Strukturierte Komponentendaten · 2026

Power MOSFETs (High-side & Low-side)

Power MOSFETs for high-side and low-side switching in voltage regulator modules, enabling efficient power conversion and control.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Power MOSFETs (High-side & Low-side) wird in Elektrogeräteherstellung nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) configured for high-side (connected to positive supply) and low-side (connected to ground) switching in Voltage Regulator Modules (VRMs). These semiconductor devices control power flow by switching on/off based on gate voltage, managing current between input and output stages to regulate voltage with minimal loss. High-side MOSFETs handle switching from the power source, while low-side MOSFETs manage ground-side switching, often used in synchronous buck converter topologies for improved efficiency.

Komponentenspezifikationen

Definition
Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) configured for high-side (connected to positive supply) and low-side (connected to ground) switching in Voltage Regulator Modules (VRMs). These semiconductor devices control power flow by switching on/off based on gate voltage, managing current between input and output stages to regulate voltage with minimal loss. High-side MOSFETs handle switching from the power source, while low-side MOSFETs manage ground-side switching, often used in synchronous buck converter topologies for improved efficiency.
Funktionsprinzip
Operates by applying a voltage to the gate terminal, creating an electric field that controls current flow between the drain and source. In VRMs, high-side MOSFETs switch the input voltage to an inductor, storing energy, while low-side MOSFETs provide a path for inductor current during off-cycles, regulating output voltage through pulse-width modulation (PWM). This switching action minimizes power dissipation compared to linear regulators.
Materialien
Silicon (Si) or Silicon Carbide (SiC) semiconductor waferswith aluminum or copper metallization for terminalsencapsulated in epoxy or ceramic packages (e.g.TO-220D2PAK) for thermal management.
Package Type
TO-220, D2PAK, SO-8
Current Rating
10A to 100A
Voltage Rating
20V to 100V
Gate Charge (Qg)
10nC to 100nC
Switching Frequency
100kHz to 1MHz
On Resistance (Rds(on))
1mΩ to 10mΩ
Normen
ISO 16750DIN EN 60068

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Power MOSFETs (High-side & Low-side).

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Overheating from high current or poor heatsinking->Thermal shutdown or permanent damage->Implement thermal monitoring, use adequate heatsinks, and ensure proper airflow in the design.
Voltage spikes exceeding rated limits->Gate breakdown or avalanche failure->Add snubber circuits, use MOSFETs with higher voltage ratings, and incorporate protection diodes.

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal runaway due to excessive current
1
Gate oxide damage from overvoltage
2
Electromagnetic interference (EMI) from switching noise

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% for voltage regulation under specified load conditions
test method
Dynamic load testing per ISO 16750, thermal cycling, and switching characteristic analysis using oscilloscopes and power analyzers.

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between high-side and low-side MOSFETs in a VRM?

High-side MOSFETs switch the input voltage to the inductor, controlling power delivery, while low-side MOSFETs provide a current path to ground during off-cycles, improving efficiency by reducing conduction losses.

Why are Power MOSFETs preferred in VRMs over other transistors?

They offer fast switching speeds, low on-resistance, and high efficiency, minimizing heat generation and power loss in high-frequency applications like voltage regulation.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Elektrogeräteherstellung

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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功率MOSFET
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功率半导体
URN:CNFX:ME:UNIT:POWER_MOSFETS_HIGH_SIDE_LOW_SIDE_