperature performance than silicon diodes due to wider bandgap.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Elektrogeräteherstellung

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung

Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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