Strukturierte Komponentendaten · 2026

Schottky-Diode

Technische Definition und Einsatzkontext

Ein typisches Schottky-Diode wird in Elektrogeräteherstellung nach Material, Toleranz, Montage- und Anwendungskompatibilität sowie Ausfallrisiko bewertet.

Eine Schottky-Diode ist eine Metall-Halbleiter-Sperrschichtdiode, die durch den Kontakt zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial (typischerweise n-dotiertes Silizium oder Galliumarsenid) gebildet wird. Im Gegensatz zu herkömmlichen p-n-Sperrschichtdioden arbeitet sie nach dem Prinzip der Schottky-Barriere, was zu einer geringeren Durchlassspannung (typischerweise 0,15-0,45 V) und extrem schnellen Schaltzeiten führt, da keine Minoritätsträgerspeichereffekte auftreten. In DC-DC-Wandlern wird sie hauptsächlich zur Gleichrichtung am Ausgang, als Freilaufdiode und zum Schutz gegen Verpolung eingesetzt, um den Wirkungsgrad zu verbessern und Verluste zu reduzieren. Das Funktionsprinzip basiert auf der Schottky-Barriere, die an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche entsteht. In Durchlassrichtung überwinden Elektronen aus dem Halbleiter die Barriere und fließen in das Metall, wodurch ein Stromfluss mit minimalem Spannungsabfall ermöglicht wird. In Sperrrichtung verhindert die Barriere einen signifikanten Stromfluss, bis die Durchbruchspannung erreicht ist. Das Fehlen der Minoritätsträgerrekombination ermöglicht einen schnellen Übergang zwischen leitendem und nichtleitendem Zustand.

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Komponentenspezifikationen

Definition

Eine Schottky-Diode ist eine Metall-Halbleiter-Sperrschichtdiode, die durch den Kontakt zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial (typischerweise n-dotiertes Silizium oder Galliumarsenid) gebildet wird. Im Gegensatz zu herkömmlichen p-n-Sperrschichtdioden arbeitet sie nach dem Prinzip der Schottky-Barriere, was zu einer geringeren Durchlassspannung (typischerweise 0,15-0,45 V) und extrem schnellen Schaltzeiten führt, da keine Minoritätsträgerspeichereffekte auftreten. In DC-DC-Wandlern wird sie hauptsächlich zur Gleichrichtung am Ausgang, als Freilaufdiode und zum Schutz gegen Verpolung eingesetzt, um den Wirkungsgrad zu verbessern und Verluste zu reduzieren.

Das Funktionsprinzip basiert auf der Schottky-Barriere, die an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche entsteht. In Durchlassrichtung überwinden Elektronen aus dem Halbleiter die Barriere und fließen in das Metall, wodurch ein Stromfluss mit minimalem Spannungsabfall ermöglicht wird. In Sperrrichtung verhindert die Barriere einen signifikanten Stromfluss, bis die Durchbruchspannung erreicht ist. Das Fehlen der Minoritätsträgerrekombination ermöglicht einen schnellen Übergang zwischen leitendem und nichtleitendem Zustand.

Funktionsprinzip

The working principle is based on the Schottky barrier formed at the metal-semiconductor interface. When forward-biased, electrons from the semiconductor overcome the barrier and flow into the metal, allowing current with minimal voltage drop. Under reverse bias, the barrier prevents significant current flow until the breakdown voltage is reached. The absence of minority carrier recombination enables rapid transition between conducting and non-conducting states.

Materialien

Metall: PlatinWolfram oder MolybdänHalbleiter: N-dotiertes Silizium (Si) oder Galliumarsenid (GaAs)Gehäuse: SOD-123SMASMB oder D2PAK mit Epoxidharz-Verguss.

Package Type

Surface Mount (SMD) or Through-Hole

Forward Voltage (VF)

0.15-0.45V at rated current

Reverse Voltage (VR)

20-100V

Junction Temperature (Tj)

-65°C to +150°C

Reverse Recovery Time (trr)

<10ns

Maximum Forward Current (IF)

1-30A

Normen

IEC 60747JEDEC JESD22MIL-PRF-19500

Branchentaxonomie & Aliasse

Gebräuchliche Handelsnamen, technische Kennungen und Suchbegriffe für Schottky-Diode.

Übergeordnete Produkte

Diese Komponente wird in den folgenden Industrieprodukten eingesetzt.

DC-DC-Wandler

Eine elektronische Schaltung, die eine Gleichstromquelle von einer Spannungsebene auf eine andere umwandelt.

Produktdetails ansehen ->

FMEA · Fehleranalyse

Ursache → Fehlermodus → Engineering-Massnahme

Exceeding maximum junction temperature->Thermal degradation leading to increased leakage current or catastrophic failure->Implement proper heat sinking, derate current at high temperatures, and monitor thermal management

Voltage transients exceeding reverse voltage rating->Reverse breakdown and permanent damage->Use snubber circuits, select diodes with appropriate voltage margins, and implement overvoltage protection

Improper soldering or mechanical stress->Cracked package or broken bond wires causing open circuit->Follow manufacturer's soldering guidelines, use stress-relief in PCB design, and conduct visual inspections

Industrielles Ökosystem und technische Bewertung

Kompatibel mit

Buck Converters Boost Converters Flyback Converters Synchronous Rectifiers Voltage Clamping Circuits

Austauschteile

Vishay Semiconductor ON Semiconductor STMicroelectronics Infineon Technologies Diodes Incorporated

Thermal runaway due to high reverse leakage current at elevated temperatures

Voltage overshoot during fast switching causing potential breakdown

Incompatibility with high-voltage applications (>200V)

Sensitivity to electrostatic discharge (ESD) during handling

Konformität und Prüfung

tolerance

Forward voltage tolerance ±10%, reverse leakage current <100µA at rated voltage

test method

IEC 60747-1 for semiconductor devices, including forward voltage test at specified current, reverse leakage test, and switching speed measurement using pulse generators

Hersteller für diese Komponente

Relevante Herstellerprofile aus der CNFX-Komponentenfähigkeitstabelle.

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Beispielhafte Bewertungskriterien aus Einkaufsprozessen

Keine Kundenbewertung und keine Echtzeitdaten. Die Werte zeigen typische Prüfkriterien in RFQ- und Lieferantenbewertungsprozessen.

Technische Dokumentation

4/5

Fertigungsfähigkeit

4/5

Prüfbarkeit

5/5

Lieferantentransparenz

3/5

Die Kriterien dienen als Orientierung für technische Einkaufsprüfungen. Konkrete Kunden, Länder, Bewertungsdaten oder Live-Nachfragen werden nur angezeigt, wenn entsprechende belastbare Daten vorliegen.

Häufige Fragen

Why use Schottky diodes in DC-DC converters instead of standard diodes?

Schottky diodes have lower forward voltage drop and faster switching speeds, reducing power losses and improving converter efficiency, especially in high-frequency switching applications.

What are the limitations of Schottky diodes?

They typically have lower reverse voltage ratings and higher reverse leakage current compared to p-n junction diodes, making them unsuitable for high-voltage applications.

How to select a Schottky diode for a DC-DC converter?

Consider forward voltage drop, reverse voltage rating, forward current capacity, switching speed, thermal characteristics, and package size based on converter topology and operating conditions.

Kann ich Hersteller direkt kontaktieren?

CNFX ist ein offenes Verzeichnis, keine Handelsplattform und kein Beschaffungsagent. Herstellerprofile und Formulare helfen bei der Vorbereitung des direkten Kontakts.

CNFX Industrial Component Index · Elektrogeräteherstellung

Datenbasis

CNFX-Herstellerprofile, technische Klassifikation, öffentlich verfügbare Produktinformationen und fortlaufende Plausibilitätsprüfung.

Vorläufige technische Einordnung

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