Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Hochgeschwindigkeits-Speichermodul

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Hochgeschwindigkeits-Speichermodul im Bereich Herstellung von Computern und Peripheriegeräten anhand von Speicherkapazität bis Datenrate eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Hochgeschwindigkeits-Speichermodul wird durch die Baugruppe aus Speicher-ICs und Leiterplattenträger beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Leiterplatte mit integrierten Speicherchips zur temporären Datenspeicherung in Computergeräten.

Hochgeschwindigkeits-Speichermodul in einer industriellen Fertigungsumgebung
Repräsentative Produktabbildung. Aussehen und Spezifikationen mit dem Hersteller bestätigen.

Technische Definition

Ein Hochgeschwindigkeits-Speichermodul ist eine kritische Komponente in der Computerherstellung, die flüchtige Datenspeicherung für Prozessoren bereitstellt. Es besteht aus mehreren Speicherchips, die auf einer Leiterplatte montiert sind, mit standardisierten Anschlüssen für die Systemintegration. Diese Module ermöglichen schnellen Datenzugriff und -verarbeitung in Servern, Workstations und Consumer-Computergeräten. Hersteller integrieren sie als wesentliche Unterbaugruppen in Motherboards zur Optimierung der Systemleistung. Das Design des Moduls folgt JEDEC-Standards für Abmessungen, Pinbelegung und elektrische Schnittstellen, um Kompatibilität mit einer Vielzahl von Systemen zu gewährleisten. Zu den wichtigsten Parametern gehören Speicherkapazität von 8 bis 64 GB, Datenraten von 3200 bis 6400 MT/s gemäß JEDEC DDR5-Spezifikationen, CAS-Latenz von 16 bis 40 Zyklen und Betriebsspannung von 1,1 bis 1,35 V. Physikalische Eigenschaften umfassen eine Modulhöhe von 31,25 mm, Leiterplattendicke von 1,2 bis 1,6 mm, Goldplattierungsdicke von 0,05 bis 0,15 μm und Gewicht von 15 bis 25 g. Das Modul arbeitet in einem Temperaturbereich von 0 bis 85 °C und kann von -40 bis 100 °C gelagert werden, mit relativer Luftfeuchtigkeit von 10% bis 90% (nicht kondensierend). Es verfügt über eine 288-polige DIMM-Schnittstelle gemäß JEDEC DDR4/DDR5-Standards. Materialien umfassen FR-4-Leiterplattensubstrat, DRAM-Siliziumchips und vergoldete Kupferkontakte. Diese Module werden in verschiedenen Computing-Umgebungen eingesetzt, und ihre Leistung muss gegen die spezifischen Anforderungen des Zielsystems verifiziert werden. Bestätigen Sie immer modellspezifische Werte und Standards mit dem rechtlichen Hersteller oder Lieferanten vor der Beschaffung.

Funktionsprinzip

Speicherchips speichern Daten als elektrische Ladungen in Kondensatoren, wobei die Controller-Logik Lese-/Schreibvorgänge über synchronisierte Taktsignale und Datenbusse verwaltet. Der Controller des Moduls interpretiert Befehle vom Speichercontroller des Systems, aktiviert die entsprechenden Zeilen und Spalten in den DRAM-Arrays und überträgt Daten zum und vom Datenbus. Das Taktsignal synchronisiert alle Vorgänge und gewährleistet Datenintegrität. Das Design des Moduls umfasst Abschluss- und Signalintegritätsmerkmale, um einen zuverlässigen Betrieb bei hohen Geschwindigkeiten aufrechtzuerhalten.

