Strukturierte Fertigungsdaten · 2026

Hochgeschwindigkeits-Speichermodul

Auf Basis strukturierter CNFX-Herstellerprofile wird Hochgeschwindigkeits-Speichermodul im Bereich Herstellung von Computern und Peripheriegeräten anhand von Speicherkapazität bis Datenrate eingeordnet.

Technische Definition und Kernbaugruppe

Ein typisches Hochgeschwindigkeits-Speichermodul wird durch die Baugruppe aus Speicher-ICs und Leiterplattenträger beschrieben. Für industrielle Anwendungen werden Materialauswahl, Fertigungsprozess und Prüfbarkeit gemeinsam bewertet.

Leiterplatte mit integrierten Speicherchips zur temporären Datenspeicherung in Rechengeräten.

Technische Definition

Ein Hochgeschwindigkeits-Speichermodul ist eine kritische Komponente in der Computerfertigung, die flüchtigen Datenspeicher für Prozessoren bereitstellt. Es besteht aus mehreren Speicherchips, die auf einer Leiterplatte montiert sind, mit standardisierten Steckverbindern zur Systemintegration. Diese Module ermöglichen schnellen Datenzugriff und -verarbeitung in Servern, Workstations und Verbraucher-Rechengeräten. Hersteller integrieren sie als wesentliche Unterbaugruppen in Hauptplatinen zur Systemleistungsoptimierung.

Funktionsprinzip

Speicherchips speichern Daten als elektrische Ladungen in Kondensatoren, wobei eine Controller-Logik Lese-/Schreiboperationen über synchronisierte Taktsignale und Datenbusse verwaltet.

Technische Parameter

Speicherkapazität
Gesamtspeicherkapazität in GigabyteGB
Datenrate
Megatransfers pro SekundeMT/s
CAS Latenz
Column Address Strobe LatenzzyklenCL
Betriebsspannung
Standard-BetriebsspannungVolt
Modulhöhe
Physikalische Höhe des Modulsmm

Hauptmaterialien

FR-4-Leiterplattensubstrat DRAM-Siliziumchips Vergoldete Kupferkontakte

Komponenten / BOM

Speicher-ICs
Datenspeicherzellen
Material: Halbleiter aus Silizium
Leiterplattenträger
Grundlage für Leiterplatte
Material: FR-4-Laminat
SPD-Chip
Serielle Präsenzerkennung
Material: EEPROM-Silizium
Randstecker
Elektrische Schnittstelle zum Hauptplatinenanschluss
Material: Vergoldete Kupferlegierung

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Maßnahme

Alpha-Partikelfluss über 0,001 Partikel/cm²·s aus Verpackungsmaterialien Einzelereignisstörung verursacht Bit-Umkehr in SRAM-Zellen Fehlerkorrekturcode mit Hamming-Abstand 4, Silizium-auf-Isolator-Substrat mit 200 nm vergrabener Oxidschicht
Thermisches Zyklieren zwischen -40°C und 125°C bei 10 Zyklen/Stunde Lötstellenbruch aufgrund von Unterschieden im thermischen Ausdehnungskoeffizienten Underfill-Epoxidharz mit 25×10^-6/K WAK, Kupfersäulen-Bumps mit 100 μm Durchmesser

Technische Bewertung

Betriebsbereich
Betriebsbereich
0,9-1,1 V (Kernspannung), 0-85°C (Umgebungstemperatur), 0-95% relative Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend)
Belastungs- und Ausfallgrenzen
1,2 V (Durchschlagsspannung des Dielektrikums), 125°C (Sperrschichttemperatur), 1,5×10^11 Lese-/Schreibzyklen (NAND-Flash-Haltbarkeit)
Elektromigration bei Stromdichten über 1×10^6 A/cm², thermischer Ausdehnungsunterschied zwischen Silizium (2,6×10^-6/K) und FR-4-Substrat (13×10^-6/K) verursacht Lötstellenermüdung
Fertigungskontext
Hochgeschwindigkeits-Speichermodul wird innerhalb von Herstellung von Computern und Peripheriegeräten nach Material, Prozessfenster und Prüfanforderungen bewertet.

Weitere Produktbezeichnungen

RAM module Memory stick DIMM module

Taxonomie und Suchbegriffe

Suchbegriffe, Aliase und technische Bezeichnungen für diesen CNFX Datensatz.

Eignung und Auslegungsdaten

Betriebsgrenzen
Traglast:Nur Atmosphärendruck (nicht druckempfindlich)
Verstellbereich / Reichweite:Nicht zutreffend
Einsatztemperatur:0°C bis 85°C (Betrieb), -40°C bis 100°C (Lagerung)
Montage- und Anwendungskompatibilität
Desktop-Computer-HauptplatinenServer-Racks mit ECC-UnterstützungHochleistungs-Gaming-Systeme
Nicht geeignet: Industrieumgebungen im Freien mit extremer Vibration/EMV-Störung
Auslegungsdaten
  • Erforderliche Speicherkapazität (GB)
  • Kompatibilität mit System-Speicherbusgeschwindigkeit (MHz)
  • Bauformbeschränkungen (DIMM/SODIMM)

Zuverlässigkeits- und Risikoanalyse

Ausfallmodus und Ursache
Lötstellenermüdung durch thermische Belastung
Cause: Zyklische thermische Ausdehnung/Kontraktion durch Leistungszyklen oder Umgebungstemperaturschwankungen, die zu Mikrorissen in BGA-/CSP-Lötverbindungen führen
Elektromigration in Verbindungsleitungen
Cause: Hohe Stromdichte und erhöhte Temperaturen, die eine allmähliche Atomwanderung in Kupferleitungen/Durchkontaktierungen verursachen und schließlich Unterbrechungen oder Kurzschlüsse erzeugen
Wartungsindikatoren
  • Intermittierende Systemabstürze oder Speicherfehler unter Last (hörbar über System-Pieptöne oder sichtbar über Diagnose-LEDs)
  • Ungewöhnliche thermische Muster auf der Moduloberfläche sichtbar mittels Thermografie (Hot Spots >10°C über benachbarten Bauteilen)
Technische Hinweise
  • Implementierung eines aktiven thermischen Managements mit gerichteter Luftströmung >2 m/s über die Moduloberfläche und Aufrechterhaltung der Umgebungstemperatur unter 40°C
  • Verwendung von Underfill-Verkapselung für BGA-Gehäuse und Auftragen von Konformalack zur Verhinderung von Zinnwhisker-Wachstum und Feuchtigkeitseintritt

Compliance & Manufacturing Standards

Reference Standards
ISO/IEC 7810:2019 (Identifikationskarten - Physikalische Eigenschaften)ANSI/EIA-364-1000 (Prüfverfahren für elektrische Steckverbinder/Buchsen)DIN EN 60793-2-10 (Lichtwellenleiter - Produktspezifikationen)
Manufacturing Precision
  • Leiterplattenleitungsbreite: +/-0,02 mm
  • Bauteilpositioniergenauigkeit: +/-0,1 mm
Quality Inspection
  • Thermischer Zyklustest (-40°C bis +85°C, 1000 Zyklen)
  • Signalintegritätstest (Augendiagrammanalyse bei Nenngeschwindigkeit)

Hersteller, die dieses Produkt fertigen

Herstellerprofile mit passender Produktionsfähigkeit in China.

Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.

Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation
4/5
Fertigungsfähigkeit
4/5
Prüfbarkeit
5/5
Lieferantentransparenz
3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Häufige Fragen

Was ist CAS-Latenz und warum ist sie für dieses Speichermodul wichtig?

CAS-Latenz (CL) misst die Verzögerung zwischen einer Speichercontroller-Anforderung und der Datenverfügbarkeit. Niedrigere CL-Werte in unseren Hochgeschwindigkeitsmodulen bedeuten schnellere Reaktionszeiten, was die Gesamtsystemleistung in Rechenanwendungen verbessert.

Wie profitiert dieses Speichermodul vom FR-4-Leiterplattensubstrat?

FR-4-Leiterplattensubstrat bietet ausgezeichnete thermische Stabilität, elektrische Isolierung und mechanische Festigkeit. Dies gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Rechenumgebungen bei gleichzeitiger Wahrung der Signalintegrität für hohe Datenübertragungsraten.

Welchen Zweck erfüllt der SPD-Chip in diesem Speichermodul?

Der SPD-Chip (Serial Presence Detect) speichert die Spezifikationen des Moduls, einschließlich Timing-Parameter und Kapazität. Dies ermöglicht es Computersystemen, während des Hochfahrens automatisch optimale Einstellungen für Kompatibilität und Leistung zu konfigurieren.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Index v2.6.05 · Herstellung von Computern und Peripheriegeräten

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung
Diese Seite dient der strukturierten Vorbereitung von Recherche, RFQ und Lieferantenbewertung. Sie ersetzt keine Lieferantenqualifizierung, keine Normenprüfung und keine technische Freigabe durch den Käufer.

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