Eine synthetische amorphe Siliziumdioxid-Matrix (SiO₂), hergestellt durch Hochtemperaturfusion von Quarzsand, mit extrem niedrigen Verunreinigungsgraden (<10 ppm metallische Verunreinigungen), hoher chemischer Reinheit (>99,99 % SiO₂) und kontrollierter Partikelgrößenverteilung.
Eine synthetische amorphe Siliziumdioxid-Matrix (SiO₂), hergestellt durch Hochtemperaturfusion von Quarzsand, gekennzeichnet durch extrem niedrige Verunreinigungsgrade (<10 ppm metallische Verunreinigungen), hohe chemische Reinheit (>99,99 % SiO₂) und kontrollierte Partikelgrößenverteilung. Dieses Material bildet die grundlegende Matrix für hochreine Quarzglasprodukte, die in Halbleiter-, Optik- und Hochtemperatur-Industrieanwendungen eingesetzt werden, wo Thermoschockbeständigkeit, geringe Wärmeausdehnung und optische Transparenz entscheidend sind. Funktioniert als thermisch stabile, chemisch inerte Matrix, die ihre strukturelle Integrität bei Temperaturen bis zu 1200 °C bewahrt. Die amorphe Struktur verhindert kristalline Phasenübergänge, während die hohe Reinheit Kontamination in empfindlichen Anwendungen minimiert. Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials (0,55 × 10⁻⁶/K) bietet außergewöhnliche Thermoschockbeständigkeit.
Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Siliziumdioxid-Matrix.
Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.
Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme
Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.
Die Herstellerliste dient der Vorrecherche und Einordnung von Fertigungskapazitäten. Sie ist keine Zertifizierung, kein Ranking und keine Transaktionsgarantie.
Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.
Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.
The silicon dioxide matrix maintains structural integrity up to 1200°C continuously, with short-term exposure capability up to 1400°C. The softening point exceeds 1650°C.
Controlled particle size distribution (45-65 μm D50) ensures optimal packing density, flow characteristics, and sintering behavior. Finer particles improve surface area for reactions, while coarser particles enhance flowability in powder handling systems.
Primary applications include semiconductor manufacturing (wafer carriers, diffusion tubes), optical components (lenses, prisms), high-temperature furnace linings, investment casting molds, and laboratory equipment requiring chemical inertness.
CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.
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