Technische Parameter

Technische Parameter
ParameterTypischer BereichHinweise & Auswahlkriterien
Speicherkapazität8–64 GBGesamtspeicherkapazität in Gigabyte
Datenrate3200–6400 MT/sMegatransfers pro SekundeJEDEC DDR5
CAS Latenz16–40 CLColumn Address Strobe Latenzzyklen
Betriebsspannung1.1–1.35 VoltStandard-BetriebsspannungJEDEC
Modulhöhe31.25 mmPhysikalische Höhe des ModulsJEDEC MO-309
Betriebstemperatur0–85 °CExtended temperature range for industrial useJEDEC
Lagertemperatur-40–100 °CNon-operating condition
Relative Luftfeuchtigkeit10–90 %Non-condensing
Leiterplattendicke1.2–1.6 mmAffects mechanical strength and thermal performanceIPC-6012
Goldauflage0.05–0.15 μmEnsures reliable contact and corrosion resistanceIPC-4552
Gewicht15–25 gVaries with capacity and heat sink
Pin Anzahl288 PinsStandard DIMM interfaceJEDEC DDR4/DDR5

Die Bereiche sind branchenübliche Richtwerte zur Angebotsvorbereitung und keine Zusage des Lieferanten. Bestätigen Sie jeden Wert und jede Norm vor der Bestellung beim rechtlichen Hersteller.

Hauptmaterialien

FR-4-Leiterplattensubstrat DRAM-Siliziumchips Vergoldete Kupferkontakte

Komponenten / BOM

Components / BOM
  • Speicher-ICs
    Datenspeicherzellen
    Material: Halbleiter aus Silizium
  • Leiterplattenträger
    Grundlage für Leiterplatte
    Material: FR-4-Laminat
  • SPD-Chip
    Serielle Präsenzerkennung
    Material: EEPROM-Silizium
  • Randstecker
    Elektrische Schnittstelle zum Hauptplatinenanschluss
    Material: Vergoldete Kupferlegierung

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Alpha-Partikelfluss über 0,001 Partikel/cm²·s aus Verpackungsmaterialien Einzelereignisstörung verursacht Bit-Umkehr in SRAM-Zellen Fehlerkorrekturcode mit Hamming-Abstand 4, Silizium-auf-Isolator-Substrat mit 200 nm vergrabener Oxidschicht
Thermisches Zyklieren zwischen -40°C und 125°C bei 10 Zyklen/Stunde Lötstellenbruch aufgrund von Unterschieden im thermischen Ausdehnungskoeffizienten Underfill-Epoxidharz mit 25×10^-6/K WAK, Kupfersäulen-Bumps mit 100 μm Durchmesser

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
0,9-1,1 V (Kernspannung), 0-85°C (Umgebungstemperatur), 0-95% relative Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend)
Belastungs- und Ausfallgrenzen
1,2 V (Durchschlagsspannung des Dielektrikums), 125°C (Sperrschichttemperatur), 1,5×10^11 Lese-/Schreibzyklen (NAND-Flash-Haltbarkeit)
Elektromigration bei Stromdichten über 1×10^6 A/cm², thermischer Ausdehnungsunterschied zwischen Silizium (2,6×10^-6/K) und FR-4-Substrat (13×10^-6/K) verursacht Lötstellenermüdung
Fertigungskontext
Hochgeschwindigkeits-Speichermodul wird innerhalb von Herstellung von Computern und Peripheriegeräten nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

RAM module Memory stick DIMM module

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Betriebsdruck:Nur Atmosphärendruck (nicht druckempfindlich)
Durchflussrate:Nicht zutreffend
Betriebstemperatur:0°C bis 85°C (Betrieb), -40°C bis 100°C (Lagerung)
Montage- und Anwendungskompatibilität
Desktop-Computer-HauptplatinenServer-Racks mit ECC-UnterstützungHochleistungs-Gaming-Systeme
Nicht geeignet: Industrieumgebungen im Freien mit extremer Vibration/EMV-Störung
Auslegungsdaten
  • Erforderliche Speicherkapazität (GB)
  • Kompatibilität mit System-Speicherbusgeschwindigkeit (MHz)
  • Bauformbeschränkungen (DIMM/SODIMM)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Lötstellenermüdung durch thermische Belastung
Ursache: Zyklische thermische Ausdehnung/Kontraktion durch Leistungszyklen oder Umgebungstemperaturschwankungen, die zu Mikrorissen in BGA-/CSP-Lötverbindungen führen
Elektromigration in Verbindungsleitungen
Ursache: Hohe Stromdichte und erhöhte Temperaturen, die eine allmähliche Atomwanderung in Kupferleitungen/Durchkontaktierungen verursachen und schließlich Unterbrechungen oder Kurzschlüsse erzeugen
Wartungsindikatoren
  • Intermittierende Systemabstürze oder Speicherfehler unter Last (hörbar über System-Pieptöne oder sichtbar über Diagnose-LEDs)
  • Ungewöhnliche thermische Muster auf der Moduloberfläche sichtbar mittels Thermografie (Hot Spots >10°C über benachbarten Bauteilen)
Technische Hinweise
  • Implementierung eines aktiven thermischen Managements mit gerichteter Luftströmung >2 m/s über die Moduloberfläche und Aufrechterhaltung der Umgebungstemperatur unter 40°C
  • Verwendung von Underfill-Verkapselung für BGA-Gehäuse und Auftragen von Konformalack zur Verhinderung von Zinnwhisker-Wachstum und Feuchtigkeitseintritt

Konformität und Fertigungsnormen

Referenznormen
ISO/IEC 7810:2019 (Identifikationskarten - Physikalische Eigenschaften)ANSI/EIA-364-1000 (Prüfverfahren für elektrische Steckverbinder/Buchsen)DIN EN 60793-2-10 (Lichtwellenleiter - Produktspezifikationen)
Fertigungsgenauigkeit
  • Leiterplattenleitungsbreite: +/-0,02 mm
  • Bauteilpositioniergenauigkeit: +/-0,1 mm
Qualitätsprüfung
  • Thermischer Zyklustest (-40°C bis +85°C, 1000 Zyklen)
  • Signalintegritätstest (Augendiagrammanalyse bei Nenngeschwindigkeit)

Hersteller von Hochgeschwindigkeits-Speichermodul

2 Unternehmen führen dieses Produkt in ihrem eigenen Sortiment. Die Unternehmensangaben stammen von der jeweils eigenen Website; jede Karte nennt die Grundlage der Zuordnung.

Powev Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen · CN
Fertigt außerdem: Memory Modules
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “RAM Module”
Quellseite ansehen ↗ powev.com · geprüft am 2026-09-10
Sino-Memory
· CN
Laut Produktseite der eigenen Website · Profil von CNFX aus öffentlichen Quellen zusammengestellt
Bezeichnung auf der Website: “metal memory sticks”
Quellseite ansehen ↗ sino-memory.com · geprüft am 2026-09-01

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Häufige Fragen

Wie groß ist der Speicherkapazitätsbereich dieses Moduls?

Das Verzeichnis listet einen Kapazitätsbereich von 8 bis 64 GB. Die tatsächliche Kapazität hängt jedoch vom spezifischen Modell und der Konfiguration ab. Bitte immer mit dem Hersteller verifizieren.

Welche Datenraten unterstützt dieses Modul?

Der Datenratenbereich liegt bei 3200 bis 6400 MT/s, unter Bezugnahme auf JEDEC DDR5-Standards. Bestätigen Sie die genaue Datenrate für die spezifische Modulvariante.

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich?

Der Betriebstemperaturbereich liegt bei 0 bis 85 °C, wie aufgeführt. Für industrielle Anwendungen stellen Sie sicher, dass das Modul die erforderlichen thermischen Spezifikationen erfüllt.

Ist dieses Modul mit DDR4- oder DDR5-Systemen kompatibel?

Das Modul verfügt über eine 288-polige DIMM-Schnittstelle und verweist auf JEDEC DDR4/DDR5-Standards. Die Kompatibilität hängt vom Speichercontroller und den Spannungsanforderungen des Systems ab. Bitte mit dem Hersteller klären.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.09 · Herstellung von Computern und Peripheriegeräten

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.
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