Strukturierte Komponentendaten · 2026

SCR (Thyristor) Die

Silicon-controlled rectifier (SCR) die is the semiconductor core that enables controlled power switching in industrial applications.

Technische Definition und Einsatzkontext
Ein typisches SCR (Thyristor) Die wird in Elektrogeräteherstellung nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

An SCR die is the fundamental semiconductor wafer element of a thyristor, consisting of a four-layer PNPN structure fabricated on a silicon substrate. It functions as a bistable switch that can be triggered into conduction by a gate signal and remains latched until the current drops below the holding threshold. This component is essential for precise control of high-power AC/DC circuits in industrial equipment.

Komponentenspezifikationen

Definition
An SCR die is the fundamental semiconductor wafer element of a thyristor, consisting of a four-layer PNPN structure fabricated on a silicon substrate. It functions as a bistable switch that can be triggered into conduction by a gate signal and remains latched until the current drops below the holding threshold. This component is essential for precise control of high-power AC/DC circuits in industrial equipment.
Funktionsprinzip
The SCR die operates on the principle of regenerative feedback within its PNPN structure. When a positive gate current is applied to the P-layer near the cathode, it initiates carrier injection that turns on the device. Once triggered, the die maintains conduction (latches) due to internal positive feedback, even after gate signal removal. Conduction ceases only when the anode current falls below the holding current, typically during AC zero-crossing or through forced commutation in DC circuits.
Materialien
Monocrystalline silicon wafer with doped regions (P-type and N-type)aluminum or gold metallization for contactssilicon dioxide passivation layerand ceramic or metal substrate for mounting.
dv/dt Rating
50V/μs to 1000V/μs
Current Rating
10A to 500A
Voltage Rating
600V to 2500V
Holding Current
10mA to 100mA
Gate Trigger Current
5mA to 200mA
Einsatztemperatur
-40°C to 125°C
Normen
IEC 60747-6JEDEC JESD77MIL-PRF-19500

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für SCR (Thyristor) Die.

Uebergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Excessive junction temperature->Thermal runaway and permanent damage->Implement proper heat sinking, thermal monitoring, and derating guidelines
High voltage transients->Dielectric breakdown of PN junctions->Use snubber circuits, voltage clamping devices, and proper insulation
Insufficient gate drive->Partial turn-on leading to localized heating->Ensure gate current meets minimum specifications with adequate pulse width

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

0
Thermal runaway due to inadequate cooling
1
dv/dt induced false triggering
2
Overvoltage breakdown
3
Gate oxide degradation

Konformität und Prüfung

tolerance
±10% on electrical parameters unless otherwise specified
test method
Static and dynamic testing per IEC 60747-6, including VDRM, IH, IGT measurements and thermal cycling

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Verwandte Komponenten

Haeufige Fragen

What is the difference between SCR die and complete thyristor?

The SCR die is the bare semiconductor chip, while a complete thyristor includes packaging, terminals, heat sinks, and protective coatings for practical use.

How does gate triggering work in SCR die?

A small positive current applied to the gate region injects carriers that initiate conduction between anode and cathode, latching the device until current interruption.

What causes failure in SCR dies?

Common failures include thermal overstress, voltage transients exceeding ratings, improper gate drive, and contamination during manufacturing.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Elektrogeräteherstellung

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

Beschaffungsinformationen anfragen für SCR (Thyristor) Die

Informationen zu Einsatzbereich, Spezifikationsgrenzen, Lieferantentypen und RFQ-Vorbereitung anfragen.

Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde gesendet.
Vielen Dank. Ihre Anfrage wurde empfangen.

Fertigung für SCR (Thyristor) Die?

Herstellerprofile mit passender Bearbeitungs- oder Montagefähigkeit vergleichen.

Herstellerprofil anlegen Kontakt
Vorherige Komponente
晶闸管/双向晶闸管封装外壳
Naechste Komponente
晶闸管芯片
URN:CNFX:ME:UNIT:SCR_THYRISTOR_DIE