Strukturierte Komponentendaten · 2026

Leistungs-MOSFETs (High-Side & Low-Side)

Leistungs-MOSFETs für High-Side- und Low-Side-Schaltung in Spannungsreglermodulen (VRMs).

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches Leistungs-MOSFETs (High-Side & Low-Side) wird in Elektrogeräteherstellung nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), konfiguriert für High-Side- (mit positiver Versorgung verbunden) und Low-Side- (mit Masse verbunden) Schaltung in Spannungsreglermodulen (VRMs). Diese Halbleiterbauelemente steuern den Leistungsfluss durch Ein-/Ausschalten basierend auf der Gate-Spannung und verwalten den Strom zwischen Eingangs- und Ausgangsstufen, um die Spannung mit minimalen Verlusten zu regeln. High-Side-MOSFETs übernehmen das Schalten von der Stromquelle, während Low-Side-MOSFETs das Schalten auf der Masse-Seite übernehmen, häufig in synchronen Abwärtswandler-Topologien für verbesserte Effizienz eingesetzt. Funktioniert durch Anlegen einer Spannung an das Gate, wodurch ein elektrisches Feld entsteht, das den Stromfluss zwischen Drain und Source steuert. In VRMs schalten High-Side-MOSFETs die Eingangsspannung auf eine Induktivität, die Energie speichert, während Low-Side-MOSFETs während der Ausschaltzyklen einen Pfad für den Induktorstrom bereitstellen und die Ausgangsspannung durch Pulsweitenmodulation (PWM) regeln. Diese Schaltaktion minimiert die Verlustleistung im Vergleich zu linearen Reglern.

Komponentenspezifikationen

Definition
Leistungs-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), konfiguriert für High-Side- (mit positiver Versorgung verbunden) und Low-Side- (mit Masse verbunden) Schaltung in Spannungsreglermodulen (VRMs). Diese Halbleiterbauelemente steuern den Leistungsfluss durch Ein-/Ausschalten basierend auf der Gate-Spannung und verwalten den Strom zwischen Eingangs- und Ausgangsstufen, um die Spannung mit minimalen Verlusten zu regeln. High-Side-MOSFETs übernehmen das Schalten von der Stromquelle, während Low-Side-MOSFETs das Schalten auf der Masse-Seite übernehmen, häufig in synchronen Abwärtswandler-Topologien für verbesserte Effizienz eingesetzt.

Funktioniert durch Anlegen einer Spannung an das Gate, wodurch ein elektrisches Feld entsteht, das den Stromfluss zwischen Drain und Source steuert. In VRMs schalten High-Side-MOSFETs die Eingangsspannung auf eine Induktivität, die Energie speichert, während Low-Side-MOSFETs während der Ausschaltzyklen einen Pfad für den Induktorstrom bereitstellen und die Ausgangsspannung durch Pulsweitenmodulation (PWM) regeln. Diese Schaltaktion minimiert die Verlustleistung im Vergleich zu linearen Reglern.
Funktionsprinzip
Operates by applying a voltage to the gate terminal, creating an electric field that controls current flow between the drain and source. In VRMs, high-side MOSFETs switch the input voltage to an inductor, storing energy, while low-side MOSFETs provide a path for inductor current during off-cycles, regulating output voltage through pulse-width modulation (PWM). This switching action minimizes power dissipation compared to linear regulators.
Materialien
Silizium (Si) oder Siliziumcarbid (SiC) Halbleiterwafermit Aluminium- oder Kupfermetallisierung für Anschlüsseeingekapselt in Epoxid- oder Keramikgehäusen (z. B. TO-220D2PAK) für das Wärmemanagement.
Package Type
TO-220, D2PAK, SO-8
Current Rating
10A to 100A
Voltage Rating
20V to 100V
Gate Charge (Qg)
10nC to 100nC
Switching Frequency
100kHz to 1MHz
On Resistance (Rds(on))
1mΩ to 10mΩ
Normen
ISO 16750DIN EN 60068

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Leistungs-MOSFETs (High-Side & Low-Side).

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Overheating from high current or poor heatsinking->Thermal shutdown or permanent damage->Implement thermal monitoring, use adequate heatsinks, and ensure proper airflow in the design.
Voltage spikes exceeding rated limits->Gate breakdown or avalanche failure->Add snubber circuits, use MOSFETs with higher voltage ratings, and incorporate protection diodes.

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal runaway due to excessive current
1
Gate oxide damage from overvoltage
2
Electromagnetic interference (EMI) from switching noise

Konformität und Prüfung

tolerance
±5% for voltage regulation under specified load conditions
test method
Dynamic load testing per ISO 16750, thermal cycling, and switching characteristic analysis using oscilloscopes and power analyzers.

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Häufige Fragen

What is the difference between high-side and low-side MOSFETs in a VRM?

High-side MOSFETs switch the input voltage to the inductor, controlling power delivery, while low-side MOSFETs provide a current path to ground during off-cycles, improving efficiency by reducing conduction losses.

Why are Power MOSFETs preferred in VRMs over other transistors?

They offer fast switching speeds, low on-resistance, and high efficiency, minimizing heat generation and power loss in high-frequency applications like voltage regulation.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Elektrogeräteherstellung

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für Leistungs-MOSFETs (High-Side & Low-Side)

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde gesendet.
Senden fehlgeschlagen. Bitte erneut versuchen oder schreiben Sie uns an contact@cnfx.com.

Fertigung für Leistungs-MOSFETs (High-Side & Low-Side)?

Herstellerprofile mit passender Bearbeitungs- oder Montagefähigkeit vergleichen.

Herstellerprofil anlegen Kontakt
Vorherige Komponente
Leistungs-MOSFETs
Nächste Komponente
Leistungshalbleiter
URN:CNFX:ME:UNIT:POWER_MOSFETS_HIGH_SIDE_LOW_SIDE